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光纤连接器用氧化锆陶瓷套管的制备方法
本发明公开了一种光纤连接器用氧化锆陶瓷套管的制备方法:
(1)原料:采用含3mol%三氧化二钇的国产氧化锆粉料。
(2)造粒:采用喷雾造粒技术,对含有三氧化二钇的二次粒子平均粒径1.0～3.0μm的氧化锆粉体进行处理,达到比表面积12～35m2/g。
(3)成型:采用弹性模具震动装料法,装料后采用等静压成型,成型压力为60～200MPa。
(4)烧成:利用硅钼棒电炉烧成,烧成温度1380～1480℃,烧成周期48～50小时。
本发明提供一种能够保证壁厚仅为0.6mm氧化锆陶瓷套管毛坯的圆度、同心度以及粉体成型制成素坯时具有足够高的精度,采用廉价的国产氧化锆粉体为原料,制备符合光纤连接器技术要求的氧化锆陶瓷套管。
天津城建大学
2021-01-12
PZT-43 PZT-52 Φ36×Φ32×40压电陶瓷管
淄博宇海电子陶瓷有限公司
2021-08-30
一体成型碟形陶瓷台面（1.8米通风柜）
产品名称：一体成型碟形陶瓷台面（1.8米通风柜）
产品型号：TOOK D05适用范围：1.8 米通风柜釉面色泽：多色可选主要成分：由高岭土、蓝瓷土、长石等硅酸盐材料，表面釉料采用了进口原料，经1280℃长时间高温煅烧，陶克板由于材料属性不耐氢氟酸，可抵御（除氢氟酸等同类型化学试剂）任何强酸强碱及有机溶剂腐蚀，其耐高温、耐污染、抗辐射、抗细菌、抗釉裂等性能良好，是目前国内乃至全球实验室台面的最佳材质选择。
如何判断优质陶瓷台面釉面：表面平整度、抗釉裂性、耐腐蚀性能、表面耐划痕等级、有无瑕疵、色饱满度如何。烧制温度：是否达到1250℃的磁化烧制温度（低于此温度的板材无法瓷化，未瓷化的陶瓷板容易断裂 ,陶克板是1280℃烧制而成。）耐污染指标：是否符合国家检测标准。辐射限量指数：是否低于国家限量标准。
陶克基业（北京）科技有限公司
2022-04-18
一体成型碟形陶瓷台面（1.5米通风柜）
产品名称：1.5米通风柜（一体成型碟形陶瓷台面）
产品型号：TOOK D04
适用范围：1.5 米通风柜
釉面色泽：多色可选
主要成分：由高岭土、蓝瓷土、长石等硅酸盐材料，表面釉料采用了进口原料，经1280℃长时间高温煅烧，陶克板由于材料属性不耐氢氟酸，可抵御（除氢氟酸等同类型化学试剂）任何强酸强碱及有机溶剂腐蚀，其耐高温、耐污染、抗辐射、抗细菌、抗釉裂等性能良好，是目前国内乃至全球实验室台面的最佳材质选择。
如何判断优质陶瓷台面
釉面：表面平整度、抗釉裂性、耐腐蚀性能、表面耐划痕等级、有无瑕疵、色饱满度如何。
烧制温度：是否达到1250℃的磁化烧制温度（低于此温度的板材无法瓷化，未瓷化的陶瓷板容易断裂 ,陶克板是1280℃烧制而成。）
耐污染指标：是否符合国家检测标准。
辐射限量指数：是否低于国家限量标准。
陶克基业（北京）科技有限公司
2022-04-18
环氧树脂纳米复合材料用多功能碳纳米管的制备方法
本发明所涉及的环氧树脂纳米复合材料用多功能碳纳米管，适用于所有高性能复合 材料领域。由于本发明所涉及的碳纳米管具有增强、分散、界面粘结、固化等多种功能， 由其制得的碳纳米管／环氧树脂复合材料具有碳纳米管本身的高强度、高模量、良好的 韧性、低密度、导电等优点，可广泛应用于各种先进材料领域，市场前景十分可观。该 多功能碳纳米管是固态材料，储存和运输十分方便；并且本身具有了良好的分散性和界 面粘结性能，操作工艺简单，相对降低了生产成本。因而，本发明为高性能纳米复合材 料的工业化生产提供了新的途径
同济大学
2021-04-11
以聚丙烯腈微纳米球制备多壁碳纳米管
碳纳米管作为一种一维有序的纳米碳质结构和功能材料，具有比强度高、导热系数高、电导率高、表面活性高和耐化学腐蚀等特点，可在吸附、储能、储气、纳米器件、催化剂载体、高性能结构和功能复合材料等方面具有潜在的和广泛的应用前景。多壁碳纳米管作为复合材料添加剂，可以有效改善复合材料的强度等性能，其制备成本又远低于单壁碳纳米管，可望得到更为广泛的应用，这种广泛程度取决于对其在规模化、低成本、高纯度制备技术上的进一步突破。 本技术是一种以聚丙烯腈微纳米球制备高纯度多壁碳纳米管的方法，其目的在于克服现有技术如电弧放电法和激光蒸发法的下列弊端；制备过程所需能量高，成本居高不下；化学气相沉积法需要添加金属催化剂，制备的碳纳米管纯度不高，含有无定型碳和催化剂颗粒；聚合物纺丝法得到的碳纳米管纯度和收率低。采用本技术制备碳纳米管，具有不需金属催化剂、纯度高、无需纯化、分散性好和可大规模生产的特点，显著优于从核壳结构高分子微纳米球胶囊出发纺丝制备碳纳米管的方法。 技术指标：多壁碳纳米管直径为15～100纳米且可控，管壁20～40层且可控，长径比大于100且可控，纯度大于 99％。
上海理工大学
2021-04-11
纳米石墨烯-碳纳米管-离子液体复合膜及其制备与应用
本发明公开了一种纳米石墨烯-碳纳米管-离子液体复合膜及其制 备与应用，该纳米石墨烯-碳纳米管-离子液体复合膜的厚度为 4000nm 至 6000nm，该纳米石墨烯-碳纳米管-离子液体复合膜由多个石墨烯片 层相互叠加形成，相邻的两个所述石墨烯片层之间的间距为 20nm～ 50nm；相邻的两个所述石墨烯片层之间均分散有碳纳米管和离子液 体。本发明所述的复合膜比表面积高，并且该复合膜具有良好的电化 学活性，可广泛应用于纳米
华中科技大学
2021-01-12
有层次结构的纳米立方体和纳米铁花状结构的制备方法
一种有层次结构的纳米铁立方体和纳米铁花状结构的制备方法，具体作法是：取不锈钢片和钛片、不锈钢片和钛片的面积比为2.5∶1，依次用400，600，800目砂纸抛光，清洗3-5次；超声30分钟，取出备用；配置含450g/L的FeCl2，抗环血酸1.4g/L，氟化铵0.8g/L，复合氨基酸0.7g/L，柠檬酸0.086g/L，0.05mol/L盐酸的电镀液；以处理后的钛片做阴极，不锈钢片做阳极，进行0.1A的恒电流电镀，电镀时间为3-60s；电镀完后取出钛片，即获得纳米铁立方体或纳米铁花状结构。该方法制得的纳米铁为立方体及花状结构，比表面积大，活性好，且设备简单，能耗低，适合大规模生产。
西南交通大学
2016-10-20
锡纳米晶为模板合成具有带隙可调的锡锗合金纳米材料
通过精细调控Ge2+离子前驱体溶液与已制备的锡纳米颗粒反应，合成带隙可调的半导体锡锗合金纳米晶（0.51 eV至0.71 eV）。使用的锡纳米晶模板可以大大降低反应的成核、结晶和生长的反应能垒。与以前报道的反应温度（约300 ℃）相比，课题组的方法可以在较低的温度下（60-180 ℃）得到锡锗合金纳米晶。课题组深入阐明了从锡到锡锗合金纳米晶的相变机理，清晰揭示了从不均匀核壳结构到均匀合金结构的演变过程。
南方科技大学
2021-04-13
一种基于纳米位移计量传感器的纳米微位移检测仪
本发明提出一种光学倍频的纳米位移计量传感器，包括激光器、偏振分光棱镜、1/4 玻片、角锥棱镜、平面反射镜、偏振片、光电探测 器和底座。本发明的传感器采用光学倍频技术，直接在光学结构上将 光程差进行 8 细分，同时采用偏振分光棱镜和 1/4 玻片组合减少了光 能损失，保证了干涉条纹的强度，具有结构简单，精度高，测量范围 大，抗干扰能力强等特点，并且相比于单路光束系统在某种程度上可 减小非直线运动所造成的误差。
华中科技大学
2021-04-14