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一种用缓冷含钛高炉渣制备CaTiO3复合材料的方法
简介：本发明公开一种用含钛高炉缓冷渣制备CaTiO3复合材料的方法，属于无机材料制备技术领域。该方法包括如下步骤：以含钛高炉渣与一定的NaNO3混合于高温下进行热改性，使Si组分转入易溶于水的Na2SiO3物相中，经过热水洗涤除去，滤渣再经过5wt%的稀盐酸溶液酸解使Al2O3、Fe2O3和MgO等组分进入滤液，再通过过滤和水洗涤除去，最大限度保留含钛高炉缓冷渣中原有的钙钛矿型CaTiO3，所获得的产品CaTiO3含量达到87%。本发明所提供的制备方法工艺简单、成本低，具有显著的经济和社会效益。
安徽工业大学
2021-04-13
一种氧化石墨烯-TiO2 复合材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种 GO-TiO2 复合材料及其制备方法和在分离/富集重金属离子中的应用。本发明在GO 上原位合成了纳米 TiO2，对二者的比例进行了优化使氧化石墨烯和 TiO2 质量比为 1∶1~9，制备了兼有 GO 和 TiO2 优良性能的 GO-TiO2 复合材料，并成功用于分离/富集环境水样和底泥中的重金属和稀土元素。本发明
武汉大学
2021-04-14
一种铅炭复合材料、其制备方法及在铅炭电池中的应用
本发明公开了一种铅炭复合材料、其制备方法及应用。所述复合材料包括三维多孔结构的炭骨架和附着在炭骨架上的纳米氧化铅-金属铅颗粒，炭骨架和纳米氧化铅-金属铅颗粒的质量比例在1:10<sup>3</sup> 至 1:10 之 间 ； 炭 骨 架 的 比 表 面 积 在20m<sup>2</sup>/g 至 1000m<sup>2</sup>/g 之间；纳米氧化铅-金属铅颗粒中金属铅的摩尔比例小于或等于 50％。其制备方法以铅的有机配合
华中科技大学
2021-04-14
一种三维氮掺杂石墨烯复合材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种三维氮掺杂石墨烯复合材料及其制备方法和在电化学生物传感中的应用。本发明 借助三维氮掺杂石墨烯高比表面积、良好的生物相容性、高导电率的特性，构造三维氮掺杂石墨烯复合 材料，首先以泡沫材料为基底，在含惰性气体、氢气及碳源与氮源条件下，利用化学气相沉积方法（CVD 法），得到含基底的三维氮掺杂石墨烯；然后对三维氮掺杂石墨烯进行刻蚀、清洗处理得到三维氮掺杂 石墨烯复合材料。将三维氮掺杂石墨烯与酶/非酶材料进行复合，得到相应的三维氮掺杂石
武汉大学
2021-04-14
一种环氧树脂－二氧化硅空心管复合材料及制备方法
本发明公开了一种环氧树脂－二氧化硅空心管复合材料及其制 备方法。所述环氧树脂-二氧化硅空心管复合材料，包括二氧化硅空心 纳米管和环氧树脂，所述二氧化硅空心纳米管分散于环氧树脂中，其 添加量为环氧树脂的 0.1～10wt.％。其制备方法包括以下步骤：(1)采 用溶胶-凝胶法制备二氧化硅空心纳米管；(2)将步骤(1)制备的二氧化硅 空心纳米管分散于环氧树脂中，形成环氧树脂-二氧化硅空心管均匀分 散体系；(3
华中科技大学
2021-04-14
无卤高效磷系阻燃剂及其高阻燃透明环氧树脂复合材料制备技术
项目简介： 环氧树脂固化物具有较好的热稳定性、绝缘性、 粘结性、良好的力学性能、优良的成型工艺性能及较低的成本等优点，广泛应用于电子元器件的粘接、封装、印制线路板的 制造及航天等领域， 是目前最为
西华大学
2021-04-14
一维纳米复合金属氧化物气敏材料及其制备方法
本发明提供了一种一维纳米复合金属氧化物气敏材料及其制备方法。本发明将氯化锌溶液、氯化锡溶液混合后与氢氧化钠溶液进行水热反应，通过加入无水乙醇、表面活性剂和控制反应条件而制备一维纳米氧化锌氧化锡复合材料。该制备方法与现有的一维纳米金属氧化物材料的制备方法相比，具有成本低，操作简单，低能耗等优点。制备的纳米复合材料对甲烷、一氧化碳、二氧化氮等气体具有气体敏感度，是一种良好的气敏材料。
安徽建筑大学
2021-01-12
锑化铟（InSb）薄膜型霍尔元件
项目简介： 锑化铟薄膜型霍尔元件主要用于直流无刷电机，大量应用于电脑 的电源风扇，CPU 风扇，打印机，电动自行车等所用的微型直流无刷 马达。具有灵敏度高，使用寿命长，可靠性高，体积小，重量轻，功 耗小，频率高，耐震动，耐灰尘、油污、水汽和盐雾等各种污染或腐 蚀的优点。 项目特色： 制备温度低，能源消耗低，环境污染极小，易于大规模生产，制 造成本低，投资小的优点。
南开大学
2021-04-11
锑化铟（InSb）薄膜型霍尔元件
项目成果/简介:锑化铟薄膜型霍尔元件主要用于直流无刷电机，大量应用于电脑的电源风扇，CPU 风扇，打印机，电动自行车等所用的微型直流无刷马达。具有灵敏度高，使用寿命长，可靠性高，体积小，重量轻，功耗小，频率高，耐震动，耐灰尘、油污、水汽和盐雾等各种污染或腐蚀的优点。应用范围:目前只有日本旭化成和韩国三星可以生产薄膜型锑化铟霍尔元件芯片，国内无芯片生产技术。国内市场约 50 亿人民币，具有市场广，竞争少的优点。 南开大学开发的芯片制造技术，原材料成本便宜 30%左右，具有很强的市场竞争力和投资价值。效益分析:制备温度低，能源消耗低，环境污染极小，易于大规模生产，制造成本低，投资小的优点。
南开大学
2021-04-11
锑化铟（InSb）薄膜型霍尔元件
锑化铟薄膜型霍尔元件主要用于直流无刷电机，大量应用于电脑的电源风扇，CPU 风扇，打印机，电动自行车等所用的微型直流无刷马达。具有灵敏度高，使用寿命长，可靠性高，体积小，重量轻，功耗小，频率高，耐震动，耐灰尘、油污、水汽和盐雾等各种污染或腐蚀的优点。
南开大学
2021-02-01