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力士乐柱塞泵,电磁阀,压力继电器泽登特价现货
产品详细介绍南京专业代理REXROTH轴向柱塞泵
博世力士乐生产先进的工业液压元件与系统，配合了微电子技术，令传动有力而精确。其电子传动与控制产品及系统永远走在科技前端
联系人:张 慧
联系电话15312023041 025-52213376 传真:025-82230972
邮箱:381045766@qq.com 公司网址:http://www.njzdjd.com
REXROTH轴向柱塞泵型号、价格和货期:
A10V010DR/52R-PPA14N00 现货
A10V028DFR1/31R-PSC12N00 现货
A10VSO45DFR1/31R-PPB12N00 现货
A10VSO100DFR1/31R-PPB12N00 现货
A10VSO45DFR1/32R-PPB12N00 现货
A10VSO100DFR1/32R-PPB12N00 现货
A10VSO071DFR1/32R-VPB12N00,面谈
A10VSO140DFR1/32R-VPB12N00,面谈
A4VSO125DR/30R-PPA13N00,面谈
A4VSO180DR/30R-PPA13N00,面谈
A4VSO250DR/30R-PPA13N00,面谈
A10VSO18DFR1/31R-PPA12NOO
A10VSO28DFR1/31R-VPA12N00
A10VSO45DFR1/32R-PPB12N00
A10VSO71DFR1/32R-VPB22U99
A10VSO100DFR1/32R-VPB12N00
A10VSO140DRS/32R-VPB12N00
A4VSO125DR/30R-PPB13N00
A4VSO180DR/30R-PPB13N00
A4VSO250DR/30R-PPB13NOO
A10VSO140DRS/32R-VPB12N00
A10VSO140DRS/32R-VPB22U99
A10VSO100DFR1/32R-VPB12N00
A10VS071DFR1/32R-VPB22U99
A10VSO45DFR1/32R-VPB12N00
A10VSO28DFR1/31R-PPA12N00
南京泽登代理销售博世力士乐(BOSCH-REXROTH)生产的A10VO10、18、28、45、71、100、140柱塞变量恒压泵。
博世Bosch液压产品主要应用于塑料机械、橡胶、冶金、电力、工程机械、船舶、起重机械等行业。
南京专业代理力士乐电磁阀4WE6D6X/EW230N9K4
博世力士乐生产先进的工业液压元件与系统，配合了微电子技术，令传动有力而精确。其电子传动与控制产品及系统永远走在科技前端
联系人:张 慧
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4WE6D6X/EW230N9K4
4WE6D62/EG24N9K4
4WE6Y62/EG24N9K4
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4WE6D62/EW230N9K4
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电磁换向阀 4WE6D7X/HG24N9K4
电磁换向阀 4WE6C7X/HG24N9K4
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电磁换向阀 4WEH16E7X/6HG24N9ETK4
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电磁换向阀 4WE6U6X/EG24N9K4
电磁换向阀 4WE6R73-6X/EG24N9K4/A12
电磁换向阀 3WE6A6X/EG24N9K4
电磁换向阀 4WE10Y3X/CG24N9K4
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电磁换向阀 4WE10M3X/CG24N9K4
电磁换向阀 4WE6D6X/EW230N9K4
电磁换向阀 4WE6E6X/EW230N9K4
电磁换向阀 4WE6J6X/EW230N9K4
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电磁换向阀 4WEH16J7X/6EG24N9ETK4
南京专业代理力士乐压力继电器
博世力士乐生产先进的工业液压元件与系统，配合了微电子技术，令传动有力而精确。其电子传动与控制产品及系统永远走在科技前端
联系人:张 慧
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压力继电器 HED8OH1X/350K14
压力继电器 HED8OA1X/350K14
压力继电器 HED8OH1X/200K
压力继电器 HED8OH1X/50K
压力继电器 HED30A3X400KL24Q
压力继电器 HED80H1×1200K14A
压力继电器 HED40P10/350S
压力继电器 HED50P.20/210L24
压力继电器 HED80A1X/350K14
压力继电器 HED80P1X/50K14S
压力继电器 HED80P-1X/315+Z15L24
压力继电器 HED8-OP-1X/200-K14-S
压力继电器 HED8-OP-1X/200-K14-S
压力继电器 HED40P10/350S
压力继电器 HED80A1X/350K14
压力继电器 HED50P.20/210L24
压力继电器 HED80H1×1200K14A
压力继电器 HED40P10/350S
压力继电器 HED50P.20/210L24
压力继电器 HED80A1X/350K14
压力继电器 HED80H1×1200K14A
压力继电器 HED80P10/100Z15L24SV
压力继电器 HED80P1X/50K14S
HED7OH20/240K14-V
HED7OH20/350K14-V
HED7OH20/240K14AV
HED7OH20/350K14AV
HED7OH20/240K14KSV
HED7OH20/350K14KSV
HED7OH20/55K14-V
HED7OH20/100K14-V
HED7OH20/150K14-V
HED7OH20/55K14AV
HED7OH20/100K14AV
HED7OH20/150K14AV
HED7OH20/55K14KSV
HED7OH20/100K14KSV
HED7OH20/150K14KSV
HED 5 OP2-2X/50K14
HED 5 OP2-2X/210K14
HED 5 OP2-2X/350K14
HED 5 OP2-2X/630K14
HED8OA1X/50K14KW
HED8OA1X/200K14KW
HED8OA1X/200K14AS
HED8OA1X/50K14A
HED8OA1X/100K14A
HED8OA1X/350K14A
HED8OP1X/630K14
HED5OP1-2X/100K14
HED5OP1-2X/630K14
HED8OA1X/200K14A
HED5OA1-2X/350K14
HED8OP1X/630K14S
HED8OA1X/50K14AS
HED8OH1X/50K14AS
HED8OA1X/100K14AS
HED8OH1X/100K14AS
HED8OA1X/350K14AS
HED5OA1-2X/100K14
HED8OA1X/630K14AS
HED2OA2X/400K6L24
HED2OA2X/200K6L24
HED2OA2X/25K6L24
HED2OA2X/63K6L24
HED1KA4X/350
HED1KA4X/100
HED1KA4X/500
HED1OA4X/50
HED1OA4X/100
HED1OA4X/350
HED5OA1-2X/210K14
HED2OA2X/25
HED2OA2X/63
HED2OA2X/100
HED2OA2X/25KL24
HED2OA2X/100K
HED2OA2X/25K
HED2OA2X/400KL220
HED2OA2X/200L220
HED1KA4X/500K
HED2OA2X/400KL24
HED5OP1-2X/210K14
HED2OA2X/200KL24
HED2OA3X/400SO1
HED2OA2X/100KL24
HED1KA4X/100K
HED1KA4X/350K
HED5OA1-2X/50K14
HED8OA1X/50K14
HED8OA1X/100K14
HED8OA1X/350K14
HED8OH1X/50K14
HED8OH1X/100K14
HED8OH1X/350K14
HED8OP1X/50K14
HED8OP1X/50K14S
HED8OA1X/50K14KS
HED8OA1X/100K14KS
HED8OA1X/350K14KS
HED8OH1X/50K14KS
HED8OH1X/100K14KS
HED8OH1X/350K14S
HED8OA1X/200K14
HED8OH1X/100K14S
HED8OA1X/100K14S
HED8OH1X/200K14S
HED8OP1X/200K14S
HED5OP1-2X/50K14
HED8OH1X/200K14
HED8OA1X/200K14S
HED8OP1X/350K14
HED8OA1X/200K14KS
HED8OP1X/100K14S
HED8OH1X/200K14KS
HED8OP1X/100K14KS
HED8OP1X/350K14KS
HED8OA1X/350K14KW
HED8OA1X/630K14
HED8OH1X/350K14KS
HED8OP1X/50K14KS
HED8OP1X/100K14
HED8OP1X/200K14
HED8OP1X/200K14KS
HED8OP1X/350K14S
HED8OA1X/100K14KW
HED5OA1-2X/630K14
HEDE10A1-1X/100K41G24V
HEDE10A1-1X/250K41G24V
HEDE10A1-1X/400K41G24V
HEDE10A1-1X/600K41G24V
另本公司特价供应力士乐现货产品电磁换向阀/液控单向阀/溢流阀/减压阀/比例阀/泵
南京泽登机电设备有限公司
2021-08-23
一种钇铁石榴石单晶薄膜及其制备方法
专利内容是本发明针对背景技术存在的缺陷，提出了一种钇铁石榴石单晶薄膜及其液相外延制备方法，本发明得到的钇铁石榴石单晶薄膜的铁磁共振线宽很窄，达到了1Oe以下（0.4Oe），薄膜表面的粗糙度、晶格匹配、应力、含铅量、杂相等都得到了较大的改善。
电子科技大学
2021-02-01
一种用于三层结构薄膜的接料装置
本发明提供了一种用于三层结构薄膜的接料装置，包括接料底板，设置在接料底板的一相对两侧，用于提供粘结胶带的粘结胶带组件；设置在接料底板的另一相对两侧，用于对接薄膜整齐对位的胶带纠偏组件；设置在接料底板上用于接料时固定对接薄膜的压合组件；以及设置在接料底板上方用于夹持三层结构薄膜各层的夹持组件。本发明实现三层结构薄膜的分层对接，整个装置结构简单，操作方便，易于实现。
华中科技大学
2021-04-11
一种机械叠层ALSB/CIS薄膜太阳电池
一种机械叠层ALSB/CIS薄膜太阳电池,属于一种半导体薄膜太阳电池的结构设计,它是由ALSB顶电池机械叠合在CIS底电池上而成的双结四端薄膜太阳电池。其中ALSB顶电池,指的是在CORNING 7459玻璃上先沉积N型掺铝氧化锌导电层,然后沉积氧化锌高阻层,再沉积硫化镉缓冲层,随后沉积锑化铝吸收层以及碳纳米管涂层作为透明导电层,最后,沉积镍/铝栅线而制成的太阳电池;而CIS底电池,指的是在SODA LIME玻璃上沉积钼,然后沉积吸收层硒铟铜,再沉积缓冲层硫化镉,随后沉积高阻氧化锌和掺铝氧化锌,最后沉积与顶电池相同形状和大小的镍/铝栅线而制成的太阳电池。采用上述结构的叠层电池,可以选择性地吸收和转化太阳光谱的不同区域的能量,扩展光谱响应的范围,有效地提高薄膜太阳电池的转换效率。
四川大学
2021-04-11
一种纳米晶Cu2O薄膜的制备方法
“一种化学浴沉积择优取向生长的纳米晶Cu2O薄膜的制备方法”属于半导体领域。现有方法一般对设备要求较高，需要比较复杂的程序，而最终难以控制成本，这会严重影响Cu2O薄膜的应用范围。本发明提供的纳米晶Cu2O薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：分别按照硫酸铜与柠檬酸三钠的摩尔浓度比范围为12∶8～12∶36，硫酸铜与抗坏血酸钠的摩尔范围为1∶3～5∶6，将抗坏血酸钠、柠檬酸三钠溶液依次加入硫酸铜溶液中，使充分络合；调节溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴温度中反应1.0h～3.
安徽建筑大学
2021-01-12
具有巨霍尔效应的纳米铁金属颗粒薄膜磁敏料
巨霍尔效应是纳米铁磁金属颗粒薄膜中反常霍尔效应的巨大增强现象,是纳米材料的新效应,本课题利用巨霍尔效应原理,制备出磁场灵敏度高达125AT、具有实用价值的新型的纳米铁磁金属颗粒薄膜磁敏材料;并将颗粒薄膜应用于霍尔器件,替代现有的掺杂半导体活性层材料,制备出具有实用意义的新型霍尔器件原型。 本课题的研究,率先将纳米体系的新效应巨霍尔效应原理应用于传感器件领域,制备出具有实用价值的新型纳米材料及微型霍尔器件,具有原始创新性。与传统的半导体霍尔器件相比,基于纳米铁磁金属颗粒薄膜巨霍尔效应的霍尔器件具有体积小、制备工艺简单、高度集成、灵敏度高等优点,因此具有更为重要的应用价值。特别是纳米铁磁金属颗粒薄膜霍尔器件具有的工作温度宽、温度稳定性能优异、抗核辐射等优点,在微弱磁场探测、航天器的精确定位、导航以及军事装备等方面都具有十分重要的用途,市场前景广阔。 本课题利用巨霍尔效应原理,首次制备出磁场灵敏度高达125VAT、具有实用价值的新型的纳米铁磁金属颗粒薄膜磁敏材料;并将颗粒薄膜应用于霍尔器件,替代现有的掺杂半导体活性层材料,制备出具有实用意义的新型霍尔器件原型。主要创新点有将稀磁半导体引入纳米铁磁金属颗粒薄膜体系,替代绝缘体母体材料,使体系在厚度较小的情况下,仍能保持高温铁磁性;制备出不同种类的具有高灵敏和实用价值的纳米铁磁金属颗粒薄膜磁敏材料;将具有巨霍尔效应的纳米铁磁金属颗粒薄膜应用于传感器件,替代现有的掺杂半导体活性层材料,制备出具有实用意义的新型霍尔器件。 主要创新点有将稀磁半导体引入纳米铁磁金属颗粒薄膜体系,替代绝缘体母体材料,使体系在厚度较小的情况下,仍能保持高温铁磁性;制备出不同种类的具有高灵敏和实用价值的纳米铁磁金属颗粒薄膜磁敏材料;将具有巨霍尔效应的纳米铁磁金属颗粒薄膜应用于传感器件,替代现有的掺杂半导体活性层材料,制备出具有实用意义的新型霍尔器件。相关成果已获国家发明专利授权九项。 本课题的研究,将巨霍尔效应这一纳米体系的新效应应用于器件领域,以纳米铁磁金属颗粒薄膜替代现有霍尔器件的掺杂半导体活性层材料,是一个全新的技术,取得了多项具有原始创新性的技术成果,进一步推进了纳米材料在新材料技术、电子信息技术等领域]应用 应用状况: 与传统的半导体霍尔传感器件相比,基于纳米铁磁金属颗粒薄膜巨霍尔效应的霍尔传感器件具有体积小、制备工艺简单、高度集成、灵敏度高等优点,因此具有更为重要的应用价值。特别是纳米铁磁金属颗粒薄膜霍尔器件具有的工作温度宽、温度稳定性能优异抗核辐射等优点,在微弱磁场探测、航天器的精确定位、导航以及军事装备等方面都具有十分重要的用途，市场前景广阔。
河北工业大学
2021-04-13
氧化锌基底诱导取向生长硒化锑薄膜的方法
本发明公开了一种氧化锌基底诱导取向生长的硒化锑薄膜的方 法，其特征在于，该方法是以特定取向的氧化锌基底诱导生长具有择 优取向方向的硒化锑薄膜；当氧化锌基底为(100)取向时，诱导生长出 的硒化锑薄膜是以<、221>、方向为主导生长取向；当氧化锌基底 为(002)取向时，诱导生长出的硒化锑薄膜是以<、120>、方向为主 导生长取向。本发明中的方法可应用于硒化锑薄膜太阳能电池的制备， 得到相应的硒
华中科技大学
2021-04-14
DC-Link高压大功率系列薄膜电容器
通过研究和有机介质薄膜以及金属化水平的不断提高，用金属化薄膜制造高压大功率电容器取代电解电容器已成为了可能。薄膜电容器具有高频特性好、损耗小和温度特性稳定等特点，可以满足逆变器对电容器性能的要求。
扬州大学
2021-04-14
一种石墨相氮化碳薄膜修饰电极的制备方法
本发明公开了一种石墨相氮化碳薄膜修饰电极的制备方法。在 保护气氛下，首先 450℃～550℃加热氮化碳原料 1min～6h，使得氮化 碳原料气化后附着于耐热载体表面，并形成氮化碳前驱体；然后 500℃～550℃加热附着有氮化碳前驱体的耐热载体 1min～6h，使得氮 化碳前驱体气化并在导电基底表面形成厚度为 10nm～150nm 的石墨 相氮化碳薄膜，获得所述修饰电极。本发明通过利用气相沉积的方法 在导电基底表面修饰
华中科技大学
2021-04-14
液相剥离大尺寸 2D 材料及透明导电薄膜
1.亚毫米尺寸单层导电纳米材料，实现高产量产率原 子级薄样品的宏量制备。
2. 成膜平整，粗糙度在 10 纳米以内，平整度远好于 ITO 和银纳米线薄膜。
3. 膜具高透光率和柔性，其导电性优于 ITO 。
中国科学技术大学
2021-04-14