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北京它山石众播传媒科技有限公司
2021-08-23
一种具有图案化微结构阵列的电容式触觉传感器
本实用新型公开了一种具有图案化微结构阵列的电容式触觉传感器。由从上至下依次的指纹状表面微凸起、上层电容电极基底、上层电容电极、二维正弦微凸起介电层、下层电容电极和下层电容电极基底层叠而成，指纹状表面微凸起用于接收外部力刺激，上、下层电容电极基底作为结构支撑，上、下层电容电极上的电极极片串联方向呈正交布置，并与二维正弦微凸起介电层三者共同构成传感器的电容主体。本实用新型能用于解决传感器对于多维力的高灵敏度实时检测问题，可在对灵敏度要求高的人工假肢、手术机械手等领域应用。
浙江大学
2021-04-13
一种电容缓冲式混合高压直流断路器及其控制方法
本发明公开了一种电容缓冲式混合高压直流断路器及其控制方 法，该断路器包括机械开关单元、电流转换单元、电容缓冲单元和机 械开关供能单元。机械开关单元由至少一个机械开关子单元串联构成， 机械开关子单元由机械开关、均压模块和吸能限压模块并联构成；电 流转换单元由电力电子开关模块和限压模块并联构成，电力电子开关 模块包括至少一个电力电子器件；电容缓冲单元由电容器组构成，为 故障电流提供换流缓冲支路；机械开关供能单元为机械开关提供电能， 保证其动作的快速性和协同性。本发明提供的电容缓冲式混合高压直 流断路器及
华中科技大学
2021-04-14
一种双膜电容式压力传感器及制作方法
本发明涉及压力传感器技术领域，特指一种双膜电容式压力传感器及制作方法，包括玻璃衬底，玻璃衬底中心位置上设有浅槽，浅槽中心位置设有浅槽通孔，浅槽通孔从浅槽底面延至玻璃衬底底面，浅槽上设有可测量低压差的电容C1与可测量高压差的电容C2，可测量低压差的电容C1包括底电极板与薄压力敏感膜，可测量高压差的电容C2包括厚压力敏感膜与顶电极板，浅槽通孔(71)与可测量低压差的电容C1对应设置，可测量低压差的电容C1与可测量高压差的电容C2对应设置。本发明采用变间距原理实现压力到电容的转换，可测量低压差的电容C1与可测量高压差的电容C2分别实现了微压段和高压段的高精度测量，不仅提高了压力测量精度，也提升了传感器的测量范围。
东南大学
2021-04-11
【新华网】新华吉林快报·聚焦高博会|吉林省AI赋能职业教育创新发展联盟正式揭牌
23日，吉林省AI赋能职业教育创新发展联盟（以下简称“联盟”）在吉林省长春市正式揭牌，标志着联盟正式成立并开始运行。
新华网
2025-05-24
【中国日报网】第63届高博会长春开幕，科技成果转化与区域产业升级深度联动赋能东北振兴
5 月 23 日，第 63 届高等教育博览会在长春中铁・东北亚国际博览中心拉开帷幕。以“融合・创新・引领：服务高等教育强国建设”为主题，这场教育界盛会吸引全国千余所高校、800 余家科技企业共襄盛举，超 12 万平方米展区内，搭建起教育、科技、人才深度融合的国家级平台。
中国日报网
2025-05-24
低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到0.3$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→Ni/Al 电极沉积，等。
南开大学
2021-02-01
低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特 点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到 0.3$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺 流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法分步电沉积CuIn-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→ Ni/Al 电极沉积，等。
南开大学
2021-04-11
CDTE薄膜的表面腐蚀及用此法制备CDTE太阳电池
CdTe薄膜的表面腐蚀及用此法制备CdTe太阳电池，属于半导体器件加工领域。采用硝酸、冰乙酸、NaAc和去离子水的混合液作为腐蚀液，其中，NaAc作为缓冲剂，以保持溶液的pH值不变，使反应更稳定，通过CdTe和硝酸发生反应生成富碲层；清洗吹干后，沉积含Cu或不含Cu背接触层，最后沉积背电极以制备CdTe太阳电池。沉积背接触材料，可增加pn结附近的载流子浓度，降低肖特基势垒高度，避免直接沉积Cu形成比较复杂的CuxTe结构。采用这种方法腐蚀并制备CdTe太阳电池，可显著提高太阳电池的性能，并保证器件性能的稳定性和重复性。
四川大学
2021-04-11
两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法
一种两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法，工艺步骤包括制备过渡层、制备钽钪酸铅基铁电薄膜、钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理；钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理是将钽钪酸铅基铁电薄膜放入退火炉内，在氧气流中以40℃/秒的升温速率升温至800℃～850℃后即刻停止加热，使其随炉冷却至500℃～600℃保温3分钟～5分钟，然后随炉冷却至室温。采用上述方法制备的钽钪酸铅基铁电薄膜钙钛矿相纯度可达100％，结晶性能好，表面均方根粗糙度较低，而且还具有剩余极化强度高和高度择优取向的特点。
四川大学
2021-04-11