一种石墨烯快速剥离的方法

其它领域

本发明提供了一种石墨烯快速剥离的方法；该方法包括 S1 利用化学气相沉积法在镍片上生长石墨烯；其中生长温度为 750℃～1000℃，生长时间为 10～30 分钟，生长时通入气体为甲烷 10～80sccm和氢气 5～10sccm 并保持生长气压为常压；S2 将所述附着有石墨烯的镍片浸泡在氯化铁溶液中，经过电化学腐蚀后获得剥离后的石墨烯。本发明可以在几十秒到几十分钟内把石墨烯无破损地从基底镍片上剥离下来。这为石墨烯的基础研究和应用提供一种快速的新途径。本发明操作简单，可以快速的把石墨烯转移到任何基片上；

未应用