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华北电力大学（保定）碳循环与碳捕集实验平台采购（二次）公开招标公告
华北电力大学（保定）碳循环与碳捕集实验平台采购（二次）招标项目的潜在投标人应在招采进宝河北专区（http://hb.zcjb.com.cn）获取招标文件，并于2022年07月04日09点00分（北京时间）前递交投标文件。
华北电力大学（保定）
2022-06-14
工信部等七部门印发《信息通信行业绿色低碳发展行动计划（2022-2025年）》
推动“十四五”时期信息通信行业绿色低碳高质量发展，赋能全社会节能减排促达峰。
工业和信息化部信息通信发展司
2022-08-25
工信部等五部门联合印发《加快电力装备绿色低碳创新发展行动计划》
支持具备条件的高等院校联合企业、科研院所等培育高端研发、技能及管理人才。引导专业服务机构创新人才培养模式，培育一批高端复合型人才。优化人才引进机制，建立健全人才激励制度，鼓励企业积极引进海外高层次人才。
工业和信息化部装备工业二司
2022-08-29
第二届科创中国·高等学校技术交易大会低碳与储能产业论坛在渝举办
4月9日，第二届科创中国·高等学校技术交易大会—低碳与储能产业论坛在重庆国际博览会议中心举办。
云上高博会
2023-04-10
喜迎二十大 | 管培俊：高质量的高等教育是亿万人民的期待
我们热切地期望二十大之后，我国高等教育的发展实现新的历史性跨越。
人民政协报
2022-10-12
一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途
本发明公开了一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途，薄膜晶体管的顶栅、阻挡层、存储层、隧穿层及沟道层构成了顶栅型存储器；薄膜晶体管的沟道层、底栅氧化层及底栅构成了底栅型TFT。通过对顶栅型存储器进行操作实现非易失性存储器的“编程/擦除”操作，通过对底栅型TFT进行操作实现非易失性存储器的“读”操作。“编程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“读”操作的分离，提升了存储器的存储窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
东南大学
2021-04-11
一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管
本发明公开了一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管，包括：由下而上依次设置的衬底、ｎ型氮化物层、多量子阱层、电子阻挡层、ｐ型氮化物层、ｐ型氮化物欧姆接触层，所述ｎ型氮化物层上设置的ｎ型电极和所述ｐ型氮化物层上设置的ｐ型电极；其中电子阻挡层由由下而上依次设置的ｐ型掺杂氮化物势垒层，非掺杂氮化物势阱层、利用共振隧穿效应增大空穴透过率的非掺杂势垒层联合
东南大学
2021-04-14
一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管
本发明公开了一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管，包括：由下至上依次设置的衬底，AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、双掺杂的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源区、AlzGa1?zN电子阻挡层，其中z>y>x，p型AlGaN层和透明导电层，在n型AlGaN层和透明导电层上分别设置的n型欧姆电极和p型
东南大学
2021-04-14
喹噁啉类三种兽药的食品安全性评价与风险管控技术
该项目2016年获得湖北省科技进步一等奖。由于乙酰甲喹和喹烯酮尚未确定每日允许摄入量(ADI)、残留标识物(MR)和靶组织(TT)，未能制订最高残留限量(MRLs)和休药期(WP)，喹乙醇仅有猪肌肉暂定MR及MRL，这三种药物一直没有科学的食品安全标准和风险管控技术，消费者健康受到威胁。
该项目主要创新如下：
1、针对代谢资料缺乏、无MR等问题，在猪、鸡和鲤开展放射示踪研究，鉴定出代谢物33种，发现残留物20种，阐明了代谢机制、残留消除规律及种属差异，确定了MR及TT，为有害残留的风险评估与管控提供了翔实、科学的基础数据。
2、针对毒理资料缺乏、无MRLs等问题，开展全面、系统、深入的毒理和暴露评估研究，揭示药物的毒性和毒作用特点，阐明量-效、时-效关系，确定了ADI，制订MRLs 18个、休药期6个，为有害残留的风险管控与交流提供了理论依据。
3、针对缺乏新型、高效检测技术的问题，自主研制残留物的标准品17种，建立定量/确证分析方法9种，发明快速检测的核心试剂22种，创制基于抗体的高效检测试剂盒6个，为有害残留的风险管控提供了技术支撑。
发现的代谢物和残留物，自主研制的标准品、检测方法及其标准，发明的快速检测核心试剂及试剂盒，填补了国内外空白，提升了兽医兽药科技的自主创新能力。喹乙醇新MR的发现改正了国际食品法典委员会以往推荐的错误标准。
成果完成时间：2012年
华中农业大学
2021-01-12
可实现纯紫外发光的ＺｎＯ基异质结发光二极管的制备方法
本发明公开了一种可实现纯紫外发光的ＺｎＯ基异质结发光二极管的制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长ｎ?ＺｎＯ纳米线；采用磁控溅射法在ｐ?ＧａＮ上溅射一层ＡｌＮ薄膜；采用溅射法或者电子束蒸镀分别在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制备具有欧姆接触的金属电极；将ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ紧扣在ｎ?ＺｎＯ纳米棒阵列上面形成异质结，构成完整的器件。本发明在蓝宝石上直接生长ＺｎＯ纳米棒阵列，提高ＺｎＯ结晶度，提高电学性能，有效消除晶体质量差的问题；引入ＡｌＮ隔离层，有效较少了结区的剩余电子，增加ＺｎＯ区载流子复合效率，实现纯ＺｎＯ紫外发光；ｎ?ＺｎＯ纳米棒阵列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ异质结发光二极管，发光位置在３８５ｎｍ左右，半峰宽为１４．５ｎｍ。
东南大学
2021-04-11