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一种与湖羊睾丸重量主效QTL有关的SNP分子标记及其应用
本发明公开了一种与湖羊睾丸重量主效QTL有关的SNP分子标记及其应用,属于遗传育种和分子生物学领域。该SNP分子标记位于绵羊11号染色体第54289512位碱基,该位点处出现C和T两种等位基因的多态性。该SNP位点的不同基因型与湖羊睾丸重量显著相关,其中CC基因型个体的睾丸重量显著高于TC和TT基因型(P<0.01)。将所述SNP分子标记应用于高繁殖力种公羊的早期选育,对提高羊群生产能力和增加养殖效益具有重要意义。
兰州大学 2021-01-12
新型高分子纳滤膜技术在农村水处理中的应用研究
本项目拟通过建立复合纳滤膜多层结构的协同设计方法,丰富复合纳滤膜制备的理论基础,提升纳滤膜的分离性能,形成一批具有自主知识产权的高性能纳滤膜制备技术,并实现规模化生产,促进纳滤膜分离技术的广泛应用。
南京工业大学 2021-01-12
花生维生素E合成相关基因APG1、APG2在提高植物α生育酚含量和耐盐性中的应用
本发明提供了花生维生素E合成相关基因APG1、APG2在提高植物α生育酚含量和耐盐性中的应用,两基因APG1、APG2的氨基酸序列的同源性为98.6%。本发明经实验证明,将这2个基因分别在花生中超量表达后,得到活性最高的α生育酚含量明显提高的转基因植株,且可明显增强转基因花生种子和植株的耐盐性;将这2个基因的反义载体转入花生后,转基因植株的α生育酚含量明显减少。本发明的蛋白及其编码基因对于植物维生素E合成机制的研究,提高植物的α生育酚含量,改良植物的抗逆性具有重要的理论及实际意义,应用前景广阔。
青岛农业大学 2021-04-13
一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法
专利内容是本发明针对背景技术存在的缺陷,提出了一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法,缓解了衬底与薄膜之间的应力产生,得到的单晶石榴石厚膜可作为磁光或微波厚膜应用,该方法制得的磁光厚膜的厚度可达100µm以上。
电子科技大学 2021-02-01
一种糖基/磺化改性亲和聚合物中空纤维分离膜、其制备方法及用途
本发明公开一种糖基/磺化改性亲和聚合物中空纤维分离膜及其制备方法。该膜由聚合物树脂、磺化聚合物树脂和糖类高分子组成,在优选的原料与比例下对LDL有良好的特异性吸附作用,且具有良好的稳定性和生物相容性,可重复使用,成本低廉,有望投入大规模临床应用。其制备方法包括以下过程:将膜用聚合物树脂、磺化聚合物树脂、糖类高分子、致孔剂按一定比例溶于溶剂,制成均一的纺丝制膜液,将纺丝制膜液过滤、真空脱泡后,通过浸没沉淀相转化法纺丝制备中空纤维成膜,然后将所制得的中空纤维膜依次在去离子水和超纯水充分漂洗。本发明采用的共混溶解制备法具有操作简便安全、原材料廉价易得等优点。
浙江大学 2021-04-11
超晶格结构的纳米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制备方法
简介:本发明提供一种超晶格结构的纳米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制备方法,属于材料表面技术领域。本发明该超硬膜是由电弧离子镀的纳米晶体相Cr2N和磁控溅射镀的非晶体相WC层交替沉积而成,并且,超晶格的调制周期为10~20nm,Cr2N单层和WC单层的厚度分别为8~14nm和2~6nm。本发明的优点在于:Cr2N层与WC层交替分布实现了Cr-N基膜成分多元化和结构多层化,解决了抗氧化性较强的Cr-N基膜获得超高硬度的难题,同时非晶WC层进一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蚀性能,满足不能热处理的
安徽工业大学 2021-04-14
复极式离子膜电解槽极网自动化激光焊接成套技术装备
北京工业大学 2021-04-14
低能耗低污染膜/生物反应器(MBR) 污水处理技术与设备
技术特点及优势 1、对现有的用于污水处理的膜进行改性,提高膜通量,减小跨膜压力。膜通量较现有膜提高2倍以上,跨膜压力只有1米左右水柱。 2、突破了以往MBR膜都是与泥水直接接触的固有形式,对MBR结构进行了改进,减少膜与污泥、胞外聚合物(EPS)等膜污染关键物质的接触,可以极大缓解膜污染问题; 3 、采用的廉价耐污染膜材料,延长膜的使用寿命,降低运行成本; 4 、控制反应器微生物处于内源呼吸期,反应器中能有效建立细菌—原生动物—后生动物微生态系
哈尔滨工业大学 2021-04-14
一种燃料电池膜电极热压头上表面贴片的纠偏补偿方法
本发明公开了一种燃料电池膜电极热压头上表面贴片的纠偏补偿方法。传统的机器视觉采图后摆动气缸翻转,然后贴片,不能保证GDL 的贴装精度,另外,由于 GDL 料盒比 GDL 本身尺寸稍大,不能保证每次真空拾取机构吸取 GDL 的中心轴线都与旋转轴的中心轴线重合,因此翻转后也会有误差。本发明主要解决这两个误差的计算和补偿方法,实现热压头上表面的准确贴片。本发明基于现有的 GDL 热压装备实现,首先对相机进行标定,标定两个相机各自的像素坐标系和世界坐标系的关系,分别根据是由安装误差引起的贴片纠偏或者是由轴线
华中科技大学 2021-04-14
一种纳米氢氧化钴-石墨烯复合膜、其制备方法及应用
本发明公开了一种纳米氢氧化钴-石墨烯复合膜、其制备方法及 应用。所述复合膜,包括纳米石墨烯底层和纳米氢氧化钴表层,所述 纳米石墨烯底层厚度在 4000nm 至 6000nm 之间,所述纳米氢氧化钴表 层厚度在 50nm 至 100nm 之间,所述纳米氢氧化钴表层均匀沉积在所 述纳米石墨烯底层上。其制备方法,包括以下步骤:将氧化石墨烯均 匀分散于水中,涂敷在片状导电基底上,干燥得到纳米氧化石墨烯膜; 组建三电极体系采用
华中科技大学 2021-04-14
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