高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
专家报告荟萃⑰ | 人力资源与社会保障部就业促进司一级巡视员尹建堃:基于数字时代背景下创新创业教育改革发展
创业是就业之源,具有就业的倍增效应。今天我们探讨数字时代背景下创新创业教育改革发展,我相信必将进一步激发大学生创业的热情,更推进高质量充分就业。
中国高等教育博览会 2025-01-17
高性能自适应红外焦平面探测系统芯片及其应用技术研究
本项目整体技术通过产学研用相结合,已得到充分的推广应用。本成果申请专利85项,其中授权34项,发表SCI/EI论文69篇;本项目攻克了片上自适应补偿与校正、输出数字化、智能图像增强等关键技术;研制出了目前国际上最先进的智能灵巧型焦平面探测系统芯片;解决了系统芯片低噪声、低温漂、高均匀性、智能灵巧化的瓶颈问题;实现了焦平面向单片集成片上系统的跨越式发展。经权威检测和鉴定:该成果的综合技术指标达到国际先进水平,其中RMS噪声电压(325.3 µV)、固定图像噪声电压(12.1mV)居国际领先”。
电子科技大学 2021-04-14
用于集成系统和功率管理的多层次系统芯片低功耗设计技术
本成果面向国家亟需的复杂系统集成和功率管理等应用,采用多层次设计的指导思想,研究并突破了系统芯片多层次低功耗关键设计技术,提出了复杂片上网络系统建模、低功耗路由及互连、超低功耗模拟电路 IP 设计技术和高效率集成化功率转换和功率管理技术。提出的系统芯片低功耗多层次设计技术广泛适用于系统集成芯片、数模混合集成以及功率管理和功率转换系统,显著降低了数字信号处理器、多模多频移动基带等芯片的功耗水平,使单片功耗由瓦级降低到毫瓦级,具有广泛的适应性和兼容性。 NOC 模拟器软件支持二维和三维的 Mesh、Torus、Clustered Mesh、Clustered Torus 拓扑结构类型,交换机制为 Wormhole,路由算法为 XY 路由算法,通信模式支持 uniform 和 hotspot 模式,数据包长度可调,片上通信量可配置,最终能评估片上网络系统芯片的跳转延迟等各种延迟时间参数、仲裁能耗等各种能耗参数、实际包产生率、产生成功率、数据包分布等性能和功耗参数。 图1 NoC仿真软件 图2 绿色节能AC/DC功率转换器芯片
西安电子科技大学 2022-11-02
一种双模一体化红外面阵电控液晶微透镜芯片
本发明公开了一种双模一体化红外面阵电控液晶微透镜芯片,包括双模一体化红外面阵电控液晶微透镜和驱控信号输入端口,双模一体化红外面阵电控液晶微透镜为 m×n 元,其中,m、n 均为大于 1的整数,双模一体化红外面阵电控液晶微透镜采用液晶夹层结构,且上下层之间顺次设置有第一基片、第一平板电极层、第一电隔离层、图案化电极层、第二电隔离层、第一液晶定向层、液晶层、第二液晶定向层、第三电隔离层、第二平板电极层、第二基片,第一平板
华中科技大学 2021-04-14
一种基于微流控芯片粒子捕获式的单粒子散射测量装置
本发明公开了一种基于微流控芯片粒子捕获式单粒子散射测量 装置,包括光源、分光光路、测量对准组件、探测组件和微流控芯片。 结合 Mie 散射理论计算的理论散射曲线参照,完成单粒子圆周范围内 大角度范围散射场的测量;同时由于结合了微流控芯片技术,解决了 单粒子的捕获和单粒子环境的构建问题。 
华中科技大学 2021-04-14
一种微流控芯片及其在单分散纳米颗粒制备中的应用
本发明公开了一种微流控芯片及其在单分散纳米颗粒制备中的 应用。所述芯片包括内管、外管和外管进样头;所述内管与外管共中 心轴套接;所述内管一端为尖端出样口,深入外管内部,内管另一端 为进样口,伸出外管外部;所述外管进样头嵌合在外管管壁上。本发 明提供的微流控芯片结构简单,使用寿命较长,具备各向均一性,制 备的纳米颗粒单分散性好,粒径一致。 
华中科技大学 2021-04-14
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低,可反向导通,dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路,通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰;同时利用高端栅极钳位技术,在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位,防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为: ? 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ? 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ? 高端浮动电压轨到100V ? 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ? 快速的延迟时间 (28ns typ) ? 非常优越的延时匹配(1.5ns typ)
电子科技大学 2021-04-10
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路,通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰;同时利用高端栅极钳位技术,在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位,防止对上开关管的损坏。
电子科技大学 2021-04-10
稀土掺杂非磁过渡金属对“铁磁/非磁”纳米自旋泵浦器件的磁性调控
成果介绍铁磁(FM)/非磁(NM)结构的双层膜中发现的自旋泵浦(spin pumping)效应是磁学和自旋电子学中的一个突破性发展,因此吸引了众多的研究兴趣。它和铁磁层自旋极化电流相关,同时又和非磁层的自旋轨道耦合有直接联系。本项目采用具有较高的自旋轨道耦合系数的稀土金属调制非磁层,运用铁磁共振和输运两种方法,并结合结构、磁性和同步辐射分析等手段,研究不同稀土掺杂对铁磁/非磁过渡-稀土合金(Py/NM-RE)复合纳米双层膜的结构和界面的影响,得到自旋泵浦强度、界面混合电导以及非磁层的自旋轨道耦合强度和自旋扩散长度的调控规律。从而探索该复合纳米双层膜中的界面自旋泵浦效应和非磁层自旋轨道耦合对自旋动力阻尼的影响机制。这些研究结果将有利于开发新型复合磁性材料和新型强自旋-轨道耦合的非磁材料,有利于集成多功能自旋器件。
东南大学 2021-04-11
清华大学集成电路学院任天令团队在柔性声学器件领域取得重要进展
清华大学集成电路学院任天令教授团队报道了一种基于微结构衬底的MXene声学传感器,用于模仿人耳膜的功能来实现声音的探测与识别。
清华大学 2022-04-01
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 74 75 76
  • ...
  • 90 91 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1