高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
铁基、钴基、镍基非晶合金粉末的生产方法
该技术采用共沉积+剥离+破碎法制备非晶合金粉末,摆脱了水雾法对非晶成形能力的限制,适用于可以与铁、钴、镍一起共沉积元素合金体系非晶合金粉末的生产。该粉末适合用于磁性材料、催化剂等领域。 该成果已申请一系列(镍基、铁基、钴基的非晶电镀,非晶粉末,催化电极等)发明专利,已有部分取得授权。
长沙理工大学 2021-01-12
种立方体铂钌核壳纳米晶的制备方法及其产物
本发明涉及一种立方体铂钌核壳纳米晶的制备方法,包含以下步骤:1)将乙酰丙酮钌、含铂化合物和三正辛基氧膦溶解于油胺和N,N‑二甲基甲酰胺的混合溶液中;所述的含铂化合物为氯铂酸或氯铂酸钠;2)将步骤1)中得到的混合溶液在180~250℃下,搅拌反应30~600min;3)将步骤2)中得到的产物经分离,得到沉淀物,即为立方体铂钌核壳纳米晶。本发明还涉及上述方法制备得到的立方体铂钌核壳纳米晶。该制备方法通过一步法获得形貌尺寸均一的立方体铂钌核壳纳米晶,所得的产物尺寸适中、分散性好,且制备方法简单。
浙江大学 2021-04-13
一种新型韧性颗粒强化的铁基非晶基复合涂层
本发明提供一种新型韧性颗粒强化的铁基非晶基复合涂层,以 铁基非晶合金粉末和韧性金属粉末的机械复合粉末为原料,其中铁基 非晶合金粉末由下述元素和不可避免的杂质组成:Cr10.0-17.0; Mo12.0-20.0;B4.0-8.0;C10.0-18.0;Y0.0-5.0;Fe 余量(原子百分比); 韧性金属粉末可以采用:不锈钢粉末、镍基金属粉末、钴基金属粉末、 铝基金属粉末或铜基合金粉末;该涂层采用超音速火焰喷涂技术制得。 本发明获得的铁基非晶基复合涂层结构致密,孔隙率低,具有较高的 韧性以及与金属基材良好的结合强度。该复合涂层水力及油气田开发 设施、管道运输、船舶甲板等诸多工业领域有着极大的应用前景
华中科技大学 2021-04-13
一种锥形的非晶SiO2纳米线及其制备方法
本发明属于纳米材料领域,特别涉及一种锥形的非晶的SiO2纳米线及其制备方法。本发明提供的锥形SiO2纳米线如图1所示,形貌上纳米线根部直径300nm~600nm,高度2~4um,对于一根纳米线,随高度增加,直径逐渐减小,成圆锥形,圆锥角4~15°且可以通过调控原料的量使得纳米线直径,高度以及锥角发生变化。成分上Si和O,不含催化剂。所述方法的工艺步骤为:(1)生长基底及载物盘的清洗;(2)半封闭势井形气流装置的组合(3)锥形SiO2纳米线的生长。在通流动载流气体条件下将高温区管式炉升温至1250°,炉内压强保持在0.04~0.06Mpa,然后在上述温度和压强保温2~5h,保温时间届满后,所述生长基底上即生长出锥形SiO2纳米线;所述载流气体为H2和Ar组成的混合气体,H2的体积百分数为3~7%,Ar的体积百分数为93~97%。
四川大学 2016-10-21
一种同时制备石墨烯和多孔非晶碳薄膜的方法
本发明公开了一种同时制备石墨烯和多孔非晶碳薄膜的方法,包括 S1 对金属镍片衬底进行超声清洗,并烘干后放置于管式炉中;S2向管式炉中通入惰性气体;S3 对管式炉进行升温处理使其达到750℃~1000℃并保持 10 分钟~50 分钟,向管式炉中通入氢气,并对金属镍片衬底进行热处理;S4 向管式炉中通入流量为 20sccm~100sccm 的碳氢化合物,使得经过热处理后的金属镍片衬底催化碳氢化合物裂解以及镍片溶碳后同时生长石墨烯和非晶碳薄膜;S5 对管式炉进行降温处理,并将生长有石墨烯和非晶碳薄膜的镍片
华中科技大学 2021-04-14
一种自支撑类石墨多孔非晶碳薄膜的制备方法
本发明公开了一种自支撑类石墨多孔非晶碳薄膜的制备方法,包括下述步骤:S1:对金属镍片衬底进行超声清洗,并烘干后放置于管式炉中;S2:向所述管式炉中通入惰性气体;S3:对所述管式炉进行升温处理使其达到 600℃-720℃,向所述管式炉中通入氢气,并对所述金属镍片衬底进行热处理;S4:向所述管式炉中通入碳氢化合物,使得经过热处理后的金属镍片衬底催化碳氢化合物裂解后生长非晶碳薄膜;S5:对所述管式炉进行降温处理,并将生长有非晶碳薄膜的镍片浸泡在腐蚀液中腐蚀掉衬底镍片后获得自支撑类石墨多孔非晶碳薄膜。采用本
华中科技大学 2021-04-14
过度氧化诱发的非晶合金纳米管超弹性研究获进展
为剖析非晶合金纳米管超弹性的结构起源,该团队综合利用三维原子探针技术(3D-APT)、电子能量损失谱(EELS)、X射线光电子能谱(XPS)、导电原子力显微分析技术,解析了Zr基非晶合金纳米管及纳米片中氧的形态和分布。
中国科学院物理研究所 2024-01-08
动态应变仪|JM3844无线动态应变仪-扬州晶明专业生产
产品详细介绍1.概述扬州晶明科技有限公司(http://www.yzjmtest.com/comp/2-JM3844.htm)生产的JM3844无线动静态应变仪可以无线遥测4点应变,或4点电压,或接拾振器进行无线振动测量。本无线动静态应变仪基于低功耗设计,可用于长期监测。JM3844无线动静态应变仪稳定性好,抗干扰能力强,广泛应用于桥梁、建筑物、飞机、船舶、车辆、起重机械在线监测等无线应变测试场合。 JM3844无线动静态应变仪体积小,可以直接摆放在测点附近,减小了长导线带来干扰,使用稳定性和可靠性增加。另外本无线动静态应变仪不仅可以进行无线应变测试,也可以用来测量电压,或接拾振器测量振动。给无线应变、无线振动工程测试带来很大方便。2.系统特点2.1 体积小巧,超低功耗2.2 支持在线、离线测试2.3 符合IEEE820.15.4/ZIGBEE通讯标准2.4 自组织、自恢复多跳网络,支持多种网络拓扑结构2.5 内置2M可扩充数据存储器2.6 易用的离线测试文件管理功能2.7 全电子化、程控化设计2.8 直观的工作状态指示2.9 支持65535个测量节点2.10 内置大容量可充电锂电池2.11 内建完全的充电功能2.12 标准的miniUSB充电接口2.13 即用的USB无线网关2.14 专业的无线配置及采集分析软件3.系统组成3.1 USB无线网关3.2.JM3844无线动静态应变仪3.3.系统软件4.主要性能指标4.1 通道数:44.2 工作电源:内置可充电锂离子电池4.3 电池容量:3.7V/1800mAH4.4 电池充电充电接口:miniUSB充电电压:5V±0.25V充电电流:500mA、1000mA可设置充电电源:计算机USB电源或专用充电适配器4.5 可边充电边工作4.6 桥压:2.048V4.7 量程:±15000με,±30000με4.8 分辨率:1με4.9 桥路类型:全桥、半桥、1/4桥、电压输入4.10 桥路设置方式:每通道独立设置4.11 电压输入范围:0--±2V4.12 电压输入量程:±15mV、±30mV、±60mV、±120mV、±240mV、±2V可设置4.13 AD位数:24bits4.14 接口:快装卸端子排4.15 采样速率:最高1000Hz/CH,多档可设置4.16 采样方式:每通道独立ADC并行同步采集4.17 工作模式:在线或离线4.18 兼容静态、动态应变测试4.19 内置存储器容量:2MB4.20 离线测试数据存储形式:文件4.21 离线测试文件数:31max4.22 工作时间:连续工作约15h4.23 通讯协议:符合IEEE820.15.4/ZIGBEE通讯标准4.24 天线:外接扬州晶明科技有限公司扬州晶明测试技术有限公司地址: 江苏扬州市维扬路25号公司主页 http://www.yzjmtest.com公司邮箱 sale@yzjmtest.com电话     0514-87850416,87867922,82960507传真     0514-82960507联系人   唐先生手机     15952768463QQ       1225605447MSN      Dynamictestor@hotmail.com 个人邮箱 tcb@yzjmtest.com 或 yztcb@sohu.com 
扬州晶明科技有限公司 2021-08-23
振动测试系统|JM5840无线振动测试系统-扬州晶明专业生产
产品详细介绍1.概述JM5840无线振动测试仪(http://www.yzjmtest.com/comp/2-JM5840.htm)又称无线加速度传感器。该无线振动测试仪内置一个电容式三向加速度传感器,可以测量一个点三个方向的振动。多个模块可以组成无线振动测试网络。该无线振动测试仪基于zigbee协议,低功耗设计,适合于长期监测,广泛应用于桥梁、建筑物、飞机、船舶、车辆、起重机械等的振动测量和监测。2.系统特点2.1 体积小巧,超低功耗2.2 支持在线、离线测试2.3 符合IEEE820.15.4/ZIGBEE通讯标准2.4 自组织、自恢复网络2.5 内置2M可扩充数据存储器2.6 易用的离线测试文件管理功能2.7 全电子化、程控化设计2.8 直观的工作状态指示2.9 支持65535个测量节点2.10 内置大容量可充电锂电池2.11 内建完全的充电功能2.12 标准的miniUSB充电接口2.13 即用的USB无线网关2.14 专业的无线配置及采集分析软件3.系统组成3.1 USB无线网关3.2 JM5840无线加速度节点3.3 系统软件4.主要性能指标4.1 通道数:3(X、Y、Z三向)4.2 工作电源:内置可充电锂离子电池4.3 电池容量:3.7V/1800mAH4.4 电池充电充电接口:miniUSB充电电压:5V±0.25V充电电流:500mA、800mA可设置充电电源:计算机USB电源或专用充电适配器可边充电边工作4.5 传感器类型:内置三向加速度传感器4.6 量程:±2g、±6g可设置选择4.7 频率范围:DC~600Hzmax(-3dB)4.8 横向灵敏度比:<5%4.9 零点漂移:±0.8mgmax/°C4.10 非线性:±2%FSmax4.11 噪声谱密度:50 μg/Hz-24.12 采集速率:最高1.5kHz多档可设置4.13 AD位数:16bits4.14 采集方式:每通道独立ADC并行同步采集4.15 内置存储器容量:2MB4.16 离线测试数据存储形式:文件4.17 离线测试文件数:31max4.18 工作时间:约15h4.19 通讯协议:符合IEEE820.15.4/ZIGBEE通讯标准4.20 天线:外接扬州晶明科技有限公司扬州晶明测试技术有限公司地址: 江苏扬州市维扬路25号公司主页 http://www.yzjmtest.com公司邮箱 sale@yzjmtest.com电话     0514-87850416,87867922,82960507传真     0514-82960507联系人   唐先生手机     15952768463QQ       1225605447MSN      Dynamictestor@hotmail.com 个人邮箱 tcb@yzjmtest.com 或 yztcb@sohu.com 
扬州晶明科技有限公司 2021-08-23
半导体辅材用多晶硅中碳、氮杂质的分离去除技术
伴随着我国半导体行业的迅速崛起,硅电极作为光刻设备上承载硅基圆的重要辅材,其需求日趋增加。同时,基圆尺寸的不断增加使得硅电极逐渐由单晶硅电极转变为多晶硅电极,然而多晶硅制备过程中不可避免存在C、N杂质的污染,导致其基体中存在大量弥散分布的SiC、Si3N4硬质颗粒夹杂,严重影响了多晶硅电极的使用性能。 传统制备技术下,设备热场结构单一,熔体流动性差,导致SiC、Si3N4杂质循环溶解—析出,难以有效分离。本项目团队前期利用电子束精炼技术去除硅中的蒸发性杂质(P、 O、N);利用电子束诱导实现多晶硅的定向凝固,进而分离硅中的金属杂质;基于电子束冷床效应分离硅中的SiC、Si3N4硬质颗粒,并揭示硬质颗粒与硅基体间的位相关系;基于上述研究开发出了多晶硅电极的制备工艺,可应用于刻蚀等半导体制造等领域。 本项目预期可以为半导体行业中硅电极生产制造企业提供稳定的技术支持,具有很好的生产示范性,实现高新技术产业化。该技术能够有效地降低生产过程中的能耗,是一种低成本、环境友好的生产方法,属于节能、环保的绿色制造技术。该技术的大规模应用和推广,可大幅增加就业岗位,提高企业的市场竞争力,保护环境。
大连理工大学 2021-05-10
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 61 62 63
  • ...
  • 74 75 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    63届高博会于5月23日在长春举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1