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一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其制备方法
本发明公开了一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其 制备方法，所述压敏电阻器为瓷片和内电极依次层压生成，其中所述 内电极材质为贱金属镍，所述压敏电阻器的两端涂有银电极。本发明 具有以下有益效果：（1）本发明所使用的 ZnO 压敏电阻材料配方适 用于还原再氧化制备工艺；（2）本发明采用贱金属 Ni 为内电极，可 以大幅度降低多层片式压敏电阻器制备成本；（3）采用传统的固相烧 结方法，端银的烧渗和瓷体氧化一次性
华中科技大学
2021-04-14
一种基于叠层结构的高性能气敏传感器及其制备方法
本发明公开了一种基于叠层结构的高性能气敏传感器及其制备 方法。本发明采用氧化锡、氧化锌作为导电层，三氧化钨、二氧化钛、 氧化铜、氧化钴作为敏感层，同时采用钯、铂贵金属、硫化镉、锡化 镉敏化剂对敏感层进行修饰制备得到气敏传感器。本方法采用叠层的 形式将修饰后的气敏材料置于顶层，使其能与环境中的气氛进行充分 的反应，提高气敏传感器的响应度；将具有较好导电性能的材料置于 底层，使其将敏感层中电子浓度的变化迅速传递到外电路中
华中科技大学
2021-04-14
一种氯溴碘共混钙钛矿光吸收层材料的制备方法
本发明涉及一种氯溴碘共混钙钛矿型薄膜及光伏电池的制备方法。包括以下步骤：（1）用甲胺溶液 与氢碘酸反应，产物清洗、干燥后得到碘甲胺白色固体粉末，作为制备钙钛矿的阳离子源；（2）步骤（1）中得到的碘甲胺，与 Cl、Br、I 的铅盐，混合于二甲基亚砜中，在室温环境下搅拌 12 小时，然后静置得到钙钛矿吸收层材料的前驱液；（3）将步骤（2）中得到的前驱液，通过匀胶机旋涂在衬底表面，150℃退火后得到氯溴碘共混钙钛矿光吸收层材料。本发明方法可以实现三元共混钙钛矿型材料的简单，可调制备。所得 C
武汉大学
2021-04-14
一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其制备方法
本发明公开了一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其 制备方法，所述压敏电阻器为瓷片和内电极依次层压生成，其中所述 内电极材质为贱金属镍，所述压敏电阻器的两端涂有银电极。本发明 具有以下有益效果：（1）本发明所使用的 ZnO 压敏电阻材料配方适 用于还原再氧化制备工艺；（2）本发明采用贱金属 Ni 为内电极，可 以大幅度降低多层片式压敏电阻器制备成本；（3）采用传统的固相烧 结方法，端银的烧渗和瓷体氧化一次性
华中科技大学
2021-04-14
在钠金属薄膜和等离激元光子器件研究方面上的重要突破
研究团队发展了独特的液态金属旋涂工艺，制成了金属钠薄膜，首次揭示了金属钠膜的优异光波段等离激元特性。
北京大学
2021-04-11
一种超高速率充放电超级电容器薄膜电极的制备
高校科技成果尽在科转云
电子科技大学
2021-04-10
高模量低收缩聚酰亚胺薄膜的产业化关键制备技术研究
本项目针对目前国内挠性印制线路板及材料在生产及应用中存在的问题，在研究团队前期开发的高模 低缩聚酰亚胺薄膜配方体系的基础上，从市场需求及产业化的角度，优选具有显著分子间相互作用力的体 系，开展聚合物前驱体聚酰胺酸胶液的实验室小试、中试及产业化规模制备、胶液流延和薄膜制备过程中 的关键技术研究，获得一套稳定可靠的产业化工艺参数，制备具有自主知识产权的新型高模低缩聚酰亚胺 薄膜产品，打破该产品国外垄断的局面。
中山大学
2021-04-10
一种二元前驱体合成伸展石墨烯复合薄膜的制备方法
本发明属于半导体纳米复合材料的制备技术领域，涉及一种利用二元前驱体合成石墨烯复合薄膜的制备方法。该发明采用简单的两步合成路线，通过在水热法中合成两元前驱体，然后经过高温处理使四氧化三铁纳米颗粒均匀的分散在石墨烯纳米薄膜的表面。相对于其他合成方法，此方法制备的石墨烯复合薄膜具有伸展更充分，Fe3O4纳米粒子粒径更均匀，分布范围窄等优点。借助本发明提供的方法，制备出的石墨烯纳米复合薄膜可作为锂离子电池的负极材料，显示了较高的电容量和循环稳定性。通过本发明提供的无机半导体和石墨烯复合纳米材料制备方法，可制备多种不同种类的复合材料，制备出的复合材料在锂离子电池，无机太阳能电池，药物的靶向缓释与治疗等方向具有实际的应用前景。
青岛大学
2021-04-13
一种硒化锑薄膜太阳能电池的背表面处理方法
本发明属于薄膜太阳能电池制备领域，具体公开了一种硒化锑 薄膜太阳能电池的背表面处理方法，该方法是使用含有二硫化碳的液 体接触处理硒化锑薄膜太阳能电池中硒化锑薄膜层的表面，并以经处 理后的硒化锑薄膜层的表面作为硒化锑薄膜太阳能电池的背表面。本 发明通过对硒化锑薄膜太阳能电池中硒化锑薄膜层的背表面进行处理 改进，有效降低了硒化锑薄膜太阳能电池的背接触势垒，达到了提高 器件的填充因子的效果，进而提高了硒化锑薄膜太阳能电池的
华中科技大学
2021-04-14
一种无空穴传输材料钙钛矿薄膜异质结电池的制备方法
本发明公开了一种无空穴传输材料钙钛矿薄膜异质结电池的制备方法。该方法在传统的 PbI2 前驱体 溶液中加入少量 PbCl2，以提高 PbI2 在溶剂中的溶解性，以免在旋涂时形成不均匀的晶核，影响钙钛矿 生长的均匀性。在空气中 100℃烧结 5 分钟后，往钙钛矿层上刮涂上一种含有 CH3NH3I 的碳浆，在空气 中 100℃烘干，再次刮涂上一层不含 CH3NH3I 的碳浆以降低器件电阻。最后 50mg/mL?PMMA 的甲苯溶 液均匀滴在碳电极上
武汉大学
2021-04-14