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一种有机-无机复合电致变色薄膜及其制备方法
本发明公开了一种有机-无机复合电致变色薄膜及其制备方法。该薄膜为聚苯胺与三氧化钨的复合薄膜，其中含有5～80％质量分数的三氧化钨，薄膜厚度为50～300nm，表面具有纳米棒阵列形貌。该制备方法包括：将表面经羟基化处理的ITO玻璃或者ITO/PET基底垂直竖立并固定于反应容器中，将过氧化钨酸溶液与苯胺溶液的混合溶液倒入其中并搅拌；再加入过硫酸铵溶液，搅拌下进行反应；反应完成后，取出沉积有薄膜的基底并冲洗、干燥而得。本发明制备方法实现了聚苯胺/氧化物在分子层次复合，工艺简单，成分可方便控制，成本较低，易于实现工业化。制得的薄膜光谱调节范围大、颜色丰富、响应速度快、循环寿命长，应用范围广泛。
浙江大学
2021-04-13
力士乐柱塞泵,电磁阀,压力继电器泽登特价现货
产品详细介绍南京专业代理REXROTH轴向柱塞泵
博世力士乐生产先进的工业液压元件与系统，配合了微电子技术，令传动有力而精确。其电子传动与控制产品及系统永远走在科技前端
联系人:张 慧
联系电话15312023041 025-52213376 传真:025-82230972
邮箱:381045766@qq.com 公司网址:http://www.njzdjd.com
REXROTH轴向柱塞泵型号、价格和货期:
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南京泽登代理销售博世力士乐(BOSCH-REXROTH)生产的A10VO10、18、28、45、71、100、140柱塞变量恒压泵。
博世Bosch液压产品主要应用于塑料机械、橡胶、冶金、电力、工程机械、船舶、起重机械等行业。
南京专业代理力士乐电磁阀4WE6D6X/EW230N9K4
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南京专业代理力士乐压力继电器
博世力士乐生产先进的工业液压元件与系统，配合了微电子技术，令传动有力而精确。其电子传动与控制产品及系统永远走在科技前端
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压力继电器 HED8OH1X/350K14
压力继电器 HED8OA1X/350K14
压力继电器 HED8OH1X/200K
压力继电器 HED8OH1X/50K
压力继电器 HED30A3X400KL24Q
压力继电器 HED80H1×1200K14A
压力继电器 HED40P10/350S
压力继电器 HED50P.20/210L24
压力继电器 HED80A1X/350K14
压力继电器 HED80P1X/50K14S
压力继电器 HED80P-1X/315+Z15L24
压力继电器 HED8-OP-1X/200-K14-S
压力继电器 HED8-OP-1X/200-K14-S
压力继电器 HED40P10/350S
压力继电器 HED80A1X/350K14
压力继电器 HED50P.20/210L24
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压力继电器 HED40P10/350S
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压力继电器 HED80A1X/350K14
压力继电器 HED80H1×1200K14A
压力继电器 HED80P10/100Z15L24SV
压力继电器 HED80P1X/50K14S
HED7OH20/240K14-V
HED7OH20/350K14-V
HED7OH20/240K14AV
HED7OH20/350K14AV
HED7OH20/240K14KSV
HED7OH20/350K14KSV
HED7OH20/55K14-V
HED7OH20/100K14-V
HED7OH20/150K14-V
HED7OH20/55K14AV
HED7OH20/100K14AV
HED7OH20/150K14AV
HED7OH20/55K14KSV
HED7OH20/100K14KSV
HED7OH20/150K14KSV
HED 5 OP2-2X/50K14
HED 5 OP2-2X/210K14
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HED 5 OP2-2X/630K14
HED8OA1X/50K14KW
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HED8OA1X/50K14A
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HED5OA1-2X/100K14
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HED2OA2X/63K6L24
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HEDE10A1-1X/100K41G24V
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另本公司特价供应力士乐现货产品电磁换向阀/液控单向阀/溢流阀/减压阀/比例阀/泵
南京泽登机电设备有限公司
2021-08-23
电沉积低温烧结制备氧化物薄膜和微叠层技术
本技术可以获取各种单一氧化物和多元氧化物纳米薄膜，以及叠层氧化物纳米薄膜。可用于提高金属的抗腐蚀性能以及获得多种特殊功能，如铁电性能、磁性能、电致变色、化学催化、超导、光电转换等。 本技术可以获得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的单一氧化物或它们的多元氧化物纳米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜质量优于溶胶凝胶法，厚度均匀，根据需要可以控制厚度膜。先后沉积不同的氧化物薄膜可以获得叠层氧化物纳米薄膜。制备过程简单，重现性好是本技术的优势。
北京科技大学
2021-04-11
低成本制备高效硅薄膜太阳电池关键技术研发
南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持，经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年，该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太阳 电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池技术推向产业化。
南开大学
2021-02-01
低成本制备高效硅薄膜太阳电池关键技术研发
南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4 个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持， 经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。 于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年， 该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积 0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其 组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太 阳电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条 年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生 产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池 技术推向产业化。
南开大学
2021-04-11
一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法
本发明阐述了一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法。具体步骤为：先通过DMF、DMSO、环己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加热方法制备出足量的CsPbBr3单晶并压成靶材，再采用脉冲激光沉积薄膜制备技术：调整激光能量和基底温度，通过激光脉冲数控制薄膜厚度，真空沉积制备CsPbBr3薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术制备CsPbBr3薄膜，可实现均匀大面积薄膜的便捷制备，易于有效控制薄膜厚度并且节约材料，有利于该材料在太阳能电池的工业化生产与应用。
东南大学
2021-04-11
碲化镉薄膜太阳电池的产业化制造技术
本成果包含如下内容：高转换效率的小面积碲化镉太阳电池制造技术，面积为1200mm×600mm 的碲化镉太阳电池组件规模化生产技术，年产30-50MW碲化镉太阳电池生产线及关键设备的设计。 主要技术指标： 组件效率超过12%。 应用范围： 用于太阳能直接发电，建立大规模光伏电站或小型户用光伏发电系统。国家扶持光伏发电系统的建设，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太阳电池，出口不会受到限制。 项目目前已进入产业化阶段，成果权属为我校独自拥有。
四川大学
2021-04-11
一种柔性碲化镉薄膜太阳电池制造方法
一种柔性碲化镉薄膜太阳电池结构，本项发明所属领域为新型 能源。为了降低碲化镉太阳电池的成本，扩大电池的应用范围，柔性 碲化镉太阳电池将是未来发展方向之一。柔性碲化镉电池面临的难题 之一是如何解决金属背电极与碲化镉薄膜欧姆接触，即寻找一种材 料，加入到金属电极与碲化镉薄膜之间，有利于p载流子传输。本发 明是采用石墨烯作为碲化镉层与金属电极层的过渡层，充分利用石墨 烯载流子传输速度高、力学性能好的特点。将结晶石墨进行化学清洗， 用带胶的聚酰亚胺薄膜剥离石墨，使得一层石墨烯粘附于聚酰亚氨表 面。在此基础上再溅射沉积碲化镉，惰性气体保护下CdCl2退火，溅 射沉积硫化镉和ITO薄膜。制作出的柔性碲化镉薄膜电池具有重量 轻、成本低的优点。
四川大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
一种用于柔性薄膜卷绕工艺的双驱动精密胀轴
本发明公开了一种用于柔性薄膜卷绕工艺的双驱动精密胀轴， 包括支撑模块、传动模块、切换模块、动力模块和胀轴模块，其中传 动模块能够在仅使用单个驱动电机的情况下，将动力模块的动力传递 到胀轴模块，并通过切换模块使得同一个动力模块可以分别向胀轴的 两种运动提供动力；胀轴模块包括转动轴、外轴、芯轴、滑块端盖和 膨胀块等，其中转动轴和外轴彼此固定联接，芯轴安装在两者的内部， 并且膨胀块可以在外轴上的通槽中径向升降，从而对料卷执行张紧操 作。通过本发明，能够仅采用机械构造即可实现料卷的张紧功能，同 时具备张力均
华中科技大学
2021-01-12