Ø 本项目是基于windows系统的点点连格智能对弈系统，拥有自主学习、决策智能训练的出众特点，同时具有人机对弈，机器对弈等基本功能。本项目由学生自主开发并且参加2011年全国第五届大学生计算机博弈大赛获得全国一等奖（亚军）。

近年来高品质钢种开发和高效连铸技术的快速进步，对结晶器过程在线监控技术提出了更高的要求，在连铸坯质量控制、事故预报、工艺优化、设备运行维护和连铸机设化等方面有着广阔的应用前景。本团队开发出了具有特色的系列核心技术，包括结晶器传热与铸坯凝固进程实时计算、结晶器过程数值模拟并行计算方法、连铸坯-保护渣-结晶器多维可视化、连铸坯纵裂纹在线预报等。

产品详细介绍

采用了原位透射电镜（in situ TEM）来表征相转化过程，因其可在原子尺度下直接观察样品在外界作用下（力、热、电、磁等）或化学反应过程中的微结构变化。动画1展示了fcc晶相向4H晶相的动态转变过程：首先fcc-Au纳米粒子中的金原子被高能电子束激活，在CO气体中扩散到界面区域，金原子扩散导致金颗粒烧结形成紧密接触的界面，然后从两相界面开始发生fcc-4H相变。此外，我们发现当fcc金纳米颗粒位于纳米棒的4H和fcc交界处时，位于4H区域的金转变

本发明公开了一种铁基非晶及纳米晶合金的成型方法，属于增 材制造领域。采用微喷射粘结成型方法将铁基非晶混合粉末或纳米晶 合金混合粉末制备成坯体，然后烧结坯体获得制品。铁基非晶混合粉 末或纳米晶合金混合粉末中均匀混合有粘结剂。烧结采用的温度高于 粘结剂的熔点 5℃～10℃，同时低于铁基非晶粉末相变温度或纳米晶 合金粉末相变温度。本发明方法能够用来制备大尺寸复杂形状块体铁 基非晶及纳米晶合金制品。 

2020年网络通信与安全紫金山实验室宣布，我国自主可控、成本超低的毫米波相控阵芯片诞生，它覆盖广、速度快，为我国实现毫米波通信技术商用全面化迈出了坚实一步。毫米波相控阵芯片我国商用毫米波相控阵芯片出炉，也标志着中国占据了未来5G通信领域的制高点，也无需担心在芯片应用上受制于人，举例来说，256通道的典型相控阵天线售价高达上百万元，这些技术以往都被美国等西方国家牢牢握在手中，我国不得不以高价购买，如今我国率先突破商用毫米波相控阵芯片，确实是值得庆祝的好消息。毫米波的波长范围为1-10毫米，频率则为30GHz-300GHz，以直射波的方式在空间进行传播，据公开的资料显示，毫米波对沙尘和烟雾具有很强的穿透力，几乎能无衰减的通过沙尘和烟雾，甚至在爆炸和金属散射的条件下，毫米波也能较快地从衰减期恢复通信峰值，又因为毫米波比微波的波束要窄，分辨相距更近的小目标时，毫米波可以更清晰的观察目标细节。5G毫米波相控阵芯片毫米波不仅对改善民用通信有帮助，在军事领域同样至关重要，打个比方，两架战机高速对向移动，它们要实现信息传递必须在空间中找到相互通信的定向天线波束，这是一个非常困难的挑战，而毫米波数字阵列程序，就能很好地解决这个问题，毫米波数字阵列程序采用的单元级数字形成波束技术，可以灵活的变通波束通信方案，能大大缩减发现节点时间，提高信息吞吐量。总之，我国商用毫米波相控阵芯片的诞生，对我国未来社会发展、国防力量提升都有促进作用。分析人士指出，这个突破不仅仅是一组数据、一种芯片的突破，它揭示了伊朗刚刚受到的屈辱，永远不会出现在中国。原文：https://baijiahao.baidu.com/s?id=1656335203191635680&wfr=spider&for=pc

液相芯片在多元生物分析中具有重要应用，而与该技术相关的知识产权都被国外的公司垄断，因此我国有必要开发原创性的液相芯片技术。本课题组即以此为目标，进行具有自主知识产权的“光子晶体编码液相芯片技术”研究和开发。在该研究领域，我们对微流控乳化技术及纳米粒子有序组装进行了系统的研究，确立了光子晶体编码微球的制备方法；提出了微载体解码及检测的图像分析方法，构建了用于光子晶体微球液相芯片技术的检测平台；开发了肿瘤等疾病的诊断试剂盒，证明了光子晶体液相芯片技术的应用能力。

人工智能技术飞速发展,我国大体上能够与世界先进国家发展同步。我国拥有自主知识产权的文字识别、语音识别、中文信息处理、智能监控、生物特征识别、工业机器人、服务机器人、无人驾驶汽车等很多智能科技成果已进入市场,但是9%以上是软件、算法产品，在人工智能神经网络芯片研发方向上,我国又是落后于美国5-10年左右，可以预见的是,将来我国的人工智能神经网络硬件又将进口大量的IBM、Google、NVIDA、Braodcom等公司的产品,遵循的标准又将按美国的标准,在市场上处于弱势地位。

近年来,半导体光源正以新型固体光源的角色逐步进入照明领域。由于半导体照明具有高效、节能、环保、使用寿命长、响应速度快、耐振动、易维护等显著优点,所以在国际上被公认为最有可能进入通用照明领域的新型固态冷光源。随着其价格的不断降低,发光亮度的不断提高,半导体光源在照明领域中展现了广泛的应用前景。业界普遍认为,半导体灯取代传统的白炽灯和荧光灯,是大势所趋。而半导体发光二极管（Light Emitting Diode , 简称LED）被认为是最有可能进入普通照明领域的一种绿色照明光源，按固体发光物理学原理,LED发光效率能近似100 % ,并具有工作电压低、耗电量小、发光效率高、响应时间极短、光色纯、抗冲击、性能稳定可靠及成本低等优点,因此被誉为21 世纪新光源,有望成为继白炽灯、荧光灯、高强度气体放电灯之后的第四代光源。虽然LED具有以上的很多优点，但是发光效率和使用寿命仍是制约其普及应用的主要因素。 目前国内大多致力于LED外部封装结构的研究，而公司里多采用进口芯片，如cree芯片，再在现有基础上进行外部封装结构和设计。而即便是散热好，寿命长，取光效率比较好的封装结构，国内所能达到的水平也就是刚刚超出100lm/w。主要原因在于其封装材料的选择和封装结构的不合理性，浪费了芯片的出射光，从而降低了取光效率。而国外LED不仅在外部封装结构，而且在芯片方向都明显优于国内水平，所以基本垄断国内LED的市场，尤其对于功率型白光LED的垄断相当严重。而这些高亮度半导体LED芯片生产技术掌握在以美国Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及欧洲的Osram等为首的少数大公司手中。 现在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能够取代白炽灯和荧光灯进入通用照明市场,其光效需要达到150lm/ W。这一方面要求在芯片的制作上不断提高LED 的量子效率,同时还要求在LED 的封装及灯具的设计制作过程中尽可能提高出光效率。现有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率较高，LED发出的光在出射芯片的时候，有相当一部分光被芯片与外界（环氧树脂）的界面反射。本产品是通过特殊镀膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用寿命，达到2万小时以上，而且可以使发光效率达到120lm/w到160lm/w。拥有这样长寿命和高出光效率的白光LED，必将引领整个照明市场，必将产生丰厚的利润，具有非常好的发展前景。