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一种亲水性甲基丙烯酰胺聚合物整体柱的制备方法及其应用
本发明公开了一种亲水性甲基丙烯酰胺聚合物整体柱的制备方法及其应用。其制法为:(1)预处理; (2)将丙烯酰胺、N，N’?-亚甲基双丙烯酰胺、4-乙烯基吡啶、十二醇和 AIBN 加入到二甲基亚砜中， 形成混合溶液;(3)对混合溶液进行超声处理，然后将其注入到预处理后的毛细管中，两端密封，在 50~70C 反应 12-24h，即得亲水性甲基
武汉大学
2021-04-14
一种尺寸单分散性聚合物纳米囊泡及其制备方法和应用
本发明公开了一种尺寸单分散性聚合物纳米囊泡及其制备方法和应用。该聚合物纳米囊泡由两亲嵌段聚合物自组装形成；其中两亲性嵌段聚合物是指具有亲水性和疏水性嵌段的嵌段聚合物；并且疏水嵌段末端由胆固醇或胆固醇酰氯进行封端，亲疏水嵌段之间由不带二硫键或带二硫键的酯键进行桥连；其中亲水嵌段的分子量占整个嵌段共聚物分子量的比例为40%-60%。通过将两亲嵌段聚合物溶解于一定比例的二甲基亚砜和甲醇的混合溶剂中，然后用水性溶液进行透析，可以制备得到尺寸单分散的纳米聚合物囊泡。本发明的聚合物纳米囊泡可应用于药物载体。
四川大学
2016-10-09
含苯酰亚胺苯乙炔结构的单体和高温自交联共聚酯及其制备方法
本发明公开的含苯酰亚胺苯乙炔结构的单体能使合成的聚合物在高温下发生自交联化学反应，当其与Ⅰ、Ⅱ表示的合成聚酯的结构单元经无规共聚即可获得高温自交联共聚酯，且当该共聚酯含PET结构单元时的特性黏数[η]为0.44～1.38dL/g，垂直燃烧UL-94等级为V-2～V-0级，氧指数LOI为24.0～35.0％，锥形量热测试峰值热释放速率PHRR和烟释放总量均低于纯聚酯。本发明还公开了共聚酯制备方法。由于本发明共聚酯中的苯酰亚胺和苯乙炔间能产生协同交联作用，因而具有极高的阻燃抗熔滴效率，同时赋予了共聚酯优良的阻燃、抗熔滴及抑烟的性能。本发明提供的方法因与常规聚酯的合成方法基本一致，不仅工艺成熟，操作简单方便，且也易于控制和便于工业化生产。
四川大学
2016-09-12
一种浮置板轨道系统中的隔振器及其工作参数的确定方法
本发明公开一种浮置板轨道系统中的隔振器及其工作参数的确定方法，位于浮置板轨道系统的浮置板与轨道基础之间，包括并行设置的钢弹簧、阻尼液和可控库仑阻尼件；在不考虑库仑阻尼的情况下，建立车辆?浮置板轨道耦合动力学时域分析模型，以浮置板和钢轨最大垂向振动位移为控制指标，确定不考虑库仑阻尼时的浮置板最小支承刚度Ka，再结合不考虑库仑阻尼时浮置板最小支承刚度工况下的浮置板垂向振动位移时程曲线特征，确定浮置板的位移阈值，确定库仑阻尼力大小及其工作时段，最后，运用车辆?可控库仑阻尼隔振器浮置板轨道耦合动力学时域分析模型，算出有库仑阻尼情况下的浮置板最小支承刚度Kb。可以有效提高传统钢弹簧浮置板轨道的隔振效率。
西南交通大学
2018-09-18
一种基于开关表的三相可控整流器模型预测控制方法
本发明公开了一种基于开关表的三相可控整流器模型预测控制 方法，包括如下步骤：(1)将电网电压矢量角度分为十二个扇区，对三 相可控整流器采用八个候选电压控制矢量；(2)依据三相可控整流器的 电网侧有功以及无功功率随电网电压矢量角度的变化规律，确定每个 扇区对应的候选电压控制矢量，生成开关表；(3)在当前时刻判定当前 的电网电压矢量角度所属扇区，从开关表中提取对应的候选电压控制 矢量；(4)依据提取的候选电压矢量预测下一时刻的电网侧有功以及无 功功率，从中选取最佳电压控制矢量。本发明将开关表和模型预测控
华中科技大学
2021-04-14
利用铰链式六面顶压机制备高性能聚晶金刚石的方法
本发明公开了利用铰链式六面顶压机制备高性能聚晶金刚石的方法，其特点是该方法采用金刚石或含部分金刚石的碳粉体为原料，不添加任何金属或陶瓷粘结剂，经净化除杂，粉体表面在真空度4x10-3～4x10-5Pa，温度800～1500℃，净化处理0.5h～5h。表面净化的金刚石粉体预压成型，放置于铰链式六面顶压机上，于温度1400-2500℃，压力为8～20GPa, 烧结1～30min，制得高性能聚晶金刚石块体材料。
四川大学
2017-12-28
一种基于水性树脂的超细纤维合成革基布的含浸方法
本发明公开了一种基于水性树脂的超细纤维合成革基布的含浸方法。首先将固含量为20~50%的水性耐碱水解型聚氨酯乳液100份，固含量30~40%的碱溶性丙烯酸及其酯共聚物乳液40-100份，水0~250份，增稠剂0.6~3份混合均匀，制得水性含浸浆料；然后将超细纤维纤无纺布浸渍于水性含浸浆料中，然后干燥5~20min；接着用5~15%的氢氧化钠水溶液中进行碱减量处理，减量温度为80~95℃，减量时间为30~120min，丙烯酸及其酯共聚物水解溶出，从而在超细纤维合成革中形成泡孔结构；碱减量后的基布进行水洗、烘干，最后经后整理得到超细纤维合成革。
四川大学
2017-12-28
一种考虑三相不平衡因素的π型等值电路的生成方法
本发明涉及一种考虑三相不平衡因素的π型等值电路的生成方法，属于电学技术领域。该方法执行如下步骤：步骤S1，建立三相等效电路模型；步骤S2，推导交流侧三相电流与交流侧三相电压、直流侧电压关系表达式；步骤S3，推导直流侧电流与交流侧三相电压、直流侧电压关系表达式；步骤S4，建立直流电流和AC?DC换流器交直流侧电压的关系表达式；步骤S5，将用步骤S4中的
东南大学
2021-04-14
功能化氧化石墨烯修饰聚合物凝胶电解质及其制备方法和应用
本发明公开了一种功能化氧化石墨烯修饰聚合物凝胶电解质及其制备方法和应用。功能化氧化石墨烯是指氧化还原活性物质通过氢键分子间作用力、醚键、酯键或酰胺键化学键作用力、Π?Π堆积分子间作用力与氧化石墨烯连接而成。具有单层或多层结构的功能化氧化石墨烯排列在多羟基高分子聚合物基体内，形成三维多级层间结构的功能化氧化石墨烯修饰聚合物凝胶电解质。所述的多级层间结构
东南大学
2021-04-14
一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制 备方法。该制备方法适用于制备三维半导体存储器的 U 型沟道：采用 双离子束沉积技术，一束离子轰击靶材，使材料原子发生溢出，原子 沿轨迹沉积到深孔中，一束离子轰击深孔表面，使沉积的材料无法覆 盖深孔顶部，从而确保三维半导体存储器件 U 型沟道的完整形成。U 型沟道的半导体存储器件的电极从器件上方引出，减小了电极的接触 面积，同时U型半导体存储器件的NAND串可以包
华中科技大学
2021-04-14