一、成果简介 纳豆是日本的一种传统大豆发酵食品，由纳豆菌在一定温度和湿度下发酵大豆制备而成，距今已有2000多年的历史。纳豆的营养价值丰富，一直被视为药食同源的食品。研究发现纳豆中含有大 量丰富的生理活性物质如纳豆激酶、异黄酮、皂青素、维生素K2等。常吃纳豆可改善人体肠道微 生态平衡、预防痢疾、肠炎和便秘等疾病；同时还能起到降低血脂、预防大肠癌、降低胆固醇、软 化血管、预防

非晶合金作为一种新型材料，不仅具有高的强度、高硬度，还具有良好的耐磨性；同时，因其原子无规则排列，没有晶界等缺陷，而具有突出的耐蚀性，是当前材料研究领域的热点之一。目前用于制备非晶涂层的热喷涂技术主要包括等离子喷涂和高速火焰喷涂。一般利用电弧喷涂制备的Fe基含非晶相涂层，其非晶相含量为40～60％。相对于这些喷涂技术而言，激光熔覆技术能够获得完全非晶态的合金涂层。磨损试验表明含非晶相涂层的耐磨性是普通碳钢的12倍。此外，激光熔覆技术能够显著提高涂层与基体的结合强度，达到冶金结合。采用激光熔覆技术在金

在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用

合作的企业类型等。简介请图文并茂，字数1000字以内。） 本项目针对薄壁群孔结构，研制出专用工艺及装备，可显著提高生产效率，降低制造成本，最小加工孔径0.5mm,最大板厚1mm。适用于航空航天、电子等行业。研制出电铸微小群孔的工艺，可实现最小孔径为数微米直径的群孔制造；研制出群坑结构高效电解加工工艺及装置，可实现活塞环、活塞及气缸内表面群坑的制造，目前最小加工坑直径为0.2mm。

合作的企业类型等。简介请图文并茂，字数1000字以内。） 该成果是一种低成本的能真实地模拟导航系统动态过程的仿真试验系统技术。它采用惯性加速度计模拟器、惯性陀螺仪模拟器、GNSS（含北斗、GPS等）星座导航信息模拟器，实现对惯性导航系统动态信息、卫星接收机动态信息的集成模拟和仿真，能将动态仿真数据通过各硬件接口输出给惯性组合导航计算机，是一套能进行导航系统动态性能综合模拟和测试的系统，能实现对导航系统动态性能的评估和验证。 惯导系统模拟仿真试验系统主要应用特点有：通过采用

针对抗洪抢险环境的特殊性和打桩的要求，本项目“高速智能堤坝抢险打桩平台关键技术的研究”在水利部水利部公益性行业科研专项项目经费的资助下，河海大学课题组成员将机械、自动化、液压控制等多学科的先进技术和水利事业的发展需要相结合，开展了对智能堤坝抢险打桩平台一系列关键技术的研究。 课题组将机械、自动化、液压控制等多学科的关键技术和堤坝抢险的特殊要求相结合，提出一种能适应堤坝抢险现场复杂环境、具有陆地和浅水爬行能力的高效率智能化堤坝抢险打桩平台的总体设计方案，并对对液压振动打桩的实验平台，振

正丁腈是有机合成及医药中间体的关键原料。此前该产品的合成工艺为国内生产空白，没有成熟的合成工艺及工业催化剂。经过多年研究，南开大学推出的正丁腈用催化剂技术, 采用气相法连续生产正丁腈新型催化反应工艺与工程技术，生产的正丁腈纯度高，可满足产品出口的各项指标要求。

二嗪磷又名二嗪农、地亚农，是一种广谱、高效有机磷杀虫杀螨剂，二嗪磷毒性较低，具有高效、低毒、低残留等特点。它对鳞翅目、同翅目等多种害虫均有较好的防治效果，适用于防治棉、水稻、小麦、蔬菜、花卉等作物的多种害虫及螨类，亦可拌种防治作物的地下害虫。 作为甲胺磷替代品种, 我国限于原料供应、价格等原因之前一直未能投产。作为农产品出口大国，异丁腈是合成农药二嗪磷的基础原料, 一直依赖进口,导致二嗪磷生产成本过高, 成为二嗪磷工业生产的技术瓶颈, 制约了它的发展。南开大学推出的异丁腈用催化剂技术

本发明公开了一种基于 RFID 技术的智能铣削刀具系统，包括 安装在机床的基座上的主轴，主轴上安装有刀柄，刀柄上安装有刀具， 基座上固定安装有初级单元，刀柄上固定安装有次级单元，刀具上固 定安装有传感单元，传感单元安装在靠近刀具的切削刃的部位，传感 单元与次级单元通过导线连接;传感单元用于在切削的过程中实时感 知刀具的物理量;次级单元用于在线采样传感单元感知的物理量并通 过无线传输通道向初级单元传输;初级单元用于产生射频载波及在无 线传输通道中获取次级单元传输的数据。本系统通过同

光掩膜版(又称光罩，掩膜版，英文 Photo-mask )是芯片制作中实现设计图形转移的载体，是决定其微细结构和线宽精度的核心材料和工具。 目前中国半导体掩膜版的国产化率10%左右，90%需要进口，高端掩膜版国产化率3%，miniLED和microLED产业升级也需要更多高端掩膜版。随着中国市场需求的持续提升，掩膜版产能严重不足。并且中国半导体掩膜版的产业起步较晚，技术滞后，核心技术和装备基本让国外公司垄断，特别是在设备、材料领域众多技术处于“卡脖子”状态，例如掩膜版制造的核心装备光刻机、检测机、测量机、修复机和贴膜机等都依赖进口，严重制约中国半导体产业的发展。华中科技大学徐智谋教授团队致力于全套高端半导体光掩膜版的关键核心技术研发与量产，为“卡脖子”技术研究而努力。 具有建立180 nm技术节点半导体掩膜版量产线相关核心技术；具备130 nm至28 nm半导体掩膜版研发、设计及验证能力。主要研究成果如下： 1） 工艺突破 团队掌握了掩膜版MEMS微纳加工量产核心技术，如电子束光刻、激光光刻和纳米压印光刻等MEMS微纳加工工艺的各类技术参数的搭配和优化，以及大数据量软件快速处理、补偿等。 2） 装备国产化 A. 超高精度二维测量装备 尺寸测量是验证掩膜版技术指标的核心，主要包括关键尺寸测量(CD)和长尺寸测量(TP)。团队已掌握掩膜版的关键测量技术，达到国内先进水平，具有整套设备的整机制造能力。 TP测量是掩膜版制作的核心指标，直接影响到客户的套合精度，该测量设备一直由国外极少数厂商垄断，且价格昂贵，一般在1000万美元以上，高端限制对中国出口。团队目前正在攻克该项技术，已取得阶段性成果。 B. 缺陷修复装备 掩膜版修补技术是提升良品率的关键手段，该技术一直为国外垄断。团队已熟练掌握UV、DUV激光化学沉积技术及皮秒飞秒激光金属处理技术，具备整机制造能力，可降低设备采购成本70%以上。 C. Pellicle自动贴膜装备 随着产品精度的提升和应用领域的高端化，掩膜版贴膜是个不可缺少的重要环节。在IC制造领域100%掩膜版需贴Pellicle，在IC封装领域90%以上需贴膜，在LED领域80%以上需贴膜。该贴膜设备一直国外公司垄断，国内厂家没有提供，国外采购全自动贴膜设备需100万美元左右。团队具备研发制造该设备的能力，贴膜精度±0.1mm,且有设备正式在产线运营，制造成本可节约90%以上。 3） 厂房建设关键技术 团队对MEMS及其掩膜工厂工艺设备厂务设计有丰富经验，掌握高等级防微震厂房结构和设备平台的设计施工，可达到VC-D级技术标准，满足纳米级生产技术要求。 【技术优势】 （1）掌握了高性价比掩膜版量产的关键核心技术，包括部分装备的国产化，解决“卡脖子”技术难题，量产线建设成本节约30%以上； （2）具备28 nm及以下技术节点掩膜版设计开发能力和验证平台，验证周期可缩短3倍； （3）拥有一支20多年以上掩膜版量产、研发和销售经验的队伍，成熟的企业管理经验，保证企业稳步成长，确保投资风险可控。 【合作方式】 股权投资合作共建或政府孵化+中试线。