|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
一种变磁通磁阻电机绕组机构
本发明公开了一种变磁通磁阻电机的绕组机构，应用于具有双 定子结构的变磁通磁阻电机上。两个定子具有相同槽数，同轴连接， 变磁通磁阻电机具有一套电枢绕组和一套励磁绕组，电枢绕组与励磁 绕组分别排列在两个定子上。按照本发明的变磁通磁阻电机的绕组机 构，可以解决电机下线难，无需在电枢与励磁绕组之间增设绝缘材料， 提高槽利用率。
华中科技大学
2021-04-14
三相交流铁磁分离器
三相交流铁磁分离器是一种微细粉料中除去铁磁杂质的新型磁选设备。它可应用于微细粉料工业中除去因粉碎、磨细等加工过程中产生的铁磁颗粒，如耐火、陶瓷、磨料、石英、石墨、非金属矿等工业。它与市场上的磁选机的磁选原理不同，它对微细粉磁选的效果较好，又其结构简单，使用方便等特点。
西安交通大学
2021-01-12
一种污染土壤磁助电动修复装置
项目简介 本成果是一种污染土壤磁助电动修复装置，属于污染土壤处理技术领域。通过外加 电场和磁场的作用，使土壤中的污染物质加速富集于规定区域，达到清洁土壤的目的。 装置包括电极液添加管、阳极板、处理区、阴极柱、电极室、磁铁、外壳、电极液排放 管。本成果结构简单、建造成本低、易于操作、修复效果好，而且可以实现了土壤中多 种污染物的降解去除。 性能指标 （1）运行成本低，本装置适用的电势梯度仅为
江苏大学
2021-04-14
一种集成加热部件的微型气敏传感器的制作工艺
本发明公开了一种集成加热部件的微型气敏传感器的制作工艺，步骤为：①在基底上匀胶和光刻显影，形成叉指形状的光刻胶图形； ②将基底在保护气氛下进行热解，形成玻碳叉指电极；③在玻碳叉指 电极上匀胶并光刻显影；④再次热解，得到具有气体敏感材料和加热 部件的叉指电极气敏传感器。本发明利用光刻和热解技术先制作完成 加热部件和气敏部分，不需要另外加上检测电路，以及另外旋涂敏感 材料。本工艺的特点是将气体敏感材料部分和加热器件集成为一体， 而且制作的工艺就是常规的光刻、热解等工艺，相对于现有的气敏传 感器的加热部件具有尺寸小，耗费能量小，制作简单的优点。
华中科技大学
2021-04-11
一种集成加热部件的微型气敏传感器的制作工艺
本发明公开了一种集成加热部件的微型气敏传感器的制作工艺，步骤为：①在基底上匀胶和光刻显影，形成叉指形状的光刻胶图形；②将基底在保护气氛下进行热解，形成玻碳叉指电极；③在玻碳叉指电极上匀胶并光刻显影；④再次热解，得到具有气体敏感材料和加热部件的叉指电极气敏传感器。本发明利用光刻和热解技术先制作完成加热部件和气敏部分，不需要另外加上检测电路，以及另外旋涂敏感材料。本工艺的特点是将气体敏感材料部分和加热器件集成为一体，而且制作的工艺就是常规的光刻、热解等工艺，相对于现有的气敏传感器的加热部件具有尺寸小，耗
华中科技大学
2021-04-14
一维纳米复合金属氧化物气敏材料及其制备方法
本发明提供了一种一维纳米复合金属氧化物气敏材料及其制备方法。本发明将氯化锌溶液、氯化锡溶液混合后与氢氧化钠溶液进行水热反应，通过加入无水乙醇、表面活性剂和控制反应条件而制备一维纳米氧化锌氧化锡复合材料。该制备方法与现有的一维纳米金属氧化物材料的制备方法相比，具有成本低，操作简单，低能耗等优点。制备的纳米复合材料对甲烷、一氧化碳、二氧化氮等气体具有气体敏感度，是一种良好的气敏材料。
安徽建筑大学
2021-01-12
智能控温节能氧化钒（VO2）薄膜的制备
成果介绍智能控温薄膜可以实现高温下对红外线的反射和低温下对红外线的透射，是一种无需能源的智能空调。技术创新点及参数室温可用（20℃-40℃）节能减排（无需能源）满足了实时反馈的需求满足了温度控制的需求提出了在室温下实现智能变色的可能性
东南大学
2021-04-11
一种多层柔性薄膜的剥离装置及剥离方法
一种多层柔性薄膜的剥离装置，剥离装置的剥离刀为横截面为 圆角多边形的柱状结构，具有多个不同弯曲半径和弯曲角度的圆弧剥 离面，使用时可根据不同的薄膜选择不同剥离面进行剥离加工，无须更换剥离刀，大大提高了剥离刀的适用范围，并进一步运用剥离刀的 几何参数与剥离效果的关系理论，设计优化得到最优的剥离刀结构， 得到最佳的剥离质量和剥离效率，剥离装置结构简单、成本低廉，在 大面积柔性器件的封装领域具有广阔应用前景。
华中科技大学
2021-04-11
一种光子晶体水凝胶薄膜及其制备与应用
本发明公开了一种光子晶体水凝胶薄膜及其制备与应用，其中 该光子晶体水凝胶薄膜包括聚丙烯酰胺凝胶、以及分布在该聚丙烯酰 胺凝胶内的 Fe3O4@C 纳米粒子，其中所述 Fe3O4@C 纳米粒子为 Fe3O4 表面包覆有 C 材料的纳米粒子，所述 Fe3O4@C 纳米粒子在所 述聚丙烯酰胺凝胶中沿某一方向呈链状排列，该 Fe3O4@C 纳米粒子 在该光子晶体水凝胶薄膜中的浓度为 1～50mg/mL。本发明通过对光子 晶体
华中科技大学
2021-01-12
一种Sn掺杂CrO2薄膜及其制备方法
小试阶段/n磁性半金属CrO2薄膜在自旋电子器件中有广阔的应用前景，然而，其化学性质不够稳定，即使在室温下也容易转化为Cr2O3。本发明采用SnI4和CrO3作为前驱物，通过化学气相沉积(CVD）成功制备出Sn掺杂CrO2薄膜，使薄膜的热稳定性大大提升，从而解决了CrO2薄膜稳定性的问题。
武汉科技大学
2021-01-12