将等张剂溶于注射用水中，用  NaOH  调节  pH  至  6.0  ～  8.0 得水相 ；将注射用油和稳定剂，于  40-90 ℃下预热 ；加入丁酸氯维地平，摇匀混合 ；加入乳化剂，采用高速分散机剪切得油相 ；将油相缓慢加入水相中，采用高速分散机剪切，高速剪切机剪切得到稳定的初乳 ；初乳进行高压均质即得丁酸氯维地平脂微球注射液

本发明公开一种锂硫电池正极材料及制备方法，首先分别配置溶质为含碳聚合物以及含碳聚合物与过渡金属盐的静电纺丝溶液，经过静电纺丝、碳化处理得到双层的具有柔性的原位掺杂过渡金属的碳纳米纤维基底材料，再通过升华硫/二硫化碳溶液进行液相载硫，得到负载硫的双层碳纳米纤维基底材料，然后构筑中间两层均为原位掺杂过渡金属且均匀负载硫的碳纳米纤维层的四层碳纳米纤维基底材料，然后升至150℃保温15min，随炉降温，即得锂硫电池正极材料，硫含量为40?60%。

综述了锂离子电池正极材料的工作原理,应具备的结构与性质以及目前最具有吸引力的三种正极材料LiCoO2,LiNiO2,LiMn2O4.通过比较这三种正极材料的制备方法和电化学性能,讨论了这些材料存在的问题和相应的解决方法。

本发明涉及一种苯并咪唑基聚醚铜缓蚀剂及其制备方法，该铜缓蚀剂是以聚醚羧酸酯与甲氧基聚乙二醇邻苯二胺醚在微波辅助下进行关环缩合反应制得，聚醚羧酸酯是由氨基酸对聚乙二醇单甲醚进行封端制得，甲氧基聚乙二醇邻苯二胺醚是由聚乙二醇单甲醚与4?甲氧基邻苯二胺进行亲核取代反应制得，该缓蚀剂的结构通式为：其中：聚合度n为4～50，重复单元m为1或2。该缓蚀剂适用于高盐环境中的铜缓蚀，分子结构中含有较多的醚基、氨基、酯基、苯并咪唑环上氮原子，实现了其在铜表面的有效键合和吸附，显著提高了该铜缓蚀剂的腐蚀防护性能，在45℃3.5wt.％氯化钠溶液中，添加量为80mg/L时，该缓蚀剂对紫铜的缓蚀率可达90％以上。

一种镁合金喷印浆料及其制备方法，浆料按重量百分比计，包括5?50wt％的镁合金颗粒，质量占比10?40％的改性聚乳酸颗粒及余量助剂；所述助剂，由溶剂、稠度调节剂、活性剂及触变剂组成；所述镁合金颗粒为AZ31镁合金，粒径为25?38μm。方法是：称取溶剂、稠度调节剂并混合搅拌，再用三辊机剪切加入触变剂和活性剂，称取聚乳酸、纳米羟基磷灰石、溶剂及分散剂并混合，称取镁合金颗粒与改性聚乳酸颗粒并与助剂混合。采用上述技术方案，通过加入特定粒径的改性聚乳酸颗粒，在浆料受力发生滑动时，起到一个小颗粒对镁合金大颗粒的润滑作用，提高了浆料的喷印性能。

本发明公开了一种自乳化阿霉素纳米药物，是由阿霉素上8-羟乙酰基的羰基通过体内可降解的化学键与亲水基团连接而成的；该药物前体通过将亲水性小分子基团或亲水性聚合物短链量引入到疏水的DOX分子上使其成为亲水-疏水型分子，在水中能自组装纳米大小的颗粒或囊泡，可利用EPR效应靶向肿瘤组织，具有载药量高、毒副作用小、保留了阿霉素本身的高细胞毒性的特点。本发明还公开了一种自乳化阿霉素纳米药物的制备方法，载药量高，产率高，适于工业化生产。

单层半导体性过渡族金属硫属化合物（MX2: MoS2, WS2 等）是继石墨烯之后备受关注的二维层状材料。该类材料具有优异的电学性质、强的光物相互作用、高效的催化特性等，在光电子学器件、传感器件、电催化产氢等领域具有非常广阔的应用前景。单层MX2 材料的批量制备和高品质转移是关键的科学问题。现有方法仍面临着诸多重大挑战，例如，难以实现晶圆尺寸的层数均匀性、单晶畴区小、生长速度缓慢、生长衬底价格昂贵、转移过程复杂、容易引入污染物等。北京大学张艳锋课题组是国内较早开展相关研究的课题组之一，在单层MX2材料的可控制备、精密表征和电催化产氢应用方面取得了一系列重要进展：基于范德华外延的机理，他们在晶格匹配的云母基底上首次获得了厘米尺度均匀的单层MoS2 (Nano Lett. 13, 3870 (2013)，他引198次)； 在蓝宝石上获得了大畴区单层WS2 (ACS Nano 7, 8963 (2013), 他引250次)；发展了一种新型的金属性箔材(Au箔)基底，实现了畴区尺寸可调单层MoS2的制备，借助STM/STS表征技术建立起了材料原子尺度的形貌/缺陷态、电子结构和电催化析氢之间的构效关系 (ACS Nano 8, 10196 (2014)，他引124次)。上述成果也受邀撰写综述文章(Chem. Soc. Rev. 44, 2587 (2015)，他引92次)。最近他们在大尺寸均匀MoS2的批量制备以及“绿色”转移方面取得重要进展。他们选用廉价易得的普通玻璃作为基底，创新性地采用Mo箔作为金属源(与S粉共同作为前驱体)，采用“face-to-face”的金属前驱体供给方式，实现了前驱体在样品上下游的均匀供应，使得样品尺寸可以得到最大限度的放大(仅受限于炉体尺寸)，获得了对角线长度可达6英寸的均匀单层MoS2; 结合DFT理论计算和系统的实验结果发现，玻璃基底上微量的Na对材料生长起到明显的促进作用, Na倾向于吸附在MoS2畴区的边缘，起到显著降低MoS2拼接生长能垒的作用，从而促进其快速生长。 获取满覆盖单层样品的生长时间仅为8 min，单晶畴区边缘尺寸可达0.5 mm。此外，他们利用玻璃基底的亲水特性，发展了一种无刻蚀的、仅利用超纯水辅助的“绿色”转移方法。该方法适用于晶圆尺寸样品的快速转移，且具有操作简单，转移样品质量高等明显优势。该工作提出了利用廉价的普通玻璃基底来制备大面积、晶圆尺寸均匀、大畴区单层MoS2的新方法/新途径，并深入分析了其生长机制，为相关二维材料的批量制备和高效转移提供了重要的实验依据，对于推动该类材料的实际应用具有非常重要的意义。

本发明提供一种温控缓释抗寒型种衣剂，由温控缓释抗寒剂和包衣辅料组成，所述的温控缓释抗寒剂由温控缓释材料和水杨酸组成，所述的温控缓释材料为N-异丙基丙烯酰胺与甲基丙烯酸丁酯的无规共聚物，所述的抗寒剂与包衣辅料的质量比为0.0015～0.03:1。本发明还提供了温控缓释抗寒剂的制备方法。本发明提供的温控缓释抗寒型种衣剂能够发挥温控缓释材料的温控作用，使其控制抗寒剂在特定的温度下释放，以保证抗寒剂的有效作用充分发挥，同时也可节约成本，减少环境污染。

本发明公开了一种铁基非晶合金磁性材料及其制备方法。该合金材料的化 学分子式为：(Fe100-aCoa)x-Dyy-Bz-Siw，式中的x，y，z，w为原子百分数：60≤x ≤75，5≤y≤25，20≤z≤25，0≤w≤10，0≤a≤10，且x+y+z+w＝100。该合金 的制备过程如下：将工业纯金属原料以及FeB合金按合金配方配料，采用真空 感应熔炼成母合金，然后用单辊甩带法制得非晶薄带。本发明具有较好的玻璃 形成能力，且软磁性能优良。所需的原材料大多为工业纯度，从而降低了成本， 同时制备工艺简单，可广泛应用于结构材料和磁性材料等方面。

本发明公开了一种柔性超疏水超疏油结构制备方法，该制备方 法包括如下步骤：(1)制作柔性超疏水超疏油结构底层：在基底上旋涂 一层负性光刻胶，不用掩膜进行曝光；(2)在步骤(1)曝光后的负性光刻 胶上旋涂一层负性光刻胶，利用阵列图形掩膜进行曝光；(3)结构层光 刻胶第二次曝光：采用跟步骤(2)对应的掩模进行套刻曝光；(4)显影： 将上述步骤中曝光后的结构进行显影；(5)镀保护层膜：在步骤(4)中得 到的结构表面形成一层保护膜；(6)剥离：将经过步骤(5)处理后得到的 结构从基底上剥离，得到所述柔性超疏水超疏油结构。按照本发明的 制备方法，工艺简单，成本低廉，对该柔性超疏水超疏油结构的普及 应用具有极大的促进作用。