本发明公开了一种交联聚乙烯中压电缆水树加速老化方法，包 括如下步骤：选取交联聚乙烯中压电缆，拆下金属屏蔽层；剥离电缆 两端的外半导体层，将剥离外半导体层后的电缆两端作为预留沿面， 剩余部分为电缆有效段；用针或钻头刺入电缆有效段的交联聚乙烯电 缆绝缘，制造缺陷，在电缆有效段的外半导体层上缠缚金属屏蔽层； 在金属屏蔽层上连接引出线；用套管包覆电缆有效段，套管两端分别 做阻水处理，套管内填充盐溶液，引出线伸出套管；将电缆线芯接地，引出线接高压电源，即可对电缆进行老化。该方法试验装置简单，电 缆样品易制，老

双斜盘阀配流轴向柱塞式水液压屏蔽泵，用海水或淡水作为工作介质，属于水液压泵类。本发明将水液压泵集成在屏蔽电机转子内部，结构紧凑，可以达到小型化和轻量化的目的，改善了作业机械的机动性。解决了传统的油压动力单元体积大，结构复杂，容易导致系统内油水混杂等问题。采用双斜盘结构以及与之相适应的各种配流方式来改善缸体受力状况；电机定子和转子均被屏蔽套保护，避免海水腐蚀定子铁心、绕组和转子铁芯。绕组浸泡在定子屏蔽套腔内的绝缘油中，改善绕组的散热条件。工作介质(海水或淡水)对电机结构和泵结构进行强制对流冷却。因此，

本实用新型公开了一种溢流式分体空调冷凝水热回收装置，包括冷凝水管、冷凝水溢流盘、冷凝水集水盘和排水管，冷凝水溢流盘卡扣在冷凝器上部，通过冷凝水管与空调室内机相连，接收夏季空调室内机产生的冷凝水，并将冷凝水均匀分布或形成三面水幕或形成密集水滴与冷凝器进行热交换；在冷凝器下部设有冷凝水集水盘，该集水盘收集多余的冷凝水并通过排水管将其统一收集处理。本实用新型构造简单安装方便，充分利用空调冷凝水辅助冷却冷凝器，有效地回收了冷凝水废热，节能省电，提高空调能效比，有一定的环境效益和经济效益。

产品详细介绍厂家直销高压高温消解罐\\KH-100ML水热合成反应釜水热合成反应釜的特点1、 抗腐蚀性好，无有害物质溢出，减少污染，使用安全。2、 升温、升压后，能快速无损地溶解在常规条件下难以溶解的试样及含有挥发性元素的试样。3、 外观美观，结构合理，操作简单，缩短分析时间，数据可靠。4、 内有聚四氟乙烯衬套，生成护理，可耐酸，碱等。5、 可替代铂坩埚解决高纯氧化铝中微量元素分析的溶样处理问题。烘箱中使用的高压消解罐，也称为溶样器、压力溶弹、水热合成反应釜、消化罐、聚四氟乙烯高压罐，是利用罐体内强酸或强碱且高温高压密闭的环境来达到快速消解难溶物质的目的。是测定微量元素及痕量元素时消解样品的得力助手。样品前处理消解重金属、农残、食品、淤泥、稀土、水产品、有机物等。厂家直销高压高温消解罐\\KH-100ML水热合成反应釜釜体304优质不锈钢，采用圆形榫槽密封,手动螺旋坚固.具有密封性好,安全系数高,消耗酸溶剂少,使用简便！厂家直销高压高温消解罐\\KH-100ML水热合成反应釜内胆材质为聚四氟乙烯(PTFE简称F4)，其特性： 1.耐高温：使用温度-200～+300℃； 2.耐低温：-196℃可保持5%； 3.耐腐蚀：耐强酸、强碱、王水和各种有机溶剂； 4.耐绝缘：介电性能与温度、频率无关； 5.高润滑：固体材料中摩擦系数最底； 6.不粘附：不粘附任何物质；自润性强：固体材料中摩擦系数为0.04 7.无毒害：具有惰性，可植入人体内；耐老化可长期在大气中使用 8.防污染：金属元素空白值低，铅含量小于10-11 g/ml，铀含量小于10-12 g/ml； 9.防泄漏：从离地1.2米高处落下，瓶体不破裂，瓶盖不脱落，无破损泄漏现象

本发明公开了一种减振隔振带宽调控的复合道床及其制作方法，包括：三层结构，其中，第一层为普通混凝土层，强度C35?40MPa，厚度h1；第二层为轻质混凝土层，强度C35?40MPa，厚度h2；第三层为普通混凝土层，强度C35?40MPa，厚度h3；h1+h2+h3=30cm，在该总厚度范围内，通过增加第一层和第二层的厚度、减小第三层厚度，提高减振隔振的效果，制得的减振道床预制件减振效果在10?16dB。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本团队长期从事传统酿造食品的应用基础研究和产业实践，与国内的众多大型酿造企业，如镇江恒顺、泸州老窖、山西老陈醋、张家界大德酿造、安徽胡玉美等保持着长期的产学研合作。近十多年来，针对白酒、黄酒、酱油（酱）、泡菜等传统酿造食品，在系统研究酿造微生物功能的基础上，理性设计功能调控手段，达到传承工艺特色，稳定发酵生产，提升产品品质的目的。

该专利技术可应用于芥菜等蔬菜的腌制加工。通过调节芥菜机械处理程度、脱水程度以及加工温度等，调节芥菜内源芥子酶活性，进而调控芥菜产品的风味和贮藏性。目前芥菜等腌制蔬菜在加工中存在色泽、风味等方面的不足，与消费者需求有一定差距，市场需求改进的加工技术。该技术已在河南一家企业成熟应 用。该技术具有较好的应用前景，在应用过程中也将产生明显的经济效益和社会 效益。 专利的技术水平： 先将芥菜切成长度为 4-6 厘米、宽度为 1.5-2.5 厘米的细丝，然后用 4-5%食盐进行腌制 1-2 个小时；将腌制后的芥菜丝在沸水中漂烫 20-40 秒，然后快速冷却；冷却后的芥菜丝在真空包装后，进行巴士杀菌。该产品具有芥菜特色的风味，控制了褐变，在常温下贮存期可达到 6 个月。该技术达到国际先进水平。