王强课题组揭示母源肥胖诱发胚胎缺陷的分子机制

近日，我室王强课题组与军科院放射医学研究所舒文杰合作在Nature Genetics杂志上发表了题为“Embryonic defects induced by maternal obesity in mice derive from Stella insufficiency in oocytes”的研究论文，发现了卵母细胞中Stella蛋白在介导母源肥胖对胚胎表型影响过程中的分子途径。 肥胖是全球重要的健康问题。人群中女性肥胖与早期妊娠失败以及出生缺陷等密切相关，但母亲肥胖是如何影响胚胎发育和子代健康的分子机制尚缺乏足够的认识。课题组首先利用高脂饲养（HFD）的雌性肥胖小鼠模型，证实母源肥胖导致了胚胎发育迟缓与阻滞；并通过组学比较分析了正常和肥胖小鼠卵母细胞中蛋白表达差异，发现HFD小鼠卵子中Stella蛋白含量显著减少。在此基础上，进一步揭示了HFD合子表观不对称性的建立出现了异常，表现为母源5mC水平下降及DNA损伤增加。在HFD小鼠卵母细胞中过表达Stella不仅能够部分阻断受精卵中的DNA甲基化异常，而且还改善了母源肥胖相关的胚胎发育缺陷。本研究对于揭示母源营养影响早期胚胎及后代发育的分子机制提供了新的基础理论，具有重要的科学意义和潜在的应用价值。 南京医科大学生殖医学国家重点实验室博士生韩龙森和李玲，以及军科院博士生任超为共同第一作者。本研究工作得到了南京医科大学沙家豪教授和郭雪江教授的大力支持。该课题得到了国家973计划、国家重点研发项目以及国家自然科学基金项目的资助。

南京医科大学 2021-05-08

一维原子链缺陷两端零能束缚态的发现

在二维铁基高温超导体中的一维原子缺陷链两端发现马约拉纳零能模，为实现较高温度下、无外加磁场的拓扑零能激发态提供了一种可行性平台。王健研究组通过分子束外延（MBE）技术在钛酸锶衬底上成功制备出大尺度、高质量的单层FeTe0.5Se0.5高温超导薄膜，其超导转变温度T_c≈62 K，远高于块材Fe(Te,Se) (T_c≈14.5 K)。利用原位低温（4.2 K）扫描隧道显微镜（STM）和扫描隧道谱（STS）技术，研究组在薄膜表面发现了一种由最上层Te/Se原子缺失形成的一维原子链缺陷。在这种一维原子链缺陷两端，同时观测到了零能束缚态（图1），而在一维原子链缺陷的非端点处，依然是超导带隙的谱形。随着温度升高，零能束缚态的峰高逐渐降低，最终在远低于T_c时消失（约20 K）。随着针尖逐渐逼近薄膜表面，即隧穿势垒电导变大，零能束缚态峰迅速升高且没有发生劈裂，展现出良好的抗干扰性。此外，研究组发现在较短的一维原子链缺陷两端的零能束缚态发生了一定程度的耦合（图2），其峰高随缺陷长度的依赖关系在统计中展现出正相关关系。这些零能束缚态的谱学特性，如峰值高度与半高宽随温度的演化，消失的温度，针尖逼近隧穿谱与难劈裂的特性等，都与马约拉纳零能模的解释相符合，可以基本上排除Kondo效应、杂质缺陷束缚态或有节点的高温超导体中Andreev零能束缚态等其它可能性。波士顿学院的汪自强教授团队基于肖克利缺陷态的能带理论在超导体中的表现提出了可能的理论解释。在强自旋轨道耦合作用下，单层FeTe0.5Se0.5薄膜表面的一维原子链缺陷可以是衍生一维拓扑超导体，其端点处会产生受时间反演对称性保护的一对马约拉纳零能模。时间反演对称性破缺下也可产生一维原子链缺陷拓扑超导体，其两个端点各产生一个马约拉纳零能模。这一工作首次揭示了二维高温超导体FeTe0.5Se0.5单层薄膜中的一类拓扑线缺陷端点处的零能激发，具备单一材料、较高工作温度和零外加磁场等优势，为进一步实现可应用的拓扑量子比特提供了一种可能的方案。

北京大学 2021-04-11

一种刻蚀缺陷地结构的圆极化微带天线阵

本发明涉及天线设计技术领域，公开了一种刻蚀缺陷地结构的圆极化微带天线阵，它包括：天线贴片，介质基板、反射板、同轴馈线、天线馈线、紧固塑料螺钉、功分介质板和功分电路；反射板上刻蚀缺陷地结构单元，缺陷地结构单元为矩形细缝和在其外侧的三个圆环；紧固塑料螺钉穿过介质基板，反射板和功分介质板上的非金属化过孔将其紧固为一体，解决了阵元之间的互耦会严重影响圆极化天线的驻波特性与方向图特性的技术问题。

东南大学 2021-04-13

一种装配式剪力墙坐浆层缺陷检测装置

本实用新型公开了一种装配式剪力墙坐浆层缺陷检测装置，包括计算机、小锤和下部结构，计算机的端口通过数据线固定连接有信号放大器，信号放大器的输入端通过数据线固定连接有传感器，下部结构的顶部固定连接有坐浆层，坐浆层的顶部固定连接有预留孔墙体，小锤、传感器与坐浆层的距离为3cm，小锤与传感器的距离为3cm-5cm，传感器的一侧与预留孔墙体的表面接触，小锤与传感器在同一水平面上，计算机读取信号数据并进行波谱分析及比较，得出该坐浆层的密实程度，本实用新型涉及土木工程检测领域。该种装配式剪力墙坐浆层缺陷检测装置，

安徽建筑大学 2021-01-12

一种 RFID 天线毛刺和污点缺陷的视觉检测系统及方法

本发明公开了一种用于对 RFID 天线毛刺和污点缺陷执行视觉检测的方法，包括：对摄像装置执行标定之后，通过其与条形或背光光源的配合，对待检测的各个 RFID 天线拍摄图像；采集所拍摄的天线图像并将其与天线模板图像相匹配以获得预对齐信息；根据天线模板图像上的 ROI 区域并结合预对齐信息，从天线图像中扣取对应的毛刺和污点检测区域；对所抠取检测区域和 ROI 区域分别执行二值化处理，然后执行图像相减处理；对相减处理后的残余图像执行 blob 分析，由此判定毛刺和污点缺陷结果。本发明还公开了相应的视觉检测

华中科技大学 2021-04-14

一种基于多重漏磁检测信号特征值的缺陷评价方法

本发明公开了一种基于多重漏磁检测信号特征值的缺陷评价方 法，包括以下步骤:1)将样件磁化，用探头分别在样件的盲孔和所有 矩形槽上方进行扫查，得到信号曲线计算获得各个 MFL 信号特征值; 2)在数据处理装置中得到 MFL 信号特征值分别与偏离值、提离值的线性方程;3)在数据处理装置中得到 MFL 信号特征值与矩形槽上同一方 向尺寸的线性方程;4)用探头对待测铁磁件进行检测，扫查得到 MFL漏磁信号特征值，根据步骤&nbs

华中科技大学 2021-04-14

一种表面氧缺陷多孔金属氧化物材料及其制备和应用

本发明公开了一种表面氧缺陷多孔金属氧化物材料及其制备和应用。所述表面氧缺陷多孔金属氧化物材料的制备方法包括以下步骤：1)将金属盐溶解于有机溶剂中，形成透明溶液、2)将步骤1)中的透明溶液与软膜板剂混合，得到二者充分均匀分散的分散液，充分混合形成金属盐凝胶、3)将步骤2)中得到的金属盐凝胶制备成干凝胶、4)将步骤3)中得到的干凝胶高温煅烧，所得灰分即为表面氧缺陷多孔金属氧化物、本方法能够同步合成出表面氧缺陷多孔金属氧化物材料。制备方法相对简单，在形成多孔结构的同时增加了材料表面的氧空穴浓度，改变了材料的电子结构，可应用于吸附、光电催化及电池领域。

清华大学 2021-04-10

层状二维材料的晶体和缺陷结构精准调控研究提供了新思路

通过溶剂热方法，成功制备出一种层间距宽化并富有缺陷的1T-VS 2 纳米片，展现出优异的电催化析氢性能。由于有机溶剂分子以及在反应过程中产生的铵离子等的插层作用，该溶剂热法制备出的VS 2 纳米片层间距宽化至1.0 nm，比块体VS 2 材料的层间距（0.575 nm）增加了74%。层间距的宽化引起晶格的畸变而引入众多的缺陷，丰富的缺陷赋予VS 2 纳米片更多的活性位点，层间距的宽化还进一步改变了VS 2 材料的电子结构，从而使得该VS 2 纳米片具有更加优化的氢吸附自由能（∆ G H ）。HER测试结果表明，该VS 2 纳米片呈现出优异的电催化性能，具有较小的塔菲尔斜率（36 mV dec −1 ）、具有较低的过电位（-43 mV@10 mA cm −2 ）和良好的稳定性（60 h）。此外，通过第一性原理计算的结果表明，层间距宽化的VS 2 具有更优化的∆ G H （-0.044 eV），媲美贵金属Pt(如图3 ). 。并且，层间距的宽化可以降低缺陷形成能，使材料更易形成缺陷。这里，理论计算结果和实验相一致，较好地证明了通过层间距和缺陷的精细调控，可以有效提升二维材料的电催化析氢反应活性, 揭示了层间距和缺陷结构调控对提升电催化析氢的基本原理。此项研究工作为层状二维材料的晶体和缺陷结构精准调控研究提供了新思路，为开发高性能电催化析氢材料研究打开了一扇新窗户。

南方科技大学 2021-04-13

一种基于稀疏的微小缺陷高频超声显微成像超分辨的方法

本发明属于稀疏超分辨检测领域，并公开了一种基于稀疏的微 小缺陷高频超声显微成像超分辨的方法。该方法包括如下步骤:执行 过采样高频超声显微 C-扫成像;根据过采样时的采样步长与超声探头 分辨率，计算出探头点扩散函数 k;由点扩散函数根据进行稀疏超分 辨计算，获得最终高分辨图像。本发明方法实现了高频显微成像对现 微小缺陷进行超分辨显微成像，增强图像信噪比和分辨率，提高微小缺陷检测的准确性，同时对于微观缺陷的检测有着重要的意义，有效 地推动微器件可靠性的发展。

华中科技大学 2021-04-14

一种基于缺陷磁泄漏域反向场的漏磁检测方法与装置

本发明公开了一种基于磁真空泄漏原理的漏磁检测方法及其装置。该方法为①将待检测导磁构件磁化；②在上述被磁化的导磁构件外围，剔除已有背景磁场，形成磁真空区域；③采用磁敏元件布置于磁真空区域，拾取无磁压缩效应的缺陷漏磁场并转化为电压信号，如果电压信号中存在突变，则说明待检测导磁构件中存在缺陷，否则无缺陷。装置采用穿过式线圈对被检测导磁构件实施局部磁化，以便激发出该磁化区域内导磁构件上缺陷的漏磁场；在其内腔布置永磁体对，产生反向磁场与原背景磁场叠加抵消，形成磁真空区域以供缺陷的漏磁场泄漏扩散进来，同时消除由

华中科技大学 2021-04-14