XM-522-2鼻腔解剖放大模型（3倍，3部件，带数字标识）   XM-522-2带数字标识鼻腔解剖放大模型放大3倍，可拆分为3部件，展现了鼻腔及鼻侧壁、鼻软骨的解剖结构，带有多个部位数字指示标志。 外鼻：展示鼻骨及鼻软骨的切面。 鼻腔：外侧壁有上、中、下三个鼻甲突入鼻腔，形成上、中、下三个鼻道。 鼻副窦：示额窦、蝶窦和上颌窦。 尺寸：放大3倍，53×38×13cm 材质：PVC材料

XM-522-1鼻腔解剖放大模型（带数字标识）   XM-522-1带数字标识鼻腔解剖放大模型显示了外鼻（示鼻骨及鼻软骨的切面）、鼻腔（外侧壁有上、中、下三个鼻甲突入鼻腔，形成上、中、下三个鼻道）、鼻副窦（示额窦、蝶窦和上颌窦）等结构，共有17个部位数字指示标志及对应文字说明。 尺寸：放大，23×14×11cm 材质：PVC材料

XM-521A喉、心、肺模型（带数字标识）   XM-521A带数字标识喉心肺解剖模型由喉正中矢状切面、心冠状切面和肺等7部件组成，并显示喉、气管、胸腔内心脏、左右肺以及膈上的食道裂孔、主动脉裂孔等结构，共有51个部位数字指示标志及对应文字说明。 尺寸：自然大，40×26×12cm 材质：PVC材料

XM-606A右半脑带血管和神经模型   XM-606A右半脑带血管和神经模型显示大脑半球、间脑、小脑和脑干中脑、脑桥、延髓各个部分以及脑神经和脑血管等结构。 尺寸：自然大，15×15×6cm 材质：PVC材料

XM-134腰椎带尾椎骨模型   XM-134腰椎带尾椎骨模型（ 腰骶椎与脊神经模型 ）由5节带椎间盘的腰椎、骶骨、尾骨、脊神经和脊椎组成。 尺寸：自然大 材质：PVC材料

XM-132骨盆带腰椎模型   XM-132骨盆带腰椎模型由髋骨、骶骨、尾骨及2节腰椎组成。 尺寸：自然大 材质：PVC材料

XM-132A骨盆带五节腰椎模型   XM-132A骨盆带腰椎模型由髋骨、骶骨、尾骨及5节腰椎组成。 尺寸：自然大 材质：PVC材料

供应实验室升降凳/三脚凳/学生凳/塑钢凳，欢迎广大客户来电咨询。 备注：以上是实验凳配件带托盘凳面的详细信息，如果您对实验凳配件带托盘凳面的价格、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取实验凳配件带托盘凳面的最新信息。 咨询电话：0577-67473999

如何使用软木带：1、首先将需要包覆软木带的辊面用无水酒精清洗干净，辊面要保证光滑无油污。2、将整卷软木带中心纸筒套上一根轴为方便将整卷防带释放出来。 3、将需要包覆滚筒的周长测量准确后，把软木带剪一个斜角，斜角的长度等于周长。4、轻轻揭开不干胶，将软木带的角对准辊筒的边缘粘贴上去，一边旋转辊筒一边将软木带上的不干胶揭去，将软木带螺旋粘贴到辊筒上，粘贴时要将软木带拉直用力均匀，在接缝处即不能有缝隙也不能重叠。5、一直贴到辊筒末端后将多余的软木带剪断，并将边缘修剪与辊筒边缘一样齐。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。