XM/CPR152婴儿心肺复苏模型（带气管插管）根据婴儿的解剖结构设计，由婴儿心肺复苏模拟人和电子显示器组成，皮肤采用进口材料，四肢可活动，能进行心肺复苏、气管插管与各种护理操作训练。 一、功能特点： （一）CPR心肺复苏操作训练：支持口对口等多种通气方式，电子监测吹气频率、吹气量、按压次数、按压频率、按压深度，吹气和按压可单项训练。 1、按压深至少为胸部前后径的1/3大约为4cm，由条码指示灯显示按压力度； 2、人工口对口呼吸（吹气）时由条码指示灯显示吹气力度； 3、按压与人工呼吸比：30:2/单人或者15:2/双人； 4、操作周期：先按压再吹气（C-A-B），按压与人工吹气比30:2或15:2五个循环周期CPR操作； 5、操作频率：100-120次/分； 6、检查肱动脉反映：手捏压力皮球，模拟肱动脉搏动； 7、采用220V电源，经过稳压器稳压输出电源6V或者采用4节1号电池的直流电源状态下工作，适应野外无电源地方训练。 （二）可进行气管插管操作训练。 （三）护理功能：脐带护理、更换尿布、穿换衣服、口腔护理、冷热疗法、包扎等。 （四）静脉输液与穿刺训练：手臂静脉包括手背浅静脉；头皮静脉包括：额上静脉、颞浅静脉、股静脉，能进行静脉输液与穿刺训练。 （五）骨髓穿刺训练：可经胫骨穿刺，有模拟骨髓流出，可注入模拟药物。 二、标准配置： 1、婴儿心肺复苏模型：1台； 2、电子显示器：1台； 3、数据线：1条； 4、电源适配器：1个； 5、操作垫：1条； 6、一次性呼吸面膜：1盒； 7、手提铝塑箱：1个； 8、说明书：1份； 9、保修卡：1张； 10、合格证：1张。

XM/CPR152高级婴儿心肺复苏模拟人 （急救+护理+气管插管）   执行标准：美国心脏学会(AHA)2015国际心肺复苏(CPR)＆心血管急救(ECC)指南标准。 XM/CPR152婴儿心肺复苏模拟人（急救、护理、气管插管三合一组合）根据婴儿的解剖结构设计，由婴儿复苏模型和电子显示器组成，皮肤柔软有弹性，解剖结构清晰，四肢可活动，能进行心肺复苏、气管插管与各种护理操作训练。   一、功能特点： ■ CPR心肺复苏操作训练：支持口对口、口对鼻、简易呼吸器等多种通气方式，电子监测吹气频率、吹气量、按压次数、按压频率、按压深度，吹气和按压可单项训练。 ■ 模拟标准气道开放； ■ 胸外按压时： ·由动态条码指示灯显示按压深度：    按压深度正确由条码绿灯显示；    按压深度过小由条码黄灯显示；    按压深度过大由条码红灯显示。 ·数码计数显示：记录按压正确和错误的次数（按压力量过大、按压力量过小的次数）。 ·语音提示：中文语音提示，详细提示按压错误的具体原因（按压力量过大、按压力量不足、胸廓回弹不足），以便训练者及时改正。 ■ 人工口对口吹气时： ·由动态条码指示灯显示潮气量大小：    吹入的潮气量正确由条码绿灯显示；    吹入的潮气量过小由条码黄灯显示；    吹入的潮气量过大由条码红灯显示。 ·数码计数显示：记录吹气正确和错误的次数（吹气量过大、吹气量不足的次数）。 ·语音提示：中文语音提示，详细提示吹气错误的具体原因（吹气量过大、吹气量不足），以便训练者及时改正。 ■ 按压与人工呼吸比：新生儿3:1，婴儿30:2单人，或者15:2双人。 ■ 操作周期：先按压再吹气，按压与人工吹气比新生儿3:1，婴儿30:2或15:2五个循环周期CPR操作。 ■ 操作频率：100-120次/分（可自行设置频率100次/分或120次/分）。 ■ 操作方式：训练操作、考核操作。 ■ 检查肱动脉反映：手捏压力皮球，模拟肱动脉搏动。 ■ 采用220V电源，经过稳压器稳压输出电源6V或者采用4节1号电池的直流电源状态下工作，适应野外无电源地方训练。 ■ 气道管理技术：逼真的口腔、气道和食管，可练习经口气管插管、吸痰法和氧气吸入法。 ■ 护理功能：更换尿布、穿换衣服、洗浴、口腔护理、冷热疗法、包扎等。 ■ 静脉输液与穿刺训练：手臂静脉包括手背浅静脉；头皮静脉包括：额上静脉、颞浅静脉、股静脉，能进行静脉输液与穿刺训练。 ■ 骨髓穿刺训练：可经胫骨穿刺，有模拟骨髓流出，可注入模拟药物。 ■ 腹腔重要器官结构观察。 ■ 瞳孔观察示教。   二、标准配置： ■ 婴儿心肺复苏模拟人：1台 ■ 电子显示器：1台 ■ 可更换手臂皮肤：1个 ■ 骨髓穿刺模块：1个 ■ 护理用物：1套 ■ 电源适配器：1个 ■ CPR操作垫：1条 ■ 一次性呼吸面膜：1盒 ■ 手提箱：1个 ■ 说明书：1册 ■ 保修卡合格证：1张

供应实验室升降凳/三脚凳/学生凳/塑钢凳，欢迎广大客户来电咨询。 备注：以上是实验凳配件带托盘凳面的详细信息，如果您对实验凳配件带托盘凳面的价格、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取实验凳配件带托盘凳面的最新信息。 咨询电话：0577-67473999

如何使用软木带：1、首先将需要包覆软木带的辊面用无水酒精清洗干净，辊面要保证光滑无油污。2、将整卷软木带中心纸筒套上一根轴为方便将整卷防带释放出来。 3、将需要包覆滚筒的周长测量准确后，把软木带剪一个斜角，斜角的长度等于周长。4、轻轻揭开不干胶，将软木带的角对准辊筒的边缘粘贴上去，一边旋转辊筒一边将软木带上的不干胶揭去，将软木带螺旋粘贴到辊筒上，粘贴时要将软木带拉直用力均匀，在接缝处即不能有缝隙也不能重叠。5、一直贴到辊筒末端后将多余的软木带剪断，并将边缘修剪与辊筒边缘一样齐。

SiC/Al 复合材料具有高导热、低膨胀、高模量、低密度等优异的综合性能，在电子封装领域具有广阔的应用前景。目前广泛采用工艺复杂、设备昂贵的压力浸渗制备 SiC/Al 复合材料。课题组在历经近十年的研发过程中，采用无压浸渗法在空气环境下，成功制备出了电子封装用 SiC/Al 复合材料。该制备技术工艺过程简单，设备要求不高，成本低廉，所制备的复合材料的热物理性能可在较宽范围内调节，具有较好的市场应用前景。于 2010 年获得国家发明专利授权。

本发明公开了一种 LED 倒装芯片的圆片级封装结构、方法及产 品，包括 LED 倒装芯片、硅基板、透镜、印刷电路板和热沉；硅基板 正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的长度与芯片的长度相同；硅 基板的反面加工有两组通孔，两通孔与凹腔相连通；在凹腔和两通孔 的表面沉积有绝缘层；凹腔表面的绝缘层上沉积有散热金属层和反光 金属层；两通孔内填充有金属体，通孔内的金属体与凹腔表面的散热 金属层相接；凹腔内底部的两金属层存在一开口，用于将该金属层隔 离为两部分；硅基板的反面沉积有绝缘层，该绝缘层表面布线用于电 极连接的金属层；凹腔内涂覆有荧光粉，凹腔的外围加工有用于固定透镜的环形定位腔。本发明能够提高 LED 出光效率、加强散热能力且 完成自对准。 

本发明公开了一种可提高延展性的柔性电子流体封装方法，包 括：制得下层和上层封装结构，这两个封装结构保持对称并在其中央 部位各自具有凹陷延展的区域；制作延性互连结构，该延性互联结构 的整体呈波形分布的曲线结构；将上下层封装结构对应贴合，同时将 延性互连结构封装在中空微腔体中；最后，将绝缘性流体注射至微腔 体内，使其完全填充微腔体并包裹所述延性互连结构，由此完成整体 的流体封装操作。通过本发明，能够显著提高互连结构的拉伸延展性 能，避免面外翘曲现象，并在便于质量操控的同时有效提高互连结构 的稳定性。 

本发明公开了一种可提高延展性的柔性电子流体封装方法，包括：制得下层和上层封装结构，这两个封装结构保持对称并在其中央部位各自具有凹陷延展的区域；制作延性互连结构，该延性互联结构的整体呈波形分布的曲线结构；将上下层封装结构对应贴合，同时将延性互连结构封装在中空微腔体中；最后，将绝缘性流体注射至微腔体内，使其完全填充微腔体并包裹所述延性互连结构，由此完成整体的流体封装操作。通过本发明，能够显著提高互连结构的拉伸延展性能，避免面外翘曲现象，并在便于质量操控的同时有效提高互连结构的稳定性。

本发明公开了一种 LED 倒装芯片的圆片级封装结构、方法及产品，包括 LED 倒装芯片、硅基板、透镜、印刷电路板和热沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的长度与芯片的长度相同；硅基板的反面加工有两组通孔，两通孔与凹腔相连通；在凹腔和两通孔的表面沉积有绝缘层；凹腔表面的绝缘层上沉积有散热金属层和反光金属层；两通孔内填充有金属体，通孔内的金属体与凹腔表面的散热金属层相接；凹腔内底部的两金属层存在一开口，用于将该金属层隔离为两部分；硅基板的反面沉积有绝缘层，该绝缘层表面布线用于电极连接的金属层；凹

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。