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北京它山石众播传媒科技有限公司
2021-08-23
含阳离子的钌络合物染料及其制备的染料敏化太阳能电池
本发明公开了一种含阳离子的钌络合物染料及其制备的染料敏 化太阳能电池。该钌络合物染料含有机阳离子，能改善染料敏化太阳 能电池的光电性能，具体地，能提高染料敏化太阳能电池的短路电流、 开路电压和填充因子，从而明显提高染料敏化太阳能电池的光电转换 效率。
华中科技大学
2021-04-14
一种太阳能驱动的基于纳米复合光热膜的海水淡化 / 废水净化装置
太阳能驱动的界面蒸发是一种绿色环保、可再生、有前途的用于海水淡化和废水净化的新方法，可以长期且有效的解决淡水资源短缺的问题。本科技创新成果为一种太阳能驱动的基于纳米复合光热膜的海水淡化 / 废水净化装置。通过调整纳米复合光热膜的相比例等因素，实现光热膜的选择与渗透率的平衡。纳米复合有利于形成多层微孔结构，促使光在膜内部发生多次内反射，并可以为蒸发提供足够的水输运通道。纳米复合光热膜具有协同效应，既可以实现高的水蒸发速率和蒸发率，又对有机染料、盐离子以及重金属离子等具有高的去除率。
西安电子科技大学
2023-05-04
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学
2021-04-10
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10
用于高效协同组播通信中继选择和功率控制法
本发明采用的模型将协同组播通信的每个组播分为两个时隙。在第一时隙，基于在第一个时隙中是否成功接收到数据，将均匀分布的N个用户划分为两个集合S和F，其中，S代表成功用户集，F代表失败用户集。在第二时隙，成功用户将数据转发给失败用户。与传统方法相比，本发明设计的最佳中继概率Pa*和最佳中继功率值p11*，能实现协同组播通信支持任意数据传输率的能效最大化。
电子科技大学
2021-04-10
大功率半导体激光器外延与芯片制备
成果简介本项目在国家973计划、863计划等研究成果基础上，跟踪国际趋势，形成9**nm 大功率单发光条半导体激光器，输出功率大于12W，寿命1万小时。主要优势：（1 ）填补国内空白。（2 ）易于光纤耦合。（3 ）多种波长可选。应用简介所处研发阶段：中试阶段适合应用领域：直接光加工、
北京工业大学
2021-04-14
低排放高性能小功率柴油机研发项目简介
小功率柴油机受结构限制，增压、电控、 EGR 等技术在单缸、两缸柴油机上不能采用，机内净化是降低排放、提高性能的主要途径，本项目主要技术创新：柴油机缸内燃烧优化，对不同工况，首次提出油气混合从“量、时、空”三方面细化和匹配，对有效燃烧空间的油气分布提出等过量空气系数分布方案和设计计算方法。设计新的喷油系统，采用大凸轮升程提高供油速率；带起动提前的柱塞新结构。在保证合适涡流比的前提下，提高气缸内的充量系数，提出进气量与供油量在柴油机工作区域每一工况点数量匹配量化理论，完成二代单缸机油量校正器的新设计，
江苏大学
2021-04-14
高效率高功率密度交流电源
先进交流电源技术是针对航空等领域所做的技术研发成果。电源输入 端为低压直流电，输出三相及单相正弦波电压源，电源功率从200W〜50KW。 电源釆用了模拟与数字双重保护技术，具有过流、过压、短路、过热等保 护功能，电路拓扑、磁性元件设计等应用了国际前沿工程技术，具有高可 靠性与高效率，能够替代国内的同类电源。性能指标： 1. 输入
西北工业大学
2021-04-14
一种高功率大带宽锗硅光电探测器
本发明公开了一种高功率大带宽锗硅光电探测器。该探测器是 模拟光子通信系统和微波光子系统中的硅基关键集成光电子器件，其 特征在于包括多个并联锗层结构和电感。多个并联的锗层结构的多个 锗层尺寸是可以不同的，以实现对寄生电阻的调控，在提高器件饱和 功率的同时保持了寄生参数不至显著增加。同时，通过引入片上和片 外电感，实现对器件寄生电感的调控，抬升器件高频处频率响应，提 升器件工作带宽。本发明提出的光电探测器采用集总电极结构
华中科技大学
2021-04-14