已有样品/n这项封装技术是利用芯片本身的衬底和封装材料作为封装基板，简化发光二极 管的工艺路径，降低全工艺成本，提供最小的发光二极管封装体积，全角度发光特 性，降低器件封装热阻，实现对发光二极管电学和光学性能更好的控制，并具有简 单、成本低等优点。与传统工艺封装相比成本降低 30%左右，发光效率与传统封装 相当。 随着LED技术的进步，外延与芯片工艺在发光二极管成本中所占的比例相对降 低，而封装步骤由于耗费材料和工艺步骤较多且技术含量较低，其成本难以降低。 作为现有封装结构与晶圆级封装结构的中间阶段

随着电子元器件集成度不断提高，有效热管理已成为电子设备高效运行和稳定工作的关键。其中，发展高导热、电绝缘的环氧树脂基电子封装材料是芯片及电子元器件高效工作时有效热管理的必要途径。 一、项目分类 关键核心技术突破 二、成果简介 随着电子元器件集成度不断提高，有效热管理已成为电子设备高效运行和稳定工作的关键。其中，发展高导热、电绝缘的环氧树脂基电子封装材料是芯片及电子元器件高效工作时有效热管理的必要途径。然而，环氧树脂的低导热特性限制了其在电子封装领域的应用，开发热导率高（＞1 W/mK）、玻璃化温度高（＞125 ℃）、黏度低（＜20 Pa·s，25℃）、热膨胀系数合适（20-30 ppm/℃），且具有良好电绝缘性的环氧树脂基电子封装材料已成为行业迫切需求。

本实用新型提供了一种具有翻转芯片功能的芯片吸取装置，包括 Z 向高度调节与支撑机构、翻转驱动机构、芯片吸取机构，Z 向高度调节与支撑机构将芯片吸取机构移动到适宜高度，翻转驱动机构驱动芯片吸取机构旋转，芯片吸取机构包括直线导向运动部件和芯片吸取元件，直线导向运动部件内设有直线轴承和弹簧，直线导向轴从上往下穿过直线轴承和弹簧，其端部连接芯片吸取元件，由于弹簧的缓冲作用，芯片吸取元件将芯片吸住后跟随芯片上升一定的高度，再在翻转驱动机构的作用下旋转到达芯片供给位置。本实用新型一方面避免了非接触式吸取的不可靠

移液枪头封装机，包括上料机构、还包括送料机构和装盒机构，装盒机构包括用于从所述送料机构处取枪头的取枪头机构、用于放置枪头盒的枪头盒平台、用于推动枪头盒在枪头盒平台上运动的电动推杆、用于搭载枪头盒平台并可带动枪头盒平台沿两个互为垂直的方向运动的水平工作台；枪头盒平台的边缘设置有扣盖机构。其中，上料机构完成移液枪头的逐个上料，送料机构将上料后的移液枪头进一步输送，取枪头机构从送料机构处取移液枪头，并逐个置于枪头盒中，电动推杆完成枪头盒的推送，过程中扣盖机构完成扣盖。本发明提供了一种集输送、装盒、封装功能于一体的移液枪头自动封装系统，装盒封装过程中，不需人工干预，可极大的提高移液枪头装盒操作的效率。

出于环境保护及人类健康的考虑，电子工业中逐渐限制并禁上使用含铅钎料不可避免。美国、日本等通过立法禁上铅等有毒元素的使用，欧盟已于2006年停止使用含铅钎料。作为世界贸易组织成员国的一员，提高我国电子产品在国际上的竞争力，尽早开发具有自主知识产权的无铅钎料，并早日实现产业化是急需而必要的。我们开发的无铅钎料合金具有优良的力学性能和可焊性，可满足电子工业、家电行业的需要，成本合理，技术成熟。目前，Sn-Pb合金国内用量约3万吨，可见无铅钎料市场十分广阔，抓住机遇，使无铅料产业

光热耦合可靠性研究，通过建立LED热阻网络，提出了荧光粉光热耦合模型，进而设计了高发光效率、低工作温度、高可靠性的LED 一、项目分类 关键核心技术突破 二、成果简介 LED被誉为21世纪绿色照明光源和第四代光源。LED封装是LED产业链中关键的一个环节，是连接芯片和应用的桥梁。本技术的研究工作和成果包括：1）封装工艺设计优化，研究了各种封装参数对出光的影响规律，并根据涂覆的流动特性提出了多种控制涂覆形貌的涂覆新工艺，进而提升取光效率及光色品质；2）光热耦合可靠性研究，通过建立LED热阻网络，提出了荧光粉光热耦合模型，进而设计了高发光效率、低工作温度、高可靠性的LED；3）复杂应用下的光学设计，以高光效、高空间颜色均匀度为目标，提出了实现能量任意映射的非成像光学普适性透镜算法，并据此开发了透镜设计软件；4）量子点封装，提出多种高光热性能的量子点制备方法和封装工艺，首创封装内热管理方案，解决量子点散热瓶颈。

光收发芯片是光收发模块中的集成电路，并不包括激光芯片，是指光纤宽带网络物理层的主要基础芯片，包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驱动器三种。它们被用于光纤传输的前端，来实现高速传输信号的光电、电光转换，这些功能被集成在光纤收发模块中。

围绕自主通用处理器，研发操作系统及其之上的核心 API 软件，支撑国家信息化建设，并致力于构建区别于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生态体系 。

产品详细介绍 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP110) 　　EP110为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器，设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电，这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP110集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP110采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP112) 　　EP112为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器，设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电，这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP112集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP112采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。 　　1.0625Gbps至14Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收发芯片,工作在高达14Gbps的数据速率、非常适合以太网和光纤通道应用。在EP116的发射和接收路径上集成了CDR功能，解决了大多数高速系统存在的信号失真问题。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP116集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性、去加重)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、可编程去加重、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP116采用无铅、6mm*6mm、48引脚QFN封装。 　　特点： 　　3.3供电时，功耗仅为500mW 　　工作速率高达10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收灵敏度 　　Rx和Tx极性选择 　　可调节触发LOS报警电平 　　LOS极性选择 　　能够向100欧姆差分负载提供高达12mA的调制电流 　　偏置电流高达19mA 　　Rx输出可选择去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可调节调制输出的眼图交叉点 　　工作温度: -40度 到 90度

近些年LED照明技术革命引起世界各国的普遍重视，市场潜力巨大，其中LED封装胶是LED应用的关键材料之一，其主要功能在于负载荧光粉并为供芯片提供足够的保护，使其发光更亮、更持久。封装胶材料对LED芯片的功能发挥具有重要的影响，散热不畅或出光率低均会导致芯片的功能失效，目前市场上高端LED封装胶主要由道康宁、信越等国外公司垄断。 本项目研制了新一代LED封装胶，并建立了新的胶联理论和方法，解决了以往封装胶合成过程中需要金属催化剂而引起的金属残留问题，提高了封装胶材料的性能和寿命，相对于现用的市场上的国外标杆产品，北航自主开发的新一代LED封装胶在耐老化性能、抗黄变性能方面通过了更为苛刻的实验测试，且原材料成本低廉，极具市场竞争力。