VSM（也叫做M-H磁滞曲线测量系统）测量磁性材料的基本磁性能(如磁化曲线，磁滞回线，退磁曲线，升温曲线、升/降温曲线、降温曲线、温度随时间的变化等)，得到相应的各种磁学参数(如饱和磁化强度，剩余磁化强度，矫顽力，最大磁能积，居里温度，磁导率(包括初始磁导率)等)，可测量粉末、颗粒、片状、块状等磁性材料，VSM可以测量从-196℃到900℃的温度变化的磁性变化。   主要参数： 测量磁矩范围：10-3emu-300emu（灵敏度：5*10-5emu） 相对精度（30emu）：优于±1% 重复性（30emu）：优于±1% 稳定性（30emu）：预热24小时，24小时连续工作优于±1% 温度范围：从-196℃到900℃ 固定磁极间距35mm，极面直径60mm 磁场：由电磁铁提供，从0-3.5T   主要参数： 抗磁，顺磁，铁磁，亚铁磁，反铁磁材料和各向异性材料 颗粒状和连续磁记录材料以及GMR，CMR，交换偏置和旋转阀材料 磁光材料 容易容纳散装材料，粉末，薄膜，单晶和液体     VSM的组成：   型号 DXV-550 电磁铁 √ 稳流电源 √ 振动头，振动架 √ 振动杆，样品室 √ 振动源 √ 锁定放大器 √ 高斯计 √ 探测线圈 √ 电脑 √ 打印机 √ VSM可以单独准备高温和低温设备。     主要设备：   电磁铁 电磁铁应为可调式双共轭或固定间隙的。 45°放置 型号 高低温磁场，磁极间距：35mm（T） 冷水方式 DXV-550 3.4 水冷 DXV-400 3.0 水冷 DXV-380 2.7 水冷 DXV-300 2.4 水冷 DXV-250 2.2 水冷 DXV-220 2.0 水冷 DXV-175 1.6 水冷 DXV-130 1.2 自然冷却 DXV-100 0.8 自然冷却 DXV-60 0.5 自然冷却   稳流源 电源为可调式高稳定度稳压稳流自动转换直流电源，功率为2～30KW 。在稳流状态时，稳流输出电流能在额定范围内连续可调 (一)主要功能 　　(1)输出功率：额定功率从1-12kw。 　　(2)保护：缺相保护、过流保护、短路自动保护。 　　(二)技术指标 　　(1)电源为稳流输出：电流值可从0-额定值连续可调。 　　(2)显示方式： 电流表4位半LCD数字显示。 　　(3)显示精度：±(1%+2个字) 　　(4)当负载为电磁铁，且输出电流大于最大电流一半时，电源输出的电流稳定度优于5*10-4 　　(5)工作时间：连续8小时工作(环境温度20±5℃) 　　(6)输入电压：单相220V/三相380V±10%        (7)输入频率：50Hz   振动系统 包括振动杆、机械振动头支架、样品室及探测线圈   磁测单元 (1)量程分300emu、150emu、80emu、40emu、30emu、15emu、8emu、4emu、3emu、1.5emu、800memu、400memu、300memu、150memu、80memu、40memu、30memu和15memu (2)磁场量程：0.5kOe”、“1kOe”、“2kOe”、“4kOe”、“8kOe”、“16kOe” 和 “32 kOe” 显示在4位半LCD数字表头。.分辩率0.1mT，相对精度优于±1%。 (3)振动源输出频率180Hz,频率稳定度优于10-5，输出功率大于50W。   联想电脑 打印机：hp-1018 高温炉和温度控制设备: 加热功率是100W. 炉子的温度范围是室温到900℃ 通过4位半LED数字控制。分辨率：0.1℃ 低温杜瓦和温度控制装置 样品室的温度与控制范围是 77K-273K 通过4位半LED数字控制，分辨率：0.1K  

基于CMOS工艺，设计了大量射频、毫米波收发机和频率源芯片； CMOS 90nm 60GHz 接收机芯片，集成片上天线，传输效率优于IBM芯片90%； CMOS 90nm 21dBm 60GHz功率放大器，性能优于Hittite商用GaAs芯片； CMOS 60GHz 移相器芯片，为开发毫米波相控阵芯片奠定良好基础；

在光通信传输过程中，发射端将电信号转换成光信号，然后调制到激光器发出激光束，通过光纤传递，在接收端接收到光信号后再将其转化为电信号，经调制解调后变为信息，而光电芯片所起到的作用就是，实现电信号和光信号之间的相互转换，是光电技术产品的核心，处于光通信领域的金字塔尖。

该驱动电路属专利技术，是一种有缘有机发光显示器的象素驱动电路，尤其是一种电压控制型的有源有机发光显示器的象素驱动电路。 有机发光显示器由于其具有亮度高，响应速度快和视角宽等优点，已经越来越受到研究人员的重视。其实发光器件OLED的驱动方式可分为无源驱动和有源驱动。采用无源驱动时，随着屏幕的增大，显示密度的提高，必须对像素施加较大的电流，这样会大大耗损发光器件OLED的使用寿命，因此对于大屏幕，高灰度级的显示，通常采用有源驱动方式。薄膜晶体管（TFT）是有源有机发光显示器象素驱动电路的主要组成部分，它的生产工艺有多种，由于非晶硅（a-Si）的生产工艺在有源液晶显示器（AMLCD）中的应用已经趋于成熟，因此采用非晶硅的生产工艺能够得到很高的性价比。目前，对于有源有机发光显示器的象素驱动电路的研究很多，在实际的生产中，目前的工艺水平很难保证各个象素中起到驱动作用的薄膜晶体管（TFT）的阈值电压Vth相同，因此在熟知的两管驱动方案中，由于屏幕上个像素驱动晶体管的阈值电压Vth的不一致性将导致整个显示屏亮度的不均匀，另外随着使用时间的增加，驱动晶体管的阈值电压也会随之升高，从而引起显示屏亮度的下降。为了补偿各个驱动晶体管阈值电压Vth的不一致性极其随着使用时间的变化对显示屏性能所造成的影响，人们提出了采用多晶体管的象素驱动方案。其中主要有电流控制型和电压控制型两种。在一般的电流控制型驱动电路中由于其存储电容需要很长的充电时间，所以应用中受到了极大的限制。最近有人提出了改进的电流控制型驱动电路，主要通过调节通过发电器件OLED的电流与输入数据电流的缩减比例，来减小数据线与像素存储电容之间的充电时间。这种电路虽然对于存储电容Cs的充电时间减少了，但是对于放光器件OLED本身的等效电容来说仍然需要很长的充电时间，因此并不能从根本上解决电路整体充电时间过长的问题。在电压控制型驱动电路中，由于开始时会有一个瞬间的大电流对存储电容和OLED本身的等效电容充电，所以能够极大地减少充电时间。 该驱动电路的优点： 1）它不但能够补偿由于驱动晶体管的阈值电压变化所造成的显示器亮度不一致和随着时间增加亮度下降的问题，而且由于采用的设计结构，使得驱动管的漏源极间电压同样不受发光器件OLED本身的非均匀性及其它因素的影响。 2）通过增加仅仅一个（TFT）晶体管，使得整个显示屏的显示性能有了大幅度的提升，适合于高端产品采用。

本实用新型公开了一种便于焊接布局的集成电路。包括处理信息电路、具有二极管和电容的采集信息电路和功能接口，采集信息电路中各个电容平行布置，且同一极性电极设置朝向相同，各个电容和二极管的负极设置朝向相同，各个电容和二极管的正极设置朝向相同；所述功能接口和采集信息电路分别布置在处理信息电路两侧；处理信息电路包括微处理器TMS320F2812和RISC处理器S3C44BOX，所述微处理器和所述RISC处理器之间通过各自的引脚相互连接。本实用新型实现了焊接布局的方便，增强了电路板的工作稳定性，同时提高了其综合工作性能。

成果简介：本设备为一种实时在线印刷电路板孔径孔数检测机(简称:PCB检孔机)，用于印刷电路板的生产过程中，高密度小孔径印刷电路板孔径孔数的产品质量检测。通常这些高密度小孔径印刷电路板孔径孔数的检测人工已经无法胜任。 项目来源：自行开发 应用范围：可用于多种透光快速高精密图象检测场合。 现状特点：最小解析度为0.001mm，检测速度为66mm/sec-200mm/sec，检测宽度为500mm，可以实现缺孔、孔径错误、孔位置偏移和多钻孔的检测。 所

本发明公开了一种 2^m×2^kAPD 阵列地 址编码主动输出电路，属于 APD 阵列领域；现有的无扫描输出只能实 现单点像素地址的输出；本发明提供的主动输出电路，通过地址控制 电路控制地址编码电路的输出开关，经地址输出电路输出对应的像元 块首地址，通过后续处理电路得到四个单元地址，无需复杂的时序控 制电路，效率高，速度快。

基于柔性印刷电路板的胶囊内窥镜，属于微机电系统所构成的器件，解决现有胶囊内窥镜单个功能部件占有体积过大或者需要定制专用芯片，导致成本高昂的问题。本实用新型包括胶囊、柔性印刷电路板以及裸芯片和无源器件，键合有裸芯片和无源器件的柔性印刷电路板卷曲成圆柱体形状位于胶囊内，柔性印刷电路板与胶囊内壁通过填胶固连；胶囊侧壁外表面上对应压力传感器位置开有单孔，对应其它传感器位置开有进孔和出孔。本实用新型充分利用胶囊的内部空间，实现微型化，使得多功能集成化得以实现，降低了成本；为实现释药与活体取样等功能提供足够的空

本发明公开了一种 SWP 协议中 CLF 芯片接口电路，包括输入 整形模块，输出负载调制模块，电流采样模块和输出整形模块；所述 输入整形模块的输入端用于连接 CLF 芯片输出的电压调制信号，所述 输出负载调制模块的输入端与所述输入整形模块的输出端连接，所述 输出负载调制模块的输出端用于与 UICC 芯片的 C6 引脚连接；所述电 流采样模块的输入端与 UICC 芯片的 C6 引脚相连；所述输出整形模块 的输入端连接至

CSM4A系列多功能C-V测试系统，经国家“七五”、“八五”两届重点科技攻关，已在我校研制成功，并被多个半导体集成电路生产厂家和研究所使用。该项目由陈光遂教授主持完成。原电子工业部鉴定认为：该C-V测试系统具备八项测试功能，数据可靠，实用性强，人机界面良好。总体水平已达到九十年代国际先进水平，并有独创性，可以替代进口设备。主要测试功能有：MOS高频CV，M