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一种二维纳米 SnSe2 晶体材料的制备方法
本发明公开了一种二维纳米 SnSe2 晶体材料的制备方法,采用 化学气相沉积法用单质硒和卤化锡在衬底上沉积所需厚度的 SnSe2 晶 体;其中,沉积设备为水平管式炉,顺序设有上游低温区、中心温区 以及下游低温区,所述单质硒和卤化锡分别独立但紧靠放置于上游低 温区,所述衬底放置于下游低温区;利用不同温区的温度差,单质硒 蒸汽和卤化锡蒸汽形成于上游低温区;两者反应生成 SnSe2,并通过 沉积载气带入下游温区,在衬底上沉
华中科技大学 2021-04-14
高纯α相纳米氧化铝
产品特点   高纯纳米氧化铝通过等离子体气相燃烧法制备,纯度高、粒径小、分布均匀,比表面积大、表面干净,无残余杂质,松装密度低,易于分散,晶相稳定、硬度高、尺寸稳定性好,应用于各种塑料、橡胶、陶瓷产品的补强增韧,提高陶瓷的致密性、光洁度、冷热疲劳性、断裂韧性、抗蠕变性能和高分子材料产品的耐磨性能尤为**。由于纳米三氧化二铝也是性能优异的远红外发射材料,作为远红外发射和保温材料被应用于化纤产品和高压钠灯中。此外,α相氧化铝电阻率高,具有良好的绝缘性能,可应用于YGA激光晶的主要配件和集成电路基板中。   产品参数 产品名称 型号 平均粒度(nm) 纯度(%) 比表面积(m2/g) 松装密度(g/cm3) 晶型 颜色 纳米氧化铝 ZH-Al2O330N 30 99.9 63.67 0.12 α相 白色 纳米氧化铝 ZH-Al2O350N 50 99.9 55.46 0.19 α相 白色 纳米氧化铝 ZH-Al2O3100N 100 99.99 35.19 0.33 α相 白色 纳米氧化铝 ZH-Al2O3200N 200 99.99 23.18 0.56 α相 白色 加工定制 为客户提供定制颗粒大小和表面改性处理   产品应用   1、红宝石、蓝宝石的主成份皆为氧化铝,用高纯的纳米氧化铝粉做出来的产品,杂质少,色泽更亮,更均匀;   2、铝与空气中的氧气反应,生成一层致密的氧化铝薄膜覆盖在暴露于空气中铝表面;   3、铝为电和热的良导体。氧化铝的晶体形态因为硬度高,适合用作研磨材料及切割工具;   4、高纯纳米氧化铝粉末常用作色层分析的媒介物;   5、**度氧化铝陶瓷、C基板、封装材料、高纯坩埚、绕线轴、轰击靶、炉管;抛光材料、玻璃制品、金属制品、半导体材料、塑料、磁带、打磨带;涂料、橡胶、塑料耐磨增强材料、耐水材料;气相沉积材料、荧光材料、特种玻璃、复合材料和树脂材料;催化剂、催化载体、分析试剂;   6、高纯纳米氧化铝粉应用于照明:长余辉荧光粉原料及稀土三基色荧光粉原料,高压钠灯透光管,LED灯等。   产品表征   包装储存   本品为镀铝箔袋热封包装,密封保存于干燥、阴凉的环境中,不宜暴露空气中,防受潮发生氧化团聚,影响分散性能和使用效果;包装数量可以根据客户要求提供,分装。   技术咨询与索样   联系人:王经理(Mr.Wang)   电话:18133608898  微信:18133608898 QQ:3355407318 邮箱:sales@hfzhnano.com  
安徽中航纳米技术发展有限公司 2025-11-28
高纯纳米四氧化三钴
 产品特点   高纯纳米四氧化三钴通过等离子体气相燃烧法制备,纯度高、粒径小、分布均匀,比表面积大、表面干净,无残余杂质,松装密度低,易于分散。   产品参数 产品名称 型号 平均粒度(nm) 纯度(%) 比表面积(m2/g) 松装密度(g/cm3) 形貌 颜色 纳米氧化钴 ZH-Co3O450N 50 99.9 31.43 0.36 近球形 黑色 纳米氧化钴 ZH-Co3O4100N 100 99.9 25.79 0.45 近球形 黑色 纳米氧化钴 ZH-Co3O4500N 500 99.9 11.30 0.87 近球形 黑色 加工定制 为客户提供定制颗粒大小和表面改性处理   产品应用   1、高纯纳米四氧化三钴应用于催化剂上面:利用四氧化三钴纳米棒作催化剂,可将汽车尾气中的CO在低温下转化为CO2;   2、可用作颜料、釉料、氧化催化剂、分析试剂,也用于从镍中分离钴等;   3、高纯纳米四氧化三钴具有尖晶石晶体结构,是一种重要的磁性材料、P—型半导体,在异相催化、锂离子充电电池的材料、固态传感器、电致变色器件、太阳能吸收材料和颜料等方便的应用;   4、适用范围:压敏电阻、热敏电阻、氧化锌避雷器、显象管玻壳、锂离子电池等行业;   5、用作锂电子材料,用于氧化钴及钴盐的制备,用作高纯分析试剂、氧化钴及钴盐的制备,用作锂电子材料、氧化钴及钴盐的制备,用于电池材料、磁性材料、热敏电阻等; 也可用作催化剂机制作珐琅等。   包装储存   本品为充惰气塑料袋包装,密封保存于干燥、阴凉的环境中,不宜暴露空气中,防受潮发生氧化团聚,影响分散性能和使用效果;包装数量可以根据客户要求提供,分装。   技术咨询与索样   联系人:王经理(Mr.Wang)   电话:18133608898 0551-65110318 微信:18133608898 QQ:3355407318 邮箱:sales@hfzhnano.com  
安徽中航纳米技术发展有限公司 2025-11-28
梅特勒FE30台式电导率仪
产品详细介绍产品特点:• 可一键完成校准、测量以及测量模式的切换,简化操作; • 一点校准(内置零点),仪器预置三种标准液、两个参比温度(20℃和25℃); • 能测量两种指标:电导率、TDS; • 自动/手动两种终点方式,对于不同样品可选择最佳的终点方式; • 自动和手动两种温度补偿方式; Five 系列台式电导率仪是Delta326的升级版技术参数:电导率测量范围0.00μS/cm – 199.9mS/cm分辨率0.01μS/cm – 0.1mS/cm自动可变精度±0.5%量程TDS测量范围0.00mg/L – 199.9g/L分辨率0.01 mg/L – 0.1 g/L自动可变精度±0.5%量程温度测量范围(℃)0 - 100温度补偿自动/手动终点判定自动/手动电导校准点1点(内置零点)
武汉宏锦 2021-08-23
一种六方相WO3纳米管及其制备方法
本发明公开了一种六方相WO3纳米管及其制备方法。称取3mmoL二水合钨酸钠(Na2WO4·2H2O)到50毫升的烧杯中;加入适量草酸胺((NH4)2C2O4)和20毫升蒸馏水,磁力搅拌10-15分钟;再加入10毫升浓度8mol/L的盐酸,继续搅拌30-50分钟;将反应混合液转移至40毫升带有聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中,设置一定的温度,反应20-30小时;自然冷却至室温,即得本发明的六方相WO3纳米管。六方相WO3纳米管产量高,尺寸细小,分布均匀。管外径为8~12nm之间,管壁厚度为2~4nm之间
安徽建筑大学 2021-01-12
一种六方亚稳相MoO3纳米管槽及其制备方法
本发明公开了一种六方亚稳相MoO3纳米管槽及其制备方法。称取1mmoL钼酸胺(NH4)6Mo7O24·4H2O和1mmoL柠檬酸C6H8O7·H2O到50毫升的烧杯中;加入适量碳酸钠Na2CO3和10毫升蒸馏水,磁力搅拌5-10分钟;再加入20毫升浓度5%的稀盐酸,继续搅拌40-60分钟;将反应混合液转移至40毫升带有聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中,设置一定的温度,反应14-20小时;自然冷却至室温,即得本发明的六方亚稳相MoO3纳米管槽。六方亚稳相MoO3纳米管槽产量高,管径为20~50nm,长度
安徽建筑大学 2021-01-12
Bi2Te3薄片/石墨烯复合材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种Bi2Te3薄片/石墨烯复合材料,由微米级Bi2Te3薄片和石墨烯组成。由于石墨烯的分散、承载及隔离作用,可有效阻止微米Bi2Te3薄片在热处理过程中的烧结,以保持晶界对声子的有效散射,对提高Bi2Te3材料的热电性能具有重大意义。该复合材料可作为热电材料。本发明还公开了该复合材料的一步水热法或一步溶剂热法的制备方法,具有工艺简单、成本低、周期短、能耗低等优点。
浙江大学 2021-04-11
3-甲基喹噁啉-2-羧酸残留检测方法及试剂盒研究
研发阶段/n本成果在国内率先合成了喹乙醇残留标示物3一甲基-2喹噁啉一羧酸(MQCA),研究制成标准对照品,建立起MQCA在动物可食性组织中残留检测的高效液相色谱分析方法(HPLC)并提交国家标准。通过合成MQCA的人工抗原,制备出高效价、特异的抗体,建立起猪可食组织中MQCA残留酶联免疫吸附分析法(ELISA)。研制开发出MQCA残留ELISA检测试剂盒。通过HPLC法进行比对、动物残留试验、经有资质检测机构和研究单位的复核与应用等考核,该试剂盒的灵敏度、准确度、重现性、稳定性均达到国际残留分析的
华中农业大学 2021-01-12
“FeTe上外延生长单层Bi2Te3产生的超导电性
拓扑界面超导作为一种二维体系,不仅可以为研究非常规超导体提供很好的平台,还可以为探测马约拉纳费米子提供研究思路,因此具有很高的研究价值,近些年受到广泛的关注。Bi3Te3/FeTe异质结就是一个典型的拓扑界面超导体系,其中FeTe是一种铁硫族化合物(即一种超导母体,但块体并不超导),Bi2Te3则是一种典型的拓扑绝缘体,两者都属于二维材料,且层与层间由范德华力连接。有研究证明,此界面结构的超导电性会随着Bi2Te3厚度增加而逐渐加强,并在5层Bi2
南方科技大学 2021-04-14
一种 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制备方法
一种 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制备方法,属于半导体材料 与器件制备领域,解决现有 Sb2Se3 和 Sb2S3 薄膜禁带宽度和能带位置 固定的问题,以实现禁带宽度和能带位置的连续可调,得到禁带宽度 和能带位置更加合适的无机半导体材料。本发明的 Sb2(Sex,S1-x)3 合 金薄膜,由 Sb2(Sey,S1-y)3 合金粉末作为蒸发源或者 Sb2Se3 粉末和 Sb2S3 粉末作为蒸发源,通过近空间升华法在衬底
华中科技大学 2021-04-14
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