本发明公开了一种成分连续渐变的半导体合金薄膜及其制备方法和应用，其中该薄膜的特征有：薄膜为三元硫硒化合物合金，硒成分在 X 轴方向能够连续渐变，在 Y 轴方向和 Z 轴方向基本不变；该成分连续渐变的半导体合金薄膜作为良好的光吸收层被用于薄膜太阳能·831·电池阵列和光电探测器。其制备方法包括：(1)选取沉积衬底；(2)准备蒸发源；(3)制备半导体合金薄膜。本发明提出的方法能够在同一条件下沉积成分大范围连

本实用新型公开了一种采用全固态薄膜锂电池的背包内嵌储能装置无线充电系统，包括发射单元和 接收单元，发射单元包括第一 AC-DC 模块、DC-DC 模块、高频逆变模块、第一控制器、第一检测电路、 第二检测电路和发射机构；接收单元包括接收机构、第二 AC-DC 模块、第三检测电路、第二控制器和 储能单元，储能单元为全固态薄膜锂离子电池。本实用新型采用磁耦合谐振式无线电能传输技术实现储 能单元的无线充电，大大地简化了充电过程，可有效避免因遗忘而未对背

本发明公开了一种制备高温超导涂层导体La0.7Sr0.3MnO3缓冲层薄膜的方法，属于高温超导材料制备技术领域。该方法制备的薄膜平整致密，织构良好，可以充分发挥La0.7Sr0.3MnO3作为导电型缓冲层薄膜具有的隔离、外延、电流传输的三重功效。本发明包括以下步骤：分析纯氧化镧(La2O3)按阳离子比La∶Sr∶Mn＝0.7∶0.3∶1的比例，溶解于乙酸中(乙酸与阳离子摩尔比为10∶1)。待完全溶解后，将溶液置于红外干燥箱中，待溶液被烘干成白色固体后取出。将乙酸锶和乙酸锰按照上述阳离子比La∶Sr∶Mn＝0.7∶0.3∶1的比例与制得的白色固体(即乙酸镧)混和溶解在丙酸中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB)，制成成膜性好的胶体；再将胶体涂覆在基片上，干燥后，放入烧结炉中烧结成相，即得镧锶锰氧La0.7Sr0.3MnO3高温超导涂层导体缓冲层。该方法成本不高，制作工艺简单，操作控制容易，不污染环境。

本发明公开了一种具备高热稳定性的柔性透明导电薄膜的制备 方法，包括：步骤一，在平整光滑的目标衬底表面，均匀涂覆呈一维 结构的导电金属纳米材料，并形成为导电网络结构；步骤二，在具有 导电网络结构的目标衬底表面上，刮涂形成含氟聚酰亚胺的前驱体涂 层；步骤三，通过梯度升温的方式来对含氟聚酰亚胺前驱体涂层执行 固化处理；步骤四，将完成上述固化后的含氟聚酰亚胺膜层从目标衬 底予以剥离，由此制得所需成品。本发明还公开了相应的柔性

本发明公开了一种用于制造片材与柔性薄膜复合叠层的热压设备，该设备包括：由上下两个热压头共同组成的热压装置,位于热压装置的外侧用于将片材提供给真空拾放装置的上料装置，用于从上料装置的片材料盒中取料并将片材输送至下热压头上的相应叠合位置的真空拾放装置，位于柔性薄膜的输送路径上用于将输送中的柔性薄膜撑起一定高度的撑膜装置，以及分别用于对柔性薄膜的输送位置和片材上料位置等信息进行检测和反馈的薄膜检测装置和上料检测装置。通过本发明，能够同时实现热压、上料、拾取和转移等多种功能，结构紧凑，便于控制和操作，并利用视觉定位技术和独立的热压装置支撑框架来进一步保证薄膜叠层的精度。

本发明公开了一种减振隔振带宽调控的复合道床及其制作方法，包括：三层结构，其中，第一层为普通混凝土层，强度C35?40MPa，厚度h1；第二层为轻质混凝土层，强度C35?40MPa，厚度h2；第三层为普通混凝土层，强度C35?40MPa，厚度h3；h1+h2+h3=30cm，在该总厚度范围内，通过增加第一层和第二层的厚度、减小第三层厚度，提高减振隔振的效果，制得的减振道床预制件减振效果在10?16dB。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本团队长期从事传统酿造食品的应用基础研究和产业实践，与国内的众多大型酿造企业，如镇江恒顺、泸州老窖、山西老陈醋、张家界大德酿造、安徽胡玉美等保持着长期的产学研合作。近十多年来，针对白酒、黄酒、酱油（酱）、泡菜等传统酿造食品，在系统研究酿造微生物功能的基础上，理性设计功能调控手段，达到传承工艺特色，稳定发酵生产，提升产品品质的目的。