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北京中庆现代技术股份有限公司
北京中庆现代技术股份有限公司创建于1993年,是中庆集团旗下核心企业,坐落于“中国创新高地”——北京中关村集成电路设计园。作为中国教育信息技术领域的先导型企业之一,公司主要从事教学信息技术设备的研发、生产和销售,为全国大、中小学提供教学信息化产品与解决方案,是一家拥有高度自主核心知识产权的高新技术企业。重技术、重产品、重服务,做中国教育信息化全面解决方案提供商。公司坚持“技术服务教育”的理念,着力开发顺应教育行业发展趋势、最具有发展潜力的IT教育产品,多项新技术、新产品,获得国家专利,并取得了国家教育部、信息产业部等多部门的资质认证。 “中庆的脚步,行业的进步”。中庆二十余年的风雨历程,几乎就是中国教育信息化发展的缩影。中庆凭借对教育的深刻理解和浓厚感情,先后在嵌入式技术、多媒体技术、音视频技术等方面的取得领先的技术优势。今天的中庆在“中庆智课”、录播系统、STEM教育、教研平台四大产品方向上为教育提供全面的技术、咨询和服务:录播系统为市/区级和校级的音视频资源建设、管理和应用提供一体化的服务;STEM教育实现美国原版课程的本土化改造;教研平台依托云技术和移动互联网为教师专业成长提供创新的平台;2017年是人工智能大爆发的元年,中庆智课携手人工智能技术全面融合录播、学习、教研、互动和中控等多个平台应用,通过底层人工智能技术深度挖掘并分析课堂教学大数据,为平台提供即时数据分析和支持,录播大数据的价值得到真正利用,录播从此进入人工智能时代。 现代中庆拥有员工400余人,其中研发技术人员超过40%,坚持用“技术服务教育”,中庆先后为全国五万余所大、中、小学,提供了优质的产品和服务,中庆参与建设的多个教育信息化项目成为国家或省级推荐的示范区。如今“现代中庆”已成为蜚声全国教育行业的知名品牌。 现代中庆直属3个子公司、20个办事处、300余家认证代理商,形成遍及全国的营销和服务网络,为全国各地的教育用户提供了快速、优质的本地化服务。 根植教育,服务教育,中庆必将为中国教育信息化发展做出长久的贡献。
北京中庆现代技术股份有限公司 2021-02-01
陕西省科学技术厅关于征集“揭榜挂帅” 关键核心技术攻关和重大科技成果转化项目需求的通知
为加力加速推进秦创原创新驱动平台建设,促进产业链、创新链深度融合,提高科技计划支撑创新发展效能,调动全社会力量攻克陕西科技创新和产业发展亟待解决的关键核心技术,加快推动重大科技成果转化和产业化,省科技厅围绕我省23条重点产业链征集技术攻关类和成果转化类“揭榜挂帅”项目需求。
陕西省科学技术厅资源配置与管理处(重大专项处) 2022-03-15
关于2022年度河北省科学技术突出贡献奖、科学技术合作奖提名候选人(组织)的公示
根据《河北省科学技术奖励办法》(河北省人民政府令[2021]第4号)、《河北省科学技术奖励办法实施细则》(冀科成市规[2022]1号),现将拟受理人(组织)向社会公示,公示期15天。自公布之日起15日内,任何个人、单位对公示内容持有异议的,可以书面形式向我厅实名提出,并按要求提供身份证明、有效联系方式以及必要的证据材料或者调查线索,逾期不予受理。
河北省科学技术厅 2022-10-24
海南省科学技术厅关于2022年度海南省技术创新和科技成果转化平台名单的公示
根据《海南省科学技术厅关于印发的通知》(琼科规〔2022〕42号)相关规定,现将2022年度海南省技术创新和科技成果转化平台名单予以公示,公示期为7月24-28日。
省科学技术厅 2023-07-21
青海省科学技术厅关于2022年度青海省科学技术奖励委员会会议审议结果的公示
根据《青海省科学技术奖励办法》及其实施细则的规定,现将通过2022年度青海省科学技术奖励委员会会议审议的1名科学技术重大贡献奖建议获奖人,40项建议获奖项目予以公示。
青海省科技厅 2023-08-04
技术需求:机械方面:机械设计、机械制造工艺学、机电一体化技术、机械制造及其自动化等学科。
机械方面:机械设计、机械制造工艺学、机电一体化技术、机械制造及其自动化等学科。电气方面;电气工程及其自动化、机电一体化系统、电气控制与PLC,电机与电器、电力工程等学科。
山东赛瓦特动力设备有限公司 2021-08-19
我国科学家实现生物3D打印技术重要突破
生物3D打印是利用3D打印机,将含有细胞、生长因子和生物材料的生物墨水打印出仿生组织结构的新兴技术,但目前仍无法制备具有生理功能并且可以长期存活的复杂组织。
科技部生物中心 2022-04-01
我国科学家研发出高阶多重实时荧光PCR检测技术
实时荧光PCR技术是目前应用最为广泛的核酸检测技术。然而,由于主流荧光PCR仪器检测通道数目的限制,单个反应所能检测的靶基因数目很难超过6个,限制了该技术在检测涉及多靶点的复杂疾病上的应用。
科技部生物中心 2022-03-23
大型电力变压器局部放电缺陷的测量与诊断技术
该成果提出了变压器局部放电检测的系统的、全面的外部干扰排除方法;提出了变压器局部放电超宽带天线阵列定位新技术;提出了变压器内部局部放电缺陷严重程度的特征参数,进而提出了局部放电缺陷的类型和严重程度的诊断方法,并且设计并实现了相应的自动诊断软件。 研究成果通过了实验室试验验证,并在上海市电力检修公司和福建省十余座变电站得到应用。该成果抗干扰技术的在线检测结果的准确性与过去相比提高了3倍,准确率提高到95%;定位技术误差一般不超过30cm;总体运算时间在秒级,Y型优化阵列准确定位区域比现有的矩形阵列大18倍。 该成果在局部放电缺陷严重程度的诊断方法和预警预测方法方面填补了国内外空白,对放电类型的严重程度识别的准确度达到了93.3%以上。授权发明专利3项,发表SCI、EI论文14篇,并获得2012年福建省科学技术奖三等奖。
华北电力大学 2021-02-01
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一,具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点,能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求,正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比,目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上,从而减少甚至取消冷却系统,大幅度降低系统体积和重量,因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管(图1,有源区面积0.9mm2);4000V/30A的SiC PiN二极管(图2);击穿电压>5000V的SiC JBS二极管(图3)。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件:(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件:(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件:(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学 2021-04-10
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