本发明提供了一种石墨烯快速剥离的方法；该方法包括 S1 利用化学气相沉积法在镍片上生长石墨烯；其中生长温度为 750℃～1000℃，生长时间为 10～30 分钟，生长时通入气体为甲烷 10～80sccm和氢气 5～10sccm 并保持生长气压为常压；S2 将所述附着有石墨烯的镍片浸泡在氯化铁溶液中，经过电化学腐蚀后获得剥离后的石墨烯。本发明可以在几十秒到几十分钟内把石墨烯无破损地从基底镍片上剥离下来。这为石墨烯的基础研究和应用提供一种快速的新途径。本发明操作简单，可以快速的把石墨烯转移到任何基片上；

光收发芯片是光收发模块中的集成电路，并不包括激光芯片，是指光纤宽带网络物理层的主要基础芯片，包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驱动器三种。它们被用于光纤传输的前端，来实现高速传输信号的光电、电光转换，这些功能被集成在光纤收发模块中。

围绕自主通用处理器，研发操作系统及其之上的核心 API 软件，支撑国家信息化建设，并致力于构建区别于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生态体系 。

产品详细介绍 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP110) 　　EP110为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器，设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电，这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP110集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP110采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP112) 　　EP112为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器，设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电，这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP112集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP112采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。 　　1.0625Gbps至14Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收发芯片,工作在高达14Gbps的数据速率、非常适合以太网和光纤通道应用。在EP116的发射和接收路径上集成了CDR功能，解决了大多数高速系统存在的信号失真问题。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP116集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性、去加重)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、可编程去加重、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP116采用无铅、6mm*6mm、48引脚QFN封装。 　　特点： 　　3.3供电时，功耗仅为500mW 　　工作速率高达10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收灵敏度 　　Rx和Tx极性选择 　　可调节触发LOS报警电平 　　LOS极性选择 　　能够向100欧姆差分负载提供高达12mA的调制电流 　　偏置电流高达19mA 　　Rx输出可选择去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可调节调制输出的眼图交叉点 　　工作温度: -40度 到 90度

产品详细介绍EPT-90电熔拉伸剥离试样制样机关键词：拉伸剥离，电熔管，GB/T 19808一.用途：本机用于从整根电熔管材取样，采用双刀一次性切好我们想要的拉伸剥离样条，切片尺寸可调、快速、表面光滑，满足氧化诱导实验要求，目前是各大管材厂家和特检所的必备设备。二.原理：从整根电熔管材上取样，采用双刀一次性切好我们想要的拉伸剥离样条的取样。把管子放到工加位上，通过手摇手柄调节夹紧电熔管子，调好位置，再调节双锯的高度，《但一次不能切太多，电机负载太大会烧电机》。按双刀开关起动后，再按前进开关，观察切的速度，会不会夹刀，如有夹刀调节双锯高度。切到位后升高双锯，按后退开关，等双锯回到原位，再重复前面的动做，直到完全切开我们想要的试样。在切下一个样品时按点动转圈开关，调节好电熔管件位置。三.依据标准:本机满足于GB/T 19808-2005《塑料管材和管件 公称外径大于或等于90mm的聚乙烯电熔组件的拉伸剥离试验》规定的电熔承插焊接接头拉伸剥离试样制备要求四.技术性能指标1、切割管径范围：不小于90mm～630mm。2、夹持管长范围：不小于300mm～1000mm。3、两平行切刀间距：不小于150mm～800mm，可调。5、切割试样宽度范围：不小于25mm～100mm，可调。6、切割试样宽度最大偏差：不超过0～5mm。7、试样规格：通过双切刀模式，试样一次切割形成，符合GB/T 19808-2005要求，两侧面相互平行且与圆弧中轴面对称。8、X轴行程：0mm～1000 mm。9、Z轴行程：0mm～1200 mm。10、切割宽度：任意可调。12、切割长度：任意可调。13、外观材质：由型材和A3板烤漆而成。14、由二个切割刀，多个传动系统组成，使用步电机、丝杆等。

本发明提供了一种气动直线驱动的芯片拾取翻转装置，主要包括旋转驱动组件、翻转臂组件、直线驱动组件、芯片吸取组件和传感器组件，在旋转驱动组件的驱动下翻转臂组件带动芯片吸取组件翻转实现对芯片的翻转，直线驱动组件驱使吸取组件的吸嘴靠近或远离芯片实现对芯片的安全吸取，传感器组件检测吸取组件的翻转角度以供外部控制系统。旋转驱动组件采用伺服电机与减速器的配合方式，保证较高的翻转精度；直线驱动组件采用气动驱动方式调节吸嘴与芯片间的距离以保证两者间的安全间隙。

本发明公开了一种细胞寻址微流控芯片、细胞分析装置及方法。所述芯片包括细胞培养通道、一对侧压通道、寻址通道、刺激通道和废液通道；工作时，芯片处于寻址状态，则寻址通道压力大于刺激通道；芯片处于刺激状态，则刺激通道压力大于寻址通道。所述细胞分析装置包括所述微流控芯片、信号采集装电气比例转换阀，芯片侧压通道、寻址通道和刺激通道的入口端通分别与独立的电气比例转换阀相连，每个电气比例转换阀根据不同电信号，输出相应液压；信号采集装置设置在细胞培养通道处，用于采集细胞信号或对细胞进行成像。本发明解决了现有基于微流控

本发明公开了一种面向芯片级器件的焊点制备装置，包括：溶液容器，用于提供焊料溶液；流量分配器，其上设置有阵列布置的多个喷嘴，其与溶液容器连通，焊料溶液通过喷嘴喷出；器件固定板，其通过一底板固定在喷嘴下方，其上平铺有待制备焊点的器件，且该器件固定板与喷嘴通过高压发生器相连，两者之间形成高压电场；还包括管芯模，其包括呈阵列布置的多个管芯，且各管芯一一对应配合插装在喷嘴中，在各喷嘴和管芯之间的空隙内形成容纳焊料溶液的空间，在电场的作用下，焊料溶液通过该喷嘴中的空间进行流量分配后喷出形成喷点或喷丝，滴落于器件

耐高低温高剪切高剥离胶粘剂具有耐受高低温，具有高剪切强度、高剥离强度（高韧性）的特点,近年来广泛应用于航空、航天、电子、化工、机械、交通、建筑等领域。如在飞机、火箭中为了减轻质量、减少应力集中,常使用高强度结构胶来粘接铝合金、不锈钢和非金属复合材料;各种车辆的离合器摩擦片、制动的粘接。本产品特别适用于超低温（液氦、液氢、液氮）环境或需在-196℃~150℃宽范围下保持高剪切、高剥离强度的条件下使用；也适用于薄膜，包括有透明度要求的薄膜的粘接。 主要性能指标：1. 冷热冲击：-196℃～150℃；2. 剪切强度：-196℃≥20MPa；室温≥25MPa；80℃≥10~15MPa；100~140℃≥5MPa；3. 剥离强度：室温≥50N/cm；-70℃≥40N/cm； 该项目具有自主知识产权，有多种牌号供用户选择。

针对生化芯片加工新技术,根据生化样品特征，按照整体、高效设计，制备 出生化芯片，具有适应面广、直观，无创，高效等优点，在生物医学、食品安全 生化芯片加工等方面都具有广泛的应用前景。