|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
一种激光辅助低温生长氮化物材料的方法与装备
本发明公开了一种激光辅助低温生长氮化物材料的方法及装备， 该方法将非氮元素的前驱体蒸汽和活性氮源前驱体气体分别输送到反 应腔室内温度为 250 至 800℃的衬底材料处，利用波长与活性氮源分 子键共振波长相等的激光束作用于活性氮源气体，使激光能量直接耦 合至活性氮源气体分子，加速 NH 键的断裂，提供充足的活性氮源， 使非氮元素与活性氮源发生化学反应，沉积第 III 族氮化物膜层材料， 持续作用直到沉积物覆盖整个衬底
华中科技大学
2021-04-14
一种自发成核过程可控式的DAST晶体生长装置
本技术属于溶液法晶体生长设备技术领域，涉及一种有机非线性光学晶体的溶液降温生长方法，特别是一种方形四棱锥底式DAST晶体自发成核生长装置，通过生长装置和底部载晶斜板的特殊设计，大幅增加可用来生长晶体的载晶斜板有效面积，提高DAST晶体生产效率，同时可消除载晶斜板外的自发成核晶体生长，有效提高晶体生长的稳定性，进而大幅改善斜板式自发成核法生长DAST晶体的质量。本发明与现有技术相比，其选用的生长装置结构简单，成本低，组装简便，操作方便，可大幅增加晶体生长缸中用以生长晶体的有效面积，提高DAST晶体生产效率；同时有效控制聚四氟乙烯四棱锥外的自发成核晶体生长，提高晶体生长的稳定性，进而大幅改善自发成核法生长DAST晶体的质量，有效解决了传统斜板式自发成核法中，在斜板之外其它位置容易出现无效的自发成核杂晶生长问题，提高晶体生长的稳定性和生长效率。可望应用于有机晶体的自发成核生长。
青岛大学
2021-04-13
一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法
本发明公开了一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法，在基片上沉积金属层，利用光刻工艺形成条纹状的纳米级金属细线；将金属细线的两端接电极，通电，促使金属层加速生长晶须得到一维纳米线。本发明能够有效控制纳米级细线的直径大小和长度，生长出来的一维纳米线直径均匀，并直接在基底上生成，有利于三维封装的连接。
华中科技大学
2021-04-11
智能控温节能氧化钒（VO2）薄膜的制备
成果介绍智能控温薄膜可以实现高温下对红外线的反射和低温下对红外线的透射，是一种无需能源的智能空调。技术创新点及参数室温可用（20℃-40℃）节能减排（无需能源）满足了实时反馈的需求满足了温度控制的需求提出了在室温下实现智能变色的可能性
东南大学
2021-04-11
一种多层柔性薄膜的剥离装置及剥离方法
一种多层柔性薄膜的剥离装置，剥离装置的剥离刀为横截面为 圆角多边形的柱状结构，具有多个不同弯曲半径和弯曲角度的圆弧剥 离面，使用时可根据不同的薄膜选择不同剥离面进行剥离加工，无须更换剥离刀，大大提高了剥离刀的适用范围，并进一步运用剥离刀的 几何参数与剥离效果的关系理论，设计优化得到最优的剥离刀结构， 得到最佳的剥离质量和剥离效率，剥离装置结构简单、成本低廉，在 大面积柔性器件的封装领域具有广阔应用前景。
华中科技大学
2021-04-11
一种光子晶体水凝胶薄膜及其制备与应用
本发明公开了一种光子晶体水凝胶薄膜及其制备与应用，其中 该光子晶体水凝胶薄膜包括聚丙烯酰胺凝胶、以及分布在该聚丙烯酰 胺凝胶内的 Fe3O4@C 纳米粒子，其中所述 Fe3O4@C 纳米粒子为 Fe3O4 表面包覆有 C 材料的纳米粒子，所述 Fe3O4@C 纳米粒子在所 述聚丙烯酰胺凝胶中沿某一方向呈链状排列，该 Fe3O4@C 纳米粒子 在该光子晶体水凝胶薄膜中的浓度为 1～50mg/mL。本发明通过对光子 晶体
华中科技大学
2021-01-12
石墨烯基透明导电薄膜、复合导热膜及吸附材料
将石墨烯进行二维或三维组装，制备透明可导电薄膜、复合导热膜及吸附材 料技术。
上海理工大学
2021-01-12
一种Sn掺杂CrO2薄膜及其制备方法
小试阶段/n磁性半金属CrO2薄膜在自旋电子器件中有广阔的应用前景，然而，其化学性质不够稳定，即使在室温下也容易转化为Cr2O3。本发明采用SnI4和CrO3作为前驱物，通过化学气相沉积(CVD）成功制备出Sn掺杂CrO2薄膜，使薄膜的热稳定性大大提升，从而解决了CrO2薄膜稳定性的问题。
武汉科技大学
2021-01-12
氧化物薄膜晶体管材料及其器件
本项目主要研究和开发高迁移率透明氧化物半导体薄膜，重点研究掺锌氧化铟(IZO)透明氧化物半导体薄膜;筛选合适的介质层材料，研 究和制备优质致密的透明介质层薄膜;研究制备掺钨氧化铟(IWO)高 迁移率 TCO 薄膜，使其与 TOS 薄膜具有良好的电接触特性;研究制 备采用上述透明导电氧化物电极、透明氧化物半导体沟道层和透明介 质层构成的全透明 TFT，研究 TFT 的尺寸和各种工艺技术对 I-V 特
复旦大学
2021-01-12
化合物薄膜太阳能电池及其制备方法
化合物薄膜太阳能电池及其制备方法，属于半导体光电材料与薄膜太阳能电池制备领域，解决现有化合物薄膜太阳能电池中所需材料在地壳中含量较少、价格昂贵、对人体有毒的问题。本发明的化合物薄膜太阳能电池，包括衬底及透明电极层、N 型缓冲层、P 型吸收层和背电极层，P 型吸收层材料为 Sb2Se3、Cu3SbS3 或 Cu3SbS4；本发明的制备方法包括沉积透明电极层步骤、沉积 N 型缓冲层步骤、沉积 P 型吸收层步骤、沉积电极层
华中科技大学
2021-04-14