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高效率、大面积碳纳米管 - 硅异质结太阳能电池
碳纳米管-硅太阳能电池将具有优异透明导电性能的碳纳米管和高吸光性能的单晶硅完美结合，工艺简单，备受学术界关注。和目前光伏领域所研究的钙钛矿、半导体薄膜、量子点等材料相比，碳纳米管-硅电池将传统硅材料和新型碳纳米材料两者优良的光电性能相结合，有望成为下一代光伏候选技术。和传统晶体硅电池相比， 该电池省略了制备p-n结的热扩散工艺，小面积时无需蒸镀金属栅格，单壁碳纳米管的导电性和载流子迁移率远远高于晶体硅，因此具有低成本、高效率的优点。目前， 该领域的典型结构，无论是碳纳米管-硅还是石墨烯-硅电池，都存在电池效率仍有待提高、电池面积偏小的问题，距离实际应用还比较遥远。
北京大学
2021-01-12
高效率、大面积碳纳米管 - 硅异质结太阳能电池
碳纳米管-硅太阳能电池将具有优异透明导电性能的碳纳米管和高吸光性能的单晶硅完美结合，工艺简单，备受学术界关注。和目前光伏领域所研究的钙钛矿、半导体薄膜、量子点等材料相比，碳纳米管 - 硅电池将传统硅材料和新型碳纳米材料两者优良的光电性能相结合，有望成为下一代光伏候选技术。和传统晶体硅电池相比， 该电池省略了制备 p-n结的热扩散工艺，小面积时无需蒸镀金属栅格，单壁碳纳米管的导电性和载流子迁移率远远高于晶体硅，因此具有低成本、高效率的优点。目前， 该领域的典型结构，无论是碳纳米管 - 硅还是石墨烯 - 硅电池，都存在电池效率仍有待提高、电池面积偏小的问题，距离实际应用还比较遥远。
北京大学
2021-04-13
一种亚纳米线构筑聚环氧乙烷基复合固态电解质的方法
本发明涉及电池固态电解质技术领域，具体涉及一种亚纳米线构筑聚环氧乙烷基复合固态电解质的方法。具体技术方案为：包括以下步骤：（1）亚纳米线表面接枝改性：将亚纳米线分散于弱极性溶剂中，再加入巯基化合物和光引发剂，在紫外光照射及冰浴条件下反应4‑10小时；（2）复合固态电解质构筑：将聚环氧乙烷、锂盐与步骤（1）中改性后的亚纳米线溶解于极性溶剂中，搅拌均匀后浇筑成膜并常温干燥即可。本发明解决了传统复合电解质中填料分散性差、尺寸匹配度低以及界面相容性不足等问题。
兰州大学
2021-01-12
氧化锌纳米棒的制备，用于无光条件下的有机废水处理
利用滚压振动研磨得到的纳米锌粉颗粒，经低温水解生成氧化锌纳米棒，ZnO/CNTs多孔复合结构在无光照条件下降解有机染料废水。
上海理工大学
2021-01-12
一种提高环氧树脂的耐高温性能的无机/有机杂化纳米粒子
发明了一种无机/有机杂化纳米粒子, 与有机物和高聚物的相容性好，将其添加到环氧树脂或各种涂料中，能够提高材料的玻璃化温度，增强材料的耐高温性能，同时还可以提高材料的耐冲击性能和阻燃性能。
经济技术指标与应用效果：按 10% 重量比添加该杂化物到环氧树脂中，可提高环氧树脂的玻璃化温度 15o C,提高维卡软化温度 13o C,提高抗冲击强度 3 倍。提高抗氧指数提高 52%。实验室应用效果显著。
创新要点：纳米杂化物合成方法简单，成本低廉，对环氧树脂的改性效果显著。
效益分析：根据投资规模确定。
江南大学
2021-04-13
一种基于忆阻器的非易失性 SR 触发器电路
本发明公开了一种基于忆阻器的非易失性 SR 触发器电路；包括忆阻器 ME、定值电阻 Rd、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS管、第四 MOS 管、第五 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2、第三反相器 N3 以及第四反相器 N4，以及将忆阻器与定值电阻串联构·721·成的分压电路读取模块。主要是利用了忆阻的非易失和阻值随流经本身的电荷大小改变的特性，实现了 SR 触发器的锁存以及置位和复位功
华中科技大学
2021-04-14
一种绝缘芯变压器型电子辐照加速器安装工艺
本发明公开了一种绝缘芯变压器型电子辐照加速器安装工艺， 包括以下步骤：在加速器支架上分别安装高压电源和加速器主体，通 过连接钢筒连接高压电源和加速器主体；高压电源的安装工艺依次包 括电源底座的安装、下磁轭的安装、过渡盘与第一层高压底盘的预安 装、六层高压底盘的预安装、第一层高压底盘的安装、余下各层高压 底盘的安装和上磁轭的安装。按照本发明安装工艺安装绝缘芯变压器型电子辐照加速器，其安装精度高，工作效率高，合格率高，保证了 安装质量，节约了人力、物力和财力。
华中科技大学
2021-04-14
用于双旋转补偿器椭偏仪的菲涅尔棱镜相位延迟器
本发明公开了一种菲涅尔棱镜相位延迟器，其由两斜方棱镜各以其一端的倾斜底面相互贴合形成对称结构而构成，通过选择相应折射率的棱镜材料以及确定斜方棱镜斜角，入射光束经其中一个斜方棱镜另一端的倾斜底面垂直入射到该斜方棱镜，经其相对的两侧面依次进行两次全反射后通过两斜方棱镜的贴合面入射到另一斜方棱镜，并同样经该斜方棱镜的相对的两侧面依次进行两次全反射后出射，即可得到该双旋转补偿器穆勒矩阵椭偏仪所需求的相位延迟量。该相位延迟器能够在包括紫外、可见以及红外的波段内实现良好的消色差性能，并且对光束入射角不敏感，同时
华中科技大学
2021-04-14
基于忆阻器实现计算与存储融合的处理器及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器实质蕴涵操作的计算与存储融合 的处理器及其操作方法；该处理器由多个计算与存储融合单元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通过通信网络相连接。本发明 中使用一种能记忆电阻的器件，即忆阻器。在设计电路时，忆阻器的 阻变特性已参与完成相应的计算，并将计算结果用忆阻器的阻态来保 存，省去了传统计算机系统中将计算结果输出到存储器的步骤，实现 计算与存储的融合。通过通信网络
华中科技大学
2021-04-14
基于忆阻器实现计算与存储融合的处理器及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器实质蕴涵操作的计算与存储融合 的处理器及其操作方法；该处理器由多个计算与存储融合单元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通过通信网络相连接。本发明 中使用一种能记忆电阻的器件，即忆阻器。在设计电路时，忆阻器的 阻变特性已参与完成相应的计算，并将计算结果用忆阻器的阻态来保 存，省去了传统计算机系统中将计算结果输出到存储器的步骤，实现 计算与存储的融合。通过通信网络
华中科技大学
2021-04-14