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硅基毫米波集成电路设计
基于CMOS工艺,设计了大量射频、毫米波收发机和频率源芯片; CMOS 90nm 60GHz 接收机芯片,集成片上天线,传输效率优于IBM芯片90%; CMOS 90nm 21dBm 60GHz功率放大器,性能优于Hittite商用GaAs芯片; CMOS 60GHz 移相器芯片,为开发毫米波相控阵芯片奠定良好基础;
电子科技大学 2021-04-10
硅基新一代锂电负极材料制备
项目成果/简介:目前锂离子电池的能量密度已经越来越不能满足其在电动汽车、智能手机和大规模储能方面的应用。锂离子电池的能量密度低主要是因为所采用的正负极材料的比容量较低,尤其是负极材料石墨,其理论比容量为 372 mAh/g。目前研究最多的、最具有商业化前景的负极材料为硅基负极材料,其理论比容量为 4200 mAh/g,是石墨的十倍以上。据招商证券预计,硅基负极材料在 2020 年的市场使用量接近于 5 万吨,销售额接近于 50 亿。 然而硅基材料在充放电过程中较大的体积变化率(>300%)限制了其商业化应用,较大的体积变化导致极片碎裂以及电解液在材料表面持续分解,从而造成其循环性能剧烈下降。另外,硅基材料为半导体,其导电性较差,从而导致硅基负极材料的倍率性能较差。如何解决硅基负极材料这两大缺点是普及硅基材料在锂离子电池应用的关键。 陈永胜教授课题组结合在纳米技术和石墨烯材料领域的专长,经过近 10 几年的研究,采用低成本的原材料、易工业化的工艺技术制备了石墨烯包覆的硅基负极材料,主要技术创新点包括:1)采用独特的、具有自主知识产权的纳米技术将大粒径的硅粉进行纳米化处理,纳米化大大缓解了硅在充放电过程中体积变化的问题,从而从根本上解决了硅基负极材料循环性能差的问题;2)石墨烯包覆则充分发挥了石墨烯导电导热性能好、机械性能优异、电化学性能稳定等特点,改善了材料的锂离子扩散性能和电子导电性,大大提高了功率特性; 14隔绝了硅与电解液的直接接触,抑制副反应造成的电解液分解和材料侵蚀,提高了首次效率,延缓了使用过程中的寿命衰减;进一步减缓了充放电过程中硅的体积变化,维持材料结构的整体稳定性,极大地提升了循环特性。效益分析:陈永胜教授课题组发明的石墨烯包覆硅基负极材料,从制备过程上讲,具有工艺简单、成本低廉、易工业化的特点;从性能上讲,具有比容量高、稳定性好、压实密度大等优点,与高比容量正极组成的锂离子电池的能量密度是当前商业化锂离子电池能量密度的数倍以上。
南开大学 2021-04-11
硅基新一代锂电负极材料制备
目前锂离子电池的能量密度已经越来越不能满足其在电动汽车、智能手机和大规模储能方面的应用。锂离子电池的能量密度低主要是因为所采用的正负极材料的比容量较低,尤其是负极材料石墨,其理论比容量为 372 mAh/g。目前研究最多的、最具有商业化前景的负极材料为硅基负极材料,其理论比容量为 4200 mAh/g,是石墨的十倍以上。据招商证券预计,硅基负极材料在 2020 年的市场使用量接近于 5 万吨,销售额接近于 50 亿。 然而硅基材料在充放电过程中较大的体积变化率(>300%)限制了其商业化应用,较大的体积变化导致极片碎裂以及电解液在材料表面持续分解,从而造成其循环性能剧烈下降。另外,硅基材料为半导体,其导电性较差,从而导致硅基负极材料的倍率性能较差。如何解决硅基负极材料这两大缺点是普及硅基材料在锂离子电池应用的关键。 陈永胜教授课题组结合在纳米技术和石墨烯材料领域的专长,经过近 10 几年的研究,采用低成本的原材料、易工业化的工艺技术制备了石墨烯包覆的硅基负极材料,主要技术创新点包括:1)采用独特的、具有自主知识产权的纳米技术将大粒径的硅粉进行纳米化处理,纳米化大大缓解了硅在充放电过程中体积变化的问题,从而从根本上解决了硅基负极材料循环性能差的问题;2)石墨烯包覆则充分发挥了石墨烯导电导热性能好、机械性能优异、电化学性能稳定等特点,改善了材料的锂离子扩散性能和电子导电性,大大提高了功率特性; 14隔绝了硅与电解液的直接接触,抑制副反应造成的电解液分解和材料侵蚀,提高了首次效率,延缓了使用过程中的寿命衰减;进一步减缓了充放电过程中硅的体积变化,维持材料结构的整体稳定性,极大地提升了循环特性。
南开大学 2021-02-01
三维非硅微纳集成制造技术
随着支配半导体技术数十年的摩尔定律日益接近其发展极限,多种功能器件集成被认为是超越摩尔定律延续集成电路发展进程的重要途径之一,这就需要能够满足多种功能器件高密度集成的制造技术。多元兼容集成制造技术就是为此而开发的,该技术通过在更大范围内优选结构/功能材料组合,开发异质集成制造工艺,大大拓展了功能微器件创新设计和制造的腾挪空间。经过多年探索,目前已形成了涵盖金属、聚合物、陶瓷、复合材料的MEMS异质异构制造技术体系,并在多种类型功能器件研发中发挥了关键作用,初步展现了其基础性支撑作用,相关技术获得2016年度上海市技术发明一等奖。 微系统集成发展趋势 多元兼容集成制造技术  获奖情况 上海市技术发明一等奖2016年团队获奖 国家技术发明二等奖2008年 上海市技术发明一等奖2007年 超薄超快高热流密度微通道散热器 上海交通大学团队在长期研究经验和技术积累基础上,创造性地提出了不同高热导率材料组合构造的复合结构微通道散热器设计方案,并基于多元兼容集成制造技术完成了多种尺寸样品研制,其中,热源面积与常用功率芯片尺度相当的超薄散热器冷却能力达到800W/cm2以上,在保留传统微通道散热器良好系统兼容性和适用性的基础上达到了相当高的散热能力水平,为解决高功率芯片系统超高热流密度散热问题提供了一个深具可行性的解决方案。 高温薄膜温度传感器研究  发动机燃烧室等极端恶劣环境下(高温、强振动、强腐蚀等)的工作参数现场监测对传感器技术是严峻挑战,国内外研究广泛。交大团队基于特种材料微纳集成制造技术的长期积累,在高温绝缘薄膜材料、多层薄膜应力调控、曲面图形化和高温敏感介质等技术上取得了一定突破,成功开发了多种可与现场结构共型的高温薄膜传感器,具有体积小、环境扰动小、响应快、灵敏度高、可分布式安置等优点,该团队已经掌握了温度、应力/应变、热流等多种高温状态参数测量技术,适用温度在800-1300℃之间。 薄膜绝缘电阻随温度的变化及测试结构 高温薄膜温度传感器制造及曲面图形化技术 薄膜温度传感器在发动机不同部位测温需求 无线温度传感器测温系统 高性能转接板 基于转接板的多芯片封装是2.5D高密度集成最具可行性的方案之一。但是传统的硅转接板性价比不高,阻碍了广泛应用。上海交大团队基于非硅微加工技术的长期积累,突破了硅转接板绝缘层完整性和再分布层热隔离的难题,成功研制了漏电流极低的低成本高性能硅转接板。此外,还开发了复合材料非硅转接板,TCV陶瓷转接板,TGV玻璃转接板等各种三维封装基板,实验室能够针对不同类型器件三维高密度封装的具体要求,定制开发不同功能的专用转接板,为多功能、高密度、高功率、低成本封装提供个性化解决方案。 TSV-3D 高密度封装概念图  金属-聚合物-纳米复合材料非硅基转接板实物图片
上海交通大学 2021-05-11
三维非硅微纳集成制造技术
项目成果/简介:随着支配半导体技术数十年的摩尔定律日益接近其发展极限,多种功能器件集成被认为是超越摩尔定律延续集成电路发展进程的重要途径之一,这就需要能够满足多种功能器件高密度集成的制造技术。多元兼容集成制造技术就是为此而开发的,该技术通过在更大范围内优选结构/功能材料组合,开发异质集成制造工艺,大大拓展了功能微器件创新设计和制造的腾挪空间。经过多年探索,目前已形成了涵盖金属、聚合物、陶瓷、复合材料的MEMS异质异构制造技术体系,并在多种类型功能器件研发中发挥了关键作用,初步展现了其基础性支撑作用,相关技术获得2016年度上海市技术发明一等奖。微系统集成发展趋势多元兼容集成制造技术 获奖情况上海市技术发明一等奖2016年团队获奖国家技术发明二等奖2008年上海市技术发明一等奖2007年超薄超快高热流密度微通道散热器上海交通大学团队在长期研究经验和技术积累基础上,创造性地提出了不同高热导率材料组合构造的复合结构微通道散热器设计方案,并基于多元兼容集成制造技术完成了多种尺寸样品研制,其中,热源面积与常用功率芯片尺度相当的超薄散热器冷却能力达到800W/cm2以上,在保留传统微通道散热器良好系统兼容性和适用性的基础上达到了相当高的散热能力水平,为解决高功率芯片系统超高热流密度散热问题提供了一个深具可行性的解决方案。高温薄膜温度传感器研究 发动机燃烧室等极端恶劣环境下(高温、强振动、强腐蚀等)的工作参数现场监测对传感器技术是严峻挑战,国内外研究广泛。交大团队基于特种材料微纳集成制造技术的长期积累,在高温绝缘薄膜材料、多层薄膜应力调控、曲面图形化和高温敏感介质等技术上取得了一定突破,成功开发了多种可与现场结构共型的高温薄膜传感器,具有体积小、环境扰动小、响应快、灵敏度高、可分布式安置等优点,该团队已经掌握了温度、应力/应变、热流等多种高温状态参数测量技术,适用温度在800-1300℃之间。薄膜绝缘电阻随温度的变化及测试结构高温薄膜温度传感器制造及曲面图形化技术薄膜温度传感器在发动机不同部位测温需求无线温度传感器测温系统高性能转接板基于转接板的多芯片封装是2.5D高密度集成最具可行性的方案之一。但是传统的硅转接板性价比不高,阻碍了广泛应用。上海交大团队基于非硅微加工技术的长期积累,突破了硅转接板绝缘层完整性和再分布层热隔离的难题,成功研制了漏电流极低的低成本高性能硅转接板。此外,还开发了复合材料非硅转接板,TCV陶瓷转接板,TGV玻璃转接板等各种三维封装基板,实验室能够针对不同类型器件三维高密度封装的具体要求,定制开发不同功能的专用转接板,为多功能、高密度、高功率、低成本封装提供个性化解决方案。TSV-3D 高密度封装概念图 金属-聚合物-纳米复合材料非硅基转接板实物图片知识产权类型:发明专利 、 软件著作权 、 集成电路布图设计技术先进程度:达到国内领先水平成果获得方式:独立研究获得政府支持情况:国家级
上海交通大学 2021-04-10
高效硅异质结SHJSHJ太阳电池技术
北京工业大学 2021-04-14
聚硅硫酸铝铁高效絮凝剂
研究内容 :该产品是一种高效、价廉、无毒、低铝、适应性广且制造 方便的新型无机净水剂 —聚硅硫酸铝铁高效净水剂。 利用该产品处理靛蓝印染废水、造纸中段废水、废纸造纸脱墨废水, 处理效果佳, COD 去除率、 BOD 去除率均在 90%以上,色度脱除率也在 96%以上,基本达到国家排放标准,这样的处理效果可实现废水不经生化 处理,简化废水处理工艺,降低废水处理费用。净水效果远优于目前市场 上可获得的无机型净水剂,净水剂
南昌大学 2021-04-14
硅基薄膜太阳能电池制备技术
本项目采用隧道结技术实现叠层太阳能电池的制备,扩展电池的光谱收集范围,提高电池的转换效率。 一、项目分类 关键核心技术突破 二、成果简介 太阳能是大自然赐予人类最清洁,最丰富的能源资源,目前商用的太阳能电池以晶体硅电池为主,由于晶体硅消耗硅料较多,近年来人们一直致力于开发硅薄膜电池。非晶硅薄膜电池已经实现了商业化生产并有了一定的市场份额,但它仍存在不足之处,包括光致衰减效应和转换效率不高(约6%)等。本项目在国家863计划课题(2006AA03Z219)支持下,开展了以多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和纳米晶薄膜的制备和相关材料的单结与叠层硅基太阳能电池关键技术研究,已经申请发明专利5项,发表科研论文20余篇。 三、创新点以及主要技术指标 1.利用LPCVD方法和自扩散技术生长多晶硅p-n结,结合层转移技术制备多晶硅薄膜太阳能电池; 2.采用金属诱导晶化和快速热处理技术实现优质多晶硅薄膜的制备并在低温下制备太阳能电池; 3.在PECVD和HWCVD生长硅薄膜时,通过生长温度,气体流量,氢气稀释比,腔室气压等参数实现微晶硅或者纳米晶薄膜的生长; 4.采用双层膜技术减小表面处入射光的反射并实现表面钝化,提高入射光的收集率和少数载流子寿命; 5.采用高低结结构增加光生载流子的收集效率; 6.采用隧道结技术实现叠层太阳能电池的制备,扩展电池的光谱收集范围,提高电池的转换效率。 四、知识产权及获奖 国家863项目(2006AA03Z219)
南京航空航天大学 2022-08-12
硅热法高性能镁制备工艺过程优化
项目研究内容: 镁及镁合金是迄今在工程中应用的最轻金属结构材 料,其比强度高、且具有优良的消震吸湿和电磁干扰屏蔽性能。镁的深加 工和镁合金的推广应用都离不开质优价廉的镁。 硅热法是一套复杂而高效 的工艺,本项目通过全面研究还原过程, 严格控制煅烧质量、 配料及制团, 在大量的皮江法炼镁硅热还原工艺参数与生产效率和出镁率关系的试验 基础上,利用人工神经网络和遗传算法等人工智能技术优化工艺过程,达
南昌大学 2021-04-14
有机硅高沸物催化裂解歧化研究
项目研究背景: 有机硅材料兼具有机硅聚合物和无机聚合物的特性, 因而具有优良的介电性、耐高温特性、生理惰性、防潮、绝缘、耐气候老 化等优异性能,被广泛应用在航空航天、军用技术、电子电气工业、纺织 造纸、建筑工业、化学工业、金属和油漆工业、医药医疗等领域,被形象 的誉为 “工业味精 ”。近年来,我国有机硅产品的消费量呈逐年上升的趋势, 有机硅材料被列为国家重点贵发展的产业之一。 技术原理: 主要对有机硅高沸物和低沸物裂
南昌大学 2021-04-14
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