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BA-1.5-10B陶瓷纤维马弗炉
产品详细介绍BA-1.5-10B陶瓷纤维马弗炉(箱式实验电炉)详细介绍         BA-1.5-10B陶瓷纤维马弗炉炉体采用美国陶瓷纤维材料,此材料具有保温性能好(升到1000℃炉体表面温度只有60℃,国家标准是100℃)左右,重量轻的特点。BA-1.5-10B陶瓷纤维马弗炉加热丝采用全球最顶级瑞典康泰尔公司的合金材料。BA-1.5-10B陶瓷纤维马弗炉加热温度均匀、升温速度快,升到1000℃只要12分钟(化学行业非常适用),传统马弗炉需要80分钟左右,节能性能好,BA-1.5-10B陶瓷纤维马弗炉是普通马弗炉能耗的40%左右,不掉粉尘、不掉渣不会影响做试验的效果。 1.BA-1.5-10B陶瓷纤维马弗炉采用美国高纯陶瓷纤维材料,保温耐火层共50mm 2.BA-1.5-10B陶瓷纤维马弗炉采用瑞典康泰尔电热元件,很少断裂;同样的电阻,均匀性完全不同。 3.国际产品的质量,国内的价格 4.先进的温度控制系统 5.设有防止断电、故障停机后来电误启动功能,炉体表面超温断电保护、及多项安全防护措施防止意外发生,炉门设有可靠的开门断电开关,确保操作人员安全 BA-1.5-10B陶瓷纤维马弗炉可应用于高校、研究所常规实验室:用于进行对各种物理、化学材料、生物、电子等学科实验室的常规教学和试验研究。 如: (1)热加工、水泥、建材行业:进行小型工件的热加工或处理,例如加热小型精密陶瓷,新材料开发等; (2)医药行业:用于药品的检验、医学样品的预处理等。 (3)分析化学行业:作为水质分析、环境分析等领域的样品处理。也可以用来进行石油及其分析。 (4)煤质分析:用于测定水分、灰份、挥发份、灰熔点分析、灰成分分析、元素分析。也可以作为通用灰化炉使用。   BA-1.5-10B陶瓷纤维马弗炉(箱式实验电炉)技术参数  1、工作室尺寸:165*120*105   2、设计温度:1000℃ 3、控温精度:±1℃ 4、控温形式:PID智能控温仪 5、升温速率:≥60℃ 6、传感器:镍铬—镍硅      分度号:K 7、电源电压:AC-220V(二相) 8、功率:1.5KW 9、加热元件:瑞典康泰尔电热元件
上海本昂科学仪器有限公司 2021-08-23
XM-408B平滑肌纤维模型
XM-408B平滑肌纤维模型   XM-408B平滑肌纤维模型显示平滑肌纤维的超微结构及形态。 尺寸:放大,33×23×14cm 材质:PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
纳米涂料娇子 —“德冠世纪 ”牌纳米内外墙乳胶 漆
研究内容及用途 :本项目将纳米技术的发明专利和独特的工艺技术相 结合,推出了集高质量、多功能、绿色环保为一体的 “德冠世纪 ”牌纳米建 筑涂料系列产品,它涵盖了内墙乳胶漆、外墙乳胶漆、底漆等不同功能用 途的水性涂料,同时还推出了蕴涵纳米技术精华、具有多种优异特性的纳 米乳液。适用于各种居家、别墅、酒店、公共建筑物的内墙装饰,尤其能 满足对环保性能苛刻的食品、 医药等行业及对老人、 儿童房屋装修的需求。
南昌大学 2021-04-14
一种结合光子晶体的分支滚环扩增检测miRNA的方法
本发明公开了一种结合光子晶体的分支滚环扩增检测miRNA的方法。该方法由四个部分组成:a.制备点状光子晶体;b.5’端磷酸化的锁式探针的两末端与靶标miRNA互补配对后利用T4RNA ligase 2连接成环;c.以成环的锁式探针作为模板,靶标miRNA作为引物,在phi29DNA聚合酶的作用下发生线性滚环扩增,通过加入二级引物,使线性滚环扩增沿着支链方向扩增,达到信号进一步放大;d.往滚环扩增产物中加入SYBR GREENⅠ染料后加到点状光子晶体上进行检测。本发明通过利用光子晶体效应对发光的调控,增强荧光强度,从而增强检测的灵敏度,降低检测下限,在最优实验条件下,该方法的线性范围为0.1aM‑1pM,miRNA的检测限低至1aM。本发明无需对循环miRNA进行分离提取,可直接用于实际样本中循环miRNA的检测。
武汉大学 2021-02-01
一种基于叶酸修饰的混合光子晶体复合材料及应用
本发明公开了一种基于叶酸修饰的混合光子晶体复合材料及应用,包括载体混合光子晶体以及负载在该载体上的叶酸;其中,所述混合光子晶体包括聚乙二醇双丙烯酸酯反蛋白石骨架及填充于该骨架孔隙中的甲基丙烯酸酯明胶和磁性纳米粒子;其应用于髓性白血病耐药细胞的检测。本发明的显著优点为该复合材料不仅具有纳米的有序结构、比表面积大,且机械强度高、稳定性强,同时还具有优越的生物兼容性和磁性响应性,易于操控;将其应用于耐药细胞的检测,能够特异、灵敏、简单、有效地抓捕到髓性白血病耐药细胞,并保持要细胞株具有良好的生物活性,抓捕后只需施加磁场即可有效地对其进行富集、分离。
东南大学 2021-04-11
在拓扑外尔半金属晶体中观测到非平庸的超导特性
通过电输运、扫描隧道谱、比热、抗磁性等系统的实验研究并结合第一性原理计算,在掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中发现了非平庸超导态的特征。实验中所使用的硫掺杂的高质量二碲化钼晶体是通过化学气相输运的方法合成的,掺杂比例约为0.2。 首先通过准粒子干涉实验与第一性原理计算相结合,在样品表面探测到了费米弧拓扑表面态的存在。最后通过扫描隧道谱学和比热的测量对比,发现样品表面态的超导能隙远大于体态的超导能隙,而且该样品表面态的能隙与临界温度的比值(Δ/kBTc)约为8.6,远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值(约为1.76),表明了表面态具有非常规超导库珀对配对机制,极可能是拓扑超导的普适特征。然后通过电输运测量和比热测量,发现这种材料为s波超导体,且它的超导能隙的带间耦合很强,超导对称性应为s+- 对称性。这可能是继铁基高温超导之后,又一种新的s+-超导体。而且根据理论预言,拓扑外尔半金属中s+-对称性的超导态会形成拓扑超导态。掺硫的第二类拓扑外尔半金属二碲化钼单晶中拓扑超导特征的发现,证实了外尔半金属中实现拓扑超导的可行性,推动了拓扑超导相关领域的进一步发展,也为拓扑量子计算机的最终实现奠定了前期的科研基础。图一. 电磁输运实验观测到的s+- 超导的证据,揭示拓扑超导的可能性。 (A) 电磁输运实验的测量示意图。 (B) 超导转变温度附近的电阻率-温度关系。(C) 各个温度和磁场下的电阻率。(D) 超导上临界磁场和温度的关系。红色的线是两带超导模型的拟合曲线,拟合结果发现带间耦合比较大,表明该超导行为是s+- 超导。图二. 扫描隧道显微镜观发现表面态的超导能隙远超过体态的超导能隙,揭示出拓扑超导的可能性。(A) 4 K和0.4 K下样品表面的微分电导dI/dV谱。在0.4 K下,超导能隙是1.7 meV,远大于体态的超导能隙,且能隙与临界温度的比值约为约为8.6,远大于常规超导材料的能隙与临界温度的比值(1.76)。4 K时样品处于非超导态。(B) 0.4 K超导dI/dV谱和各向同性BCS超导谱的对比。(C) 0.4 K时,不同磁场下的超导dI/dV谱,超导能隙被外加磁场所抑制。
北京大学 2021-04-11
中红外激光增益介质双掺杂二价铬与钴离子Ⅱ-Ⅵ晶体
本发明涉及一种中红外激光增益介质双掺杂二价铬与钴离子Ⅱ--Ⅵ晶体制备方法,以及基于该晶体构建的激光输出实验装置,属于全固态激光介质领域。本发明激光增益介质双掺杂二价铬与钴离子Ⅱ--Ⅵ晶体制备方法是利用安瓿双端置掺杂物真空热扩散传输法或晶体双面镀掺杂物薄膜真空热扩散传输法制备得到,并利用二价铬与钴双掺杂离子重叠的吸收波长进行泵浦,同时实现两种离子受激激发,从而获得中红外宽谱可调谐激光输出。
四川大学 2017-12-28
一种结合光子晶体的分支滚环扩增检测miRNA的方法
项目成果/简介:本发明公开了一种结合光子晶体的分支滚环扩增检测miRNA的方法。该方法由四个部分组成:a.制备点状光子晶体;b.5’端磷酸化的锁式探针的两末端与靶标miRNA互补配对后利用T4RNA ligase 2连接成环;c.以成环的锁式探针作为模板,靶标miRNA作为引物,在phi29DNA聚合酶的作用下发生线性滚环扩增,通过加入二级引物,使线性滚环扩增沿着支链方向扩增,达到信号进一步放大;d.往
武汉大学 2021-01-12
一种自发成核过程可控式的DAST晶体生长装置
本技术属于溶液法晶体生长设备技术领域,涉及一种有机非线性光学晶体的溶液降温生长方法,特别是一种方形四棱锥底式DAST晶体自发成核生长装置,通过生长装置和底部载晶斜板的特殊设计,大幅增加可用来生长晶体的载晶斜板有效面积,提高DAST晶体生产效率,同时可消除载晶斜板外的自发成核晶体生长,有效提高晶体生长的稳定性,进而大幅改善斜板式自发成核法生长DAST晶体的质量。本发明与现有技术相比,其选用的生长装置结构简单,成本低,组装简便,操作方便,可大幅增加晶体生长缸中用以生长晶体的有效面积,提高DAST晶体生产效率;同时有效控制聚四氟乙烯四棱锥外的自发成核晶体生长,提高晶体生长的稳定性,进而大幅改善自发成核法生长DAST晶体的质量,有效解决了传统斜板式自发成核法中,在斜板之外其它位置容易出现无效的自发成核杂晶生长问题,提高晶体生长的稳定性和生长效率。可望应用于有机晶体的自发成核生长。
青岛大学 2021-04-13
一种柔性电子器件薄膜晶体管的制备方法
本发明提供一种柔性电子器件薄膜晶体管的制备方法,包括:(1)准备可弯曲和拉伸的基板;(2)拉伸所述基板,并在拉伸后的橡胶基板表面涂覆粘合剂;(3)在所述基板上沉积栅极;(4)在经步骤(3)处理后的器件上沉积有机介电层单元;(5)在所述有机介电层单元上分别沉积源极单元层和漏极单元层;(6)基板松弛,释放作用在基板上的载荷,并进行热处理,以消除界面应力和器件的压应力;(7)沉积有机半导体层单元。本方法通过一种机械拉伸基板的方法减小器件的沟道宽度,有效提高了制造精度,提升了柔性电子器件的分辨率。
华中科技大学 2021-01-12
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