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一
种
制备ZuO/CuInS2核壳结构
纳米
棒薄膜的方法
本发明属于薄膜制备技术领域,具体为一种制备ZnO/CuInS2核壳结构纳米棒薄膜的方法和相关工艺参数。该制备方法为媒介模板转换法。首先,采用水热法,以硝酸锌(Zn(NO3)2)/六次甲基四胺(HMT)水溶液为生长体系,在ITO导电玻璃上生长ZnO纳米棒;然后以硫代乙酰胺(TAA)为反应试剂进行水浴,得到ZnO/ZnS核壳结构纳米棒薄膜;然后,将所得样品在硝酸铜(Cu(NO3)2)的三乙二醇(TEG)溶液中静置一段时间得到ZnO/CuS核壳结构纳米棒薄膜媒介模板;最后,将所得样品放入氯化铟(InCl3
天津城建大学
2021-01-12
一
种
注射用载
纳米
粒的微球系统及其制备方法
【发 明 人】陈志鹏;王建;刘丹;陈军;蔡宝昌 【摘要】 本发明提供了一种注射用载纳米粒的微球系统,药物包裹于纳米粒中,再将纳米粒包裹在微球中,纳米粒材料选自白蛋白、壳聚糖和聚乳酸-羟基乙酸聚合物中的一种,微球材料选自壳聚糖或聚乳酸-羟基乙酸聚合物。本发明还提供了上述微球系统的制备方法,纳米粒采用去溶剂化-乳化交联法、交联法或双乳化法制备,将制得的纳米粒进一步采用双乳化法或喷雾干燥法制备得到微球。本发明所述载纳米粒的微球系统不会引起排异反应,可以用于注射给药,可适应不同药物的性质,进一步的增强了缓释作用及其可控性,还可以通过对内外两层材料的修饰,实现分级逐次靶向的作用。
南京中医药大学
2021-04-13
一
种
基于双频磁场磁
纳米
磁化强度的温度测量方法
本发明公开了一种基于双频磁场磁纳米磁化强度的温度测量方法,属于磁纳米测试技术领域。本发明将磁纳米样品放置在待测对象处,对放置磁纳米样品的区域施加双频激励磁场,采集双频磁场激励下磁纳米样品的磁化强度信号,然后从中提取出各次谐波幅值,最后根据谐波与温度的关系构建方程组求解温度。本发明可以快速准确的测量物体温度,特别适用于非接触式温度测量。
华中科技大学
2021-04-14
一
种
超高纯度碳
纳米
管导电浆料及其制备方法
本发明属于纳米材料的制备与改性领域,具体公开了一种超高 纯度碳纳米管导电浆料,其制备方法包括以下步骤,首先在硅片表面 沉积一层氧化铝薄膜,接着在氧化铝薄膜上溅射铁薄膜,然后将附有 铁薄膜的硅片退火,使用水辅助超级生长法获得阵列碳纳米管,最后 将碳纳米管剥离,使用超声与球磨混合分散法分散于溶剂 N-甲基吡咯 烷酮中,即获得所述超高纯度碳纳米管导电浆料。本发明还公开了该超 高纯度碳纳米管导电浆料在锂电池中的应用。本发明优
华中科技大学
2021-04-14
一
种
简便的制备碳
纳米
管化学修饰电极的方法
一种简便的制备碳纳米管化学修饰电极的方法,其步骤是:A、先用电化学沉积法在电极面上沉积用于生长碳纳米管的催化剂颗粒;再将电极面放入到燃烧火焰的内焰中,在火焰的内焰中生长;然后将电极从火焰中拿出;最后封装即得。该方法操作简单、方便、成本低廉,且制得的修饰电极性能好,用作电化学检测电极,其检测灵敏度高。
西南交通大学
2016-07-05
一
种
基于
纳米
压电纤维的柔性能量捕获器件及其制备方法
本发明公开了一种基于纳米压电纤维的柔性能量捕获器件及其制备方法。所述器件自下而上依次包括:柔性基材、电极层、压电纤维层、保护层;所述柔性基材为柔性绝缘塑料薄膜;所述压电纤维层为 PVDF 纤维。通过采用柔性基材,采用照相制版工艺制备梳状电极,并选择合适的静电纺丝参数沉积 PVDF 压电纤维,无需再对压电纤维进行极化,使纤维整齐排列、减小纤维缺陷,能够简化纳米压电纤维能量捕获器件制备工艺,提高能量转换效率,尤其是对弯曲运动机械能的捕获效果。
华中科技大学
2021-04-14
一
种
改进的基于支持向量机的
纳米
结构特征尺寸提取方法
本发明公开了一种改进的基于支持向量机的半导体纳米结构特征尺寸提取方法,步骤为:确定每一个待提取参数的取值范围,生成子光谱数据库;利用训练光谱和支持向量机训练网络进行支持向量机训练;对每一个待提取参数利用训练光谱重复训练多个支持向量机,每一个支持向量机的训练终止条件均不相同;利用多个支持向量机,对测量光谱进行映射;找出所有支持向量机映射结果中出现次数最高的一个,视为最有可能出现的取值区间;建立子光谱数据库,找出其中与测量光谱最为相似的仿真光谱,即认为是待测结构的参数值。本发明可以实现特征线宽、高度、侧
华中科技大学
2021-04-14
一
种
耐高温
纳米
硅薄膜二极管及其制备技术
该成果是一种用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法进行低成本的耐高温二极管制备的技术,它采用高熔点的钨或钽丝作为催化分解热丝,对通入生长腔体中的气体进行快速分解,通过控制热丝温度、H2稀释比、衬底温度和生长气压等参数,可以实现不同导电类型的纳米硅薄膜的沉积和相关二极管的制备,制备的纳米硅薄膜大面积均匀,载流子浓度和迁移率可控性好。 该成果主要面向微电子器件制造行业,如集成电路、大功率器件、特种环境探测器和传感器、光伏产业、发光器件等相关领域。 该成果
南京航空航天大学
2021-04-14
一
种
半弧形Bi2Se3超薄
纳米
片的制备方法
本发明涉及一种半弧形Bi2Se3超薄纳米片的制备方法,其具体作法是:a、配制混合溶液:分别称量0.1-1mmol Bi(NO)3·5H2O,0.5-1.5mmol Se,1mmolNa2SO3,将其混合后放入高压釜内衬。在高压釜内衬中加入80mL乙醇,用玻璃棒搅拌越5min。b、水热反应:封闭高压釜后,将其放入箱式炉加热至200°C,12h,待自然冷却后取出。c、离心过滤:将b步反应后所得的溶液超声5-8分钟,1000转/分离心过滤,将滤液于80℃下干燥得灰黑色产物,即为半弧形Bi2Se3超薄纳米片。合成步骤少,操作简单,目的产物物性能优良。
西南交通大学
2016-10-20
一
种
基于磁
纳米
磁化强度-温度曲线的快速测温方法
本发明公开了一种基于磁纳米磁化强度-温度曲线的快速测温方法,其包括以下步骤:(1)将磁纳米粒子样品置于待测对象的表面;(2)在所述磁纳米粒子样品所在区域施加直流激励磁场;(3)获取所述待测对象的初始温度 T(0),并根据该初始温度 T(0)计算出初始磁化强度M(0);(4)采用探测线圈检测由温度变化而引起磁化强度变化的响应信号 u(t);(5)根据所述初始磁化强度 M(0)和响应信号 u(t)实时计算出磁纳米粒子的磁
华中科技大学
2021-04-14
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