产品详细介绍商品说明：  型号 ID-01 工作频率 125（Khz） 读卡时间 0.08（s） 品牌 荣士 电源功率 0.2（W） 感应距离 8-15（cm） 感应方式 非接触式读卡 适用卡类 EM4100系列 类型 感应式读卡器       较之于同行的特点 专用USB设备接口,只需一条USB线连上电脑; 应用国际一流的纠错防冲突技术，读卡速度快; 公司自主开发生产,性能价格比高; 低返回率,保修速度快,可根据用户需求提供OEM产品! 提供ACTIVEX控件，可用于WEB网页开发！ 产品介绍 ID-01型USB接口ID卡读器 是我公司运用行业最新技术开发出来的一种低成本高性能电脑外部设备,通过本公司提供的专用高性能驱动程序和接口动态库函数，可在自己的电脑软件上控制读卡、驱动蜂响器声响。 有卡在感应区时指示灯会闪，此时调用动态库函数读卡可确保一次100%能读出卡号，不必要在程序上循环多次调用读卡函数。无卡指示灯会停止闪动。 技术参数 1． 即插即用，专用电脑USB接口，本公司提供驱动程序，动态库接口，例子源码开发包。点击下载开发包 2． 由电脑USB接口提供稳定的电源，无需外接电源，并内置电源保护。 3． 一个LED指示灯和一个蜂鸣器，刷卡时蜂鸣器响一声，指示灯闪一下。 4． 支持μEM4001、4100或及其兼容的RFID，频率：125kHz，感应距离为80mm-150mm。 5． 调用读卡函数可读出全部5字节卡号，而不仅仅是一般读卡器的]四个字节。 6． 功耗<0.2W、低功耗造就低故障率。 7． 支持Windows95/98/2000/XP。 8． 国内读卡器流行的外形，(尺寸:长×宽×高）10.8cm×7.8cm×2.8cm。

钨酸锆薄膜的制备方法,它属于薄膜制备领域.本发明解决了现有钨酸锆薄膜制备方法存在的操作复杂,成本高的问题.本发明的方法如下:一,硝酸氧锆和溶剂混合得到A溶液;二,络合剂,溶剂和偏钨酸铵混合得到B溶液;三,将A和B混合,配制溶胶;四,通过旋涂制备湿膜,再将湿膜预烧;五,制备钨酸锆非晶薄膜;六,钨酸锆非晶薄膜晶化后即得钨酸锆薄膜.本发明的制备工艺简单,成本低,制备得到的薄膜表面平整致密,厚度均匀,晶粒大小均匀.

1.项目简介：本设计了一种制备结晶氮化碳薄膜的装置，设有脉冲电弧放电的机构及电路，该电路由高压和电弧产生电路组成；该机构包括基板和与之相连的电加热器，设有半密封箱体，基板、电加热器和电极位于半密封箱体腔内，基板位于电极的下方或四周，设有2条带有控制阀的管道，分别通氮气和溶液，其下端深入半密封箱体腔内，通溶液的管道下端出口处于电极的上方。该装置能高效率、高质量地制备出结晶氮化碳薄膜，能方便地将结晶氮化碳薄膜涂层制备到管径较小的管道内壁，从而有利于结晶氮化碳薄膜的推广应用。项目已获实用国家新型专利权。2.技术特点：该发明解决了氮化碳薄膜低温常压沉积的困难，而且提供了能高效率、高质量地制备结晶氮化碳薄膜的方法及装置。与其它方法相比，该发明的显著特点是：在常压下合成的产品主要为结晶氮化碳薄膜；沉积速率快，在大气环境下产生稠密的含碳、氮等离子体，从而提高了生产效率，利于推广结晶氮化碳薄膜的应用。

一种钼酸盐功能薄膜,以导电或不导电的、晶态或非晶态的材料为衬底,晶粒度范围10～500NM,厚度100～3000NM。制备钼酸盐功能薄膜的工艺步骤为:(1)配制含MO离子络合物的溶液,以钼酸铵或/和钼酸为溶质,以丙二醇或丙三醇或丙二醇、丙三醇与丙二醇甲醚、冰乙酸的混合液为溶剂;(2)配制含金属离子络合物的溶液,以碱金属及碱土金属的碳酸盐或/和过渡金属及稀有金属的硝酸盐为溶质,以丙二醇或丙三醇或丙二醇、丙三醇与丙二醇甲醚、冰乙酸的混合液为溶剂;(3)制备钼酸盐前驱物溶液,将上述含MO离子络合物溶液和含金属离子络合物溶液充分搅拌混合,然后至少静置40分钟;(4)采用旋涂技术成膜和干燥。

随着微电子行业等微型化科技的快速发展，薄膜材料得到广泛应用。薄膜电池作为微型电源器件具有广阔发展空间。薄膜材料对于硅基负极而言，其短程储锂深度和单向膨胀的优势能够有效克服硅基材料的本征导电率低和体积膨胀大的问题。开发无需粘结剂的硅基负极薄膜材料对于薄膜负极发展意义深远。项目通过物理沉积方法，实现电极结构设计与导电型材料复合，改善硅基材料低导电率问题，优化硅基材料体积膨胀缓冲空间，从而完成无粘结剂硅基材料制备和倍率、循环等性能的提高。

以石墨烯为模板的少层石墨双炔薄膜的液相范德华外延生长法。以原子级平整的二维石墨烯为基底，采用极低的单体浓度（0.04 mM），在室温下进行偶联反应，通过溶液相范德华外延的方法，成功制备得到了大面积均匀连续的高质量、少层石墨双炔薄膜，高分辨透射电镜和光谱表征证实了其高质量单晶结构。该石墨双炔薄膜为ABC堆垛的三层结构，电子衍射显示石墨双炔/石墨烯薄膜具有两套单晶衍射点，分别对应于石墨双炔和石墨烯的单晶衍射图案，结果表明生长在石墨烯上的石墨双炔与下层石墨烯的晶格取向夹角为14°。

有机电致发光器件（OLED）具有对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、使用温度范围广、构造简单并可用于挠曲性面板等优异特性，被认为是新一代的 显示技术，在智能手机及各类未来智能终端领域应用潜力巨大。柔性OLED是实现曲面显示，乃至未来柔性显示的基础。由于金属和玻璃封装都不适合柔性器件的封装，薄膜封装技术的突破是柔性OLED产业化进程推进的关键，也是柔性OLED发展的主要课题之一。在聚合物基板和OLED上采用多层薄膜包覆密封（也称之为Barix技术：基于真空镀膜工艺制备的有机-无机交替多层膜结构），不仅具有低成本、更轻、更薄的优点，而且可以延长OLED器件的寿命。适用于柔性OLED封装技术的工艺路线如图1所示。本项目开发的封装材料适用于此工艺路线中的聚合物多层薄膜封装。

聚乳酸（PLA ）也称作聚丙交酯，是以玉米淀粉作为原料，用酶分解淀粉，得到葡萄糖，再由微生物发酵葡萄糖制得乳酸，从乳酸单体通过两种不同的合成途径：即乳酸直接缩聚反应（一步法）和通过丙交酯中间体开环聚合反应（二步法）获得。目前，高分子量的PLA一般采用二步法。此方法是先由乳酸合成丙交酯，再由丙交酯在催化剂（cat）的作用下开环聚合制备PLA，反应式如图1所示。因此，PLA是一种能够被水解和被微生物分解的合成塑料。

IGCT（Integrated Gate Commutated Thyristor，集成门极换流晶闸管）是在晶闸管（SCR）和门极可关断晶闸管（GTO）基础上发展起来的一种大功率半导体开关器件。 IGCT由门极换流晶闸管GCT（Gate Commutated Thyristor）和集成门极驱动单元共同组成。由于集成门极驱动单元承担了所有驱动、控制和保护的任务，使用者只需要提供电源和光纤控制信号，就可以简单地实现对IGCT器件开通关断的控制。 北京交通大学电气工程学院自2004年开始开展IGCT集成门极驱动技术的研究，成功研制了4000A/4500V不对称型和1100A/4500V逆导型IGCT器件集成门极驱动单元，在国内率先掌握相关核心技术并完成了产品的试验测试，已申请相关专利5项，拥有IGCT集成门极驱动技术的完全自主知识产权。在科技部科技支撑计划项目的支持下，北京交通大学电气工程学院正与国内多家企业合作，积极开展国产IGCT器件应用技术的研究，共同推进自主大功率电力电子器件的产业化进程。 IGCT与IGBT性能对比低压IGBT高压IGBTIGCT器件性能功率等级通过串并联才能满足MW级装置的要求通过串并联才能满足MW级装置的要求无需串并联就可应用于MW级装置导通损耗导通损耗较低导通损耗较大导通损耗最低开关损耗开关损耗较低开关损耗较大开关损耗较低开关频率开关频率最高较高较高吸收电路不需要吸收电路，但器件串联对驱动电路的要求较高不需要吸收电路，但器件串联对驱动电路的要求较高无需吸收电路驱动电路需单独设计、安装驱动电路需单独设计、安装驱动电路集成的门极驱动单元主电路保护及可靠性需要另外设计复杂的保护电路需要另外设计复杂的保护电路安全、无故障器件数目多中等最少结构器件数目较多，系统结构复杂结构比较紧凑结构非常紧凑接线复杂的布线和连接中等复杂的布线和连接非常简洁的布线和连接   在科技支撑计划“分布式功能系统高压变流器与软开关技术”项目支持下，采用国产IGCT器件研制3MW高压风力发电并网变流器。

本发明公开了一种内螺纹旋风成型驱动装置，该驱动装置安装在机床上，用于驱动刀具，旋转电机通过皮带驱动安装在皮带轮内与皮带轮固定联接的花键轴套；在刀具驱动轴的尾部具有与花键轴套相配合的花键，该花键结构使得刀具驱动轴在旋转电机的驱动下做旋转运动，同时在花键轴套内做往复直线运动；直线电机定子固定安装在机床上；本发明的刀具驱动轴的高速旋转运动和高频往复直线运动这两个运动分别由旋转电机和直线电机驱动，并且通过两条分离的路径传递，方便实现这两个运动的分别控制和相互协调。采用弹簧抑制高频运动引起的震动，同时降低能耗。利用离合器将法兰结构与刀具联接，分别传递旋转运动和往复直线运动，使安装拆卸容易。