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超声、微波辅助水热合成氧化锌基的纳米复合颗粒用于气敏传感器的应用
使用超声、微波辅助水热合成的方法制备出不同相貌的ZnO、Cr ZnO、CoO ZnO等纳米复合颗粒,通过复合和掺杂改性,分别构建p-n结和形成催化活性位点,提高气敏性能。
上海理工大学 2021-01-12
粘结型钐铁氮、钕铁氮、铁氧体永磁粉复合永磁材料及其制备方法
一种粘结型钐铁氮、钕铁氮和铁氧体永磁粉末的复合永磁材料,由重量百分数为83%~98.9%钐铁氮永磁粉、钕铁氮永磁粉和铁氧体永磁粉末的混合磁粉、1%~15%的高分子粘结剂及0.1-2%的助剂组成。混合磁粉的配方(按重量百分数计)为:钐铁氮永磁粉2%~96%,钕铁氮永磁粉2%~96%,铁氧体永磁粉2%~96%。复合永磁材料制备方法包括:模压成型、注射成型、挤出成型以及压延成型。该产品具有内禀性能优异,价格低廉,耐高温,抗腐蚀和氧化性能良好,特别是通过调整混合磁粉的配比,可实现性能与价格可调的特点。
四川大学 2021-04-11
一种铜@磁性金属@聚合物同轴三层纳米电缆及其制备方法
本发明涉及一种Cu@磁性金属@聚合物同轴三层纳米电缆,包括铜纳米线,包覆在所述铜纳米线外侧的磁性金属纳米管以及包覆在所述磁性金属纳米管外侧的聚合物纳米管,Cu@磁性金属@聚合物同轴三层纳米电缆的外径为100 300nm;所述磁性金属纳米管的内径为60 160nm,磁性金属纳米管的厚度为10 20nm。本发明的Cu@磁性金属@聚合物同轴三层纳米电缆具有较好的磁学性能,工艺简单,长度容易控制。通过新的制备技术组装了三层同轴纳米电缆阵列结构,具有较好的磁性能,可望用于高密度垂直磁记录介质领域。可以组装在微电子器件上。
青岛大学 2021-04-13
纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
研发阶段/n内容简介:纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管涉及一种新型功率半导体器件制造技术。结合微电子技术工艺,构造用纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管。它具有高速、耐苛刻环境、低导通电阻等一系列特点,广泛用于数字电子技术等领域。本产品获得一项专利,专利号:200510018701.9。
湖北工业大学 2021-01-12
42001金属矿物、金属及合金标本
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
钨酸锆薄膜的制备方法
钨酸锆薄膜的制备方法,它属于薄膜制备领域.本发明解决了现有钨酸锆薄膜制备方法存在的操作复杂,成本高的问题.本发明的方法如下:一,硝酸氧锆和溶剂混合得到A溶液;二,络合剂,溶剂和偏钨酸铵混合得到B溶液;三,将A和B混合,配制溶胶;四,通过旋涂制备湿膜,再将湿膜预烧;五,制备钨酸锆非晶薄膜;六,钨酸锆非晶薄膜晶化后即得钨酸锆薄膜.本发明的制备工艺简单,成本低,制备得到的薄膜表面平整致密,厚度均匀,晶粒大小均匀.
哈尔滨师范大学 2021-05-04
制备结晶氮化碳薄膜的装置
1.项目简介:本设计了一种制备结晶氮化碳薄膜的装置,设有脉冲电弧放电的机构及电路,该电路由高压和电弧产生电路组成;该机构包括基板和与之相连的电加热器,设有半密封箱体,基板、电加热器和电极位于半密封箱体腔内,基板位于电极的下方或四周,设有2条带有控制阀的管道,分别通氮气和溶液,其下端深入半密封箱体腔内,通溶液的管道下端出口处于电极的上方。该装置能高效率、高质量地制备出结晶氮化碳薄膜,能方便地将结晶氮化碳薄膜涂层制备到管径较小的管道内壁,从而有利于结晶氮化碳薄膜的推广应用。项目已获实用国家新型专利权。2.技术特点:该发明解决了氮化碳薄膜低温常压沉积的困难,而且提供了能高效率、高质量地制备结晶氮化碳薄膜的方法及装置。与其它方法相比,该发明的显著特点是:在常压下合成的产品主要为结晶氮化碳薄膜;沉积速率快,在大气环境下产生稠密的含碳、氮等离子体,从而提高了生产效率,利于推广结晶氮化碳薄膜的应用。
武汉工程大学 2021-04-11
钼酸盐功能薄膜及其制备方法
一种钼酸盐功能薄膜,以导电或不导电的、晶态或非晶态的材料为衬底,晶粒度范围10~500NM,厚度100~3000NM。制备钼酸盐功能薄膜的工艺步骤为:(1)配制含MO离子络合物的溶液,以钼酸铵或/和钼酸为溶质,以丙二醇或丙三醇或丙二醇、丙三醇与丙二醇甲醚、冰乙酸的混合液为溶剂;(2)配制含金属离子络合物的溶液,以碱金属及碱土金属的碳酸盐或/和过渡金属及稀有金属的硝酸盐为溶质,以丙二醇或丙三醇或丙二醇、丙三醇与丙二醇甲醚、冰乙酸的混合液为溶剂;(3)制备钼酸盐前驱物溶液,将上述含MO离子络合物溶液和含金属离子络合物溶液充分搅拌混合,然后至少静置40分钟;(4)采用旋涂技术成膜和干燥。
四川大学 2021-04-11
长循环硅基复合薄膜负极
随着微电子行业等微型化科技的快速发展,薄膜材料得到广泛应用。薄膜电池作为微型电源器件具有广阔发展空间。薄膜材料对于硅基负极而言,其短程储锂深度和单向膨胀的优势能够有效克服硅基材料的本征导电率低和体积膨胀大的问题。开发无需粘结剂的硅基负极薄膜材料对于薄膜负极发展意义深远。项目通过物理沉积方法,实现电极结构设计与导电型材料复合,改善硅基材料低导电率问题,优化硅基材料体积膨胀缓冲空间,从而完成无粘结剂硅基材料制备和倍率、循环等性能的提高。
厦门大学 2021-01-12
少层石墨双炔薄膜制备
以石墨烯为模板的少层石墨双炔薄膜的液相范德华外延生长法。以原子级平整的二维石墨烯为基底,采用极低的单体浓度(0.04 mM),在室温下进行偶联反应,通过溶液相范德华外延的方法,成功制备得到了大面积均匀连续的高质量、少层石墨双炔薄膜,高分辨透射电镜和光谱表征证实了其高质量单晶结构。该石墨双炔薄膜为ABC堆垛的三层结构,电子衍射显示石墨双炔/石墨烯薄膜具有两套单晶衍射点,分别对应于石墨双炔和石墨烯的单晶衍射图案,结果表明生长在石墨烯上的石墨双炔与下层石墨烯的晶格取向夹角为14°。
北京大学 2021-04-11
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