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高频辉光放电等离子体化学气相沉积（PECVD）装置
PECVD（plasma enhanced chemical vapor deposition）—等离子体化学气相沉积，在化学气相沉积领域具有很好的前景。利用等离子体中大量高能量的电子，提供化学气相沉积过程所需的激活能，相对于其它CVD方法具有显著降低CVD薄膜沉积的温度等优点。包括辉光放电等离子体发生电源、气体质量流量计、真空计、分子泵等多个组成单元。可以在不同气压和气体环境下进行PECVD。 技术特点: 1）自主研发的等离子体发生电源可输出较大范围内幅值、频率可调的放电电压信号；2）可实现100~105 Pa不同气压以及不同气体环境，且通过气体流量精确控制实现在任一气压值稳定气压状态。 3）专用设计的反映腔体结构和水冷放电电极结构，可长时间、稳定地生成PECVD用辉光放电等离子体。腔体内部包含多种可调性测量结构，可以对生成的等离子体和PECVD过程进行多种形式的监测。 4）该装置根据产品化标准进行了多重安全性和人机互动性专门设计，符合产品要求。
北京交通大学
2021-04-13
一种用于大型非平整表面沉积的装置及方法
本发明公开了一种原子层沉积装置，包括原子层沉积单元喷头，所述单元喷头包括高压气流入口，惰性隔离气体入口通道，出气口通道，和两种前驱体入口通道，其中所述高压气流入口喷出高压气体以顶起整个沉积装置，该装置是微型开放式且可移动可扩展，能够适用于大型非平整结构表面薄膜沉积，并可直接经过简单多块组合，增加沉积效率。
华中科技大学
2021-04-14
一种多元物质原子层沉积膜制备方法及装置
本发明公开了一种多元物质原子层沉积膜制备方法和装置，所 述方法，即使基片相对于原子层沉积反应腔直线运动，依次通过其内 用于完成不同原子层沉积的原子层沉积系统，基片通过每个原子层沉 积系统时：调整基片温度为相应原子层沉积反应最适温度。所述装置， 包括原子层沉积反应腔、基片承载台、运动平台和温度控制装置；原 子层沉积反应腔依次设置有多个原子层沉积系统；基片承载台，设置 在原子层沉积反应腔下方；运动平台，与基片承载台连接，带动基片 承载台运动；温度控制装置，设置在基片承载台下方。所述方法能高 效快速的制备多元物质原子层沉积膜，所述装置，能方便的通过现有 原子层沉积系统组装，兼容性强，功耗低，沉积效率高。
华中科技大学
2021-04-11
采用全固态薄膜锂电池的背包内嵌储能装置无线充电系统
本实用新型公开了一种采用全固态薄膜锂电池的背包内嵌储能装置无线充电系统，包括发射单元和 接收单元，发射单元包括第一 AC-DC 模块、DC-DC 模块、高频逆变模块、第一控制器、第一检测电路、 第二检测电路和发射机构；接收单元包括接收机构、第二 AC-DC 模块、第三检测电路、第二控制器和 储能单元，储能单元为全固态薄膜锂离子电池。本实用新型采用磁耦合谐振式无线电能传输技术实现储 能单元的无线充电，大大地简化了充电过程，可有效避免因遗忘而未对背
武汉大学
2021-04-14
同腔原位复合沉积铱－氧化铝高温涂层设备与工艺
同腔原位复合沉积铱?氧化铝高温涂层设备与工艺，涉及化学气相沉积技术领域。设备包括反应腔体系统、四条管路系统、真空系统和尾气处理系统，系统之间通过管路密封连接。四种前驱体源置于源瓶中，源瓶与四条管路分别相连。通过四个气动阀调控前驱体源的通入，Ｎ２作为源的载气，真空泵系统为设备提供一定真空度，尾气处理处理系统对反应后产物进行处理后排放；通入Ａｌ（ＣＨ３）３、Ｈ２Ｏ源，ＡＬＤ沉积复合材料的Ａｌ２Ｏ３层，通入Ｉｒ金属化合物、Ｏ２源，ＡＬＤ沉积复合材料的Ｉｒ层，将Ｉｒ化合物源通入反应腔内高温分解，ＣＶＤ沉积Ｉｒ层。按照复合涂层工艺方案沉积，得到耐高温抗氧化、高粘附力、抗热震的Ｒｅ基Ｉｒ?Ａｌ２Ｏ３复合涂层材料。在航空航天、能源动力以及国防等领域具有广泛的应用。
东南大学
2021-04-11
一种喷射沉积成形制备大块非晶合金的方法
雾化喷射沉积成形技术近年来被广泛用于研究和发展高性能的快速凝固材料。该技术最突出的创新点在于，将液态金属的雾化和雾化熔滴的沉积自然地结合在一起，是一种短流程快速凝固体材料制备新技术。喷射沉积成形块体致密件的形成，是在特定条件下的凝固过程。其基本特点是在沉积表面形成一层极薄的液膜，块体致密件的形成则是这一液膜不断凝固、推进的过程。在多年研究喷射成形技术的基础上，杨滨教授及其课题组成员近年利用喷射沉积成形技术成功地制备出了最大直径为380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大块非晶合金，这是国际上迄今报导的最大尺寸的镧基非晶合金样品。DSC测试结果表明，沉积态La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的过冷液相区宽度DTx和约化玻璃转变温度Trg均高于单辊旋转熔体快淬或铜模铸造法制备的同成分非晶合金。 已获得中国发明专利，杨滨，刘宗峰，张勇，张济山，陈国良，一种喷射沉积成形制备镧基大块非晶合金的方法，专利号：ZL200510086239.6。“高熔点高合金化材料快速凝固气雾化制备技术”，获中国有色金属工业科学技术奖一等奖（2003.12）。
北京科技大学
2021-04-11
一种包覆超细粉体的原子层沉积方法与装置
本发明公开了一种包覆超细粉体的原子层沉积方法与装置，该方法的特征在于，在前驱体的吸附过程中引入了流化气，利用流化气吹散粉体，实现粉体的充分分散。该装置包括反应腔体，供应系统，真空系统，加热系统，监测系统和控制系统，其特征在于，供应系统包括流化气源，流化气通过流化气输送支路进入反应腔体，用于将粉体吹散到整个反应区域。本发明的方法与装置能有效提高粉体包覆率与沉积均匀性，并使得在每次沉积过程中对大量粉体进行包覆成为可能，提高了粉体包覆的效率。
华中科技大学
2021-04-14
金属有机化学气相沉积工艺和反应器设计
项目简介 本成果基于金属有机化学气相沉积（MOCVD）GaN 生长的化学反应动力学原理和传热 传质原理，设计了一种新的 GaN 生长的 MOCVD 工艺，以及相应的新的 MOCVD 反应器。新 工艺可以大大减少气相寄生反应、提高衬底上方的温度和浓度均匀性，加大生长窗口。 改进了传统的 MOCVD 工艺窗口窄，对温度和浓度过于敏感等缺点，属国际首创。围绕该 成果已申请多项发明专利。 性能指标
江苏大学
2021-04-14
钨酸锆薄膜的制备方法
钨酸锆薄膜的制备方法,它属于薄膜制备领域.本发明解决了现有钨酸锆薄膜制备方法存在的操作复杂,成本高的问题.本发明的方法如下:一,硝酸氧锆和溶剂混合得到A溶液;二,络合剂,溶剂和偏钨酸铵混合得到B溶液;三,将A和B混合,配制溶胶;四,通过旋涂制备湿膜,再将湿膜预烧;五,制备钨酸锆非晶薄膜;六,钨酸锆非晶薄膜晶化后即得钨酸锆薄膜.本发明的制备工艺简单,成本低,制备得到的薄膜表面平整致密,厚度均匀,晶粒大小均匀.
哈尔滨师范大学
2021-05-04
制备结晶氮化碳薄膜的装置
1.项目简介：本设计了一种制备结晶氮化碳薄膜的装置，设有脉冲电弧放电的机构及电路，该电路由高压和电弧产生电路组成；该机构包括基板和与之相连的电加热器，设有半密封箱体，基板、电加热器和电极位于半密封箱体腔内，基板位于电极的下方或四周，设有2条带有控制阀的管道，分别通氮气和溶液，其下端深入半密封箱体腔内，通溶液的管道下端出口处于电极的上方。该装置能高效率、高质量地制备出结晶氮化碳薄膜，能方便地将结晶氮化碳薄膜涂层制备到管径较小的管道内壁，从而有利于结晶氮化碳薄膜的推广应用。项目已获实用国家新型专利权。2.技术特点：该发明解决了氮化碳薄膜低温常压沉积的困难，而且提供了能高效率、高质量地制备结晶氮化碳薄膜的方法及装置。与其它方法相比，该发明的显著特点是：在常压下合成的产品主要为结晶氮化碳薄膜；沉积速率快，在大气环境下产生稠密的含碳、氮等离子体，从而提高了生产效率，利于推广结晶氮化碳薄膜的应用。
武汉工程大学
2021-04-11