技术亮点 ❖ 单轴/双轴测量； ❖ 超宽测量范围：±180°； ❖ 卓越的测量精度，0.01°（全量程）； ❖ 工业级可靠性设计； ❖ 符合严苛工业环境应用要求； ❖ 多种标准输出接口，便于系统集成与扩展。   应用范围 该系列产品特别适用于：建筑结构健康监测（古建筑、历史遗迹、危房等）、工业自动化控制系统以及高精度角度测量应用场景需要长期稳定监测的工业现场。   产品介绍 STS标准输出型倾角传感器是瑞惯科技专注于工业自动化控制领域而研发的产品。该产品采用紧凑型工业设计，配备RS485/RS232标准串行通信接口，集成高性能MEMS倾角传感单元和24位高精度差分A/D转换器，结合五阶数字滤波算法，可实现水平面倾斜角与俯仰角的高精度测量。 凭借其优异的测量精度、可靠的工业级性能和灵活的配置方案，STS标准输出型倾角传感器已成为工业测量领域的高性能解决方案。   性能参数 STS 条件 参数 测量范围 - ±10° ±30° ±60° ±90° ±180° 测量轴   - X Y轴 X Y轴 X Y轴 X Y轴 X轴 分辨率1） - 0.001° 精度 最大绝对误差2） 室温 0.01° 0.01° 0.015° 0.02° 0.02° 均方根值误差3） 室温 0.008° 0.008° 0.008° 0.009° 0.009° 零点温度系数4） -40～85℃ ±0.0005°/℃ 灵敏度温度系数5） -40～85℃ ≤0.01%/℃ 上电启动时间   0.5S 响应频率 20Hz 输出信号 TTL / RS232 / RS485可选 通信协议 串口通讯协议 / MODBUS RTU协议 可选 电磁兼容性 依照EN61000和GBT17626 平均无故障工作时间 ≥99000小时/次 绝缘电阻 ≥100兆欧 抗冲击 100g@11ms、三轴向(半正弦波) 抗振动 10grms、10～1000Hz 防水等级 IP67 电缆线 标配2米M12航空插头带PVC屏蔽电缆线，线重≤120g 重量 ≤150g(不含电缆线) 1) 分辨率：在有效量程内可识别的最小角度变化量，反映其对微小倾角波动的监测能力。 2) 最大绝对误差（MAE）：全量程范围内，对多个标准角度点进行测量，各测量值与实际角度值偏差绝对值的最大值。该参数表征产品在最不利情况下的测量偏差极限。 3) 均方根误差（RMSE）：量程范围内，对固定角度点进行多次重复测量（采样次数≥16次），计算各测量值与实际角度值偏差的均方根值。该参数反映测量结果的重复性与稳定性，是评估系统随机误差的重要指标。 4) 零点温度系数：传感器在零输入状态下，其输出值随温度变化的比率，定义为额定工作温度范围内零点偏移量与常温基准值的比值。   5) 灵敏度温度系数：传感器满量程输出值随温度变化的稳定性指标，表征额定温度范围内灵敏度相对于常温参考值的漂移率。

我国每年将进口200多亿美元的存储器芯片，而大的技术带动力发挥着关键作用,其产业中心的不断转移也深地出响了世界范围内的产业格局，存储器产业工艺技术先进,产品量大，替代性强,美欧日韩等集成电路强国无不是从半导体存储器产业切入并逐渐发展壮大的。建立完全自主的存储器产业可以推动我国整个半导体工业的完善和优化,并我国巨大的产品需求,就可以形成包括市场在内的完整产业体系。相比于其他新型存储器，铁电存储器更轻易实现深亚微米设计,与CMOS工艺的匹配性更出色,在设计上相对FDRAM变动最小，因而产业化成熟度最高,美国Cypress.TI公司和日本Fujtsu.Rohm公司等已有4K~8Mbit系列产品,正逐步占领全球消费类电子、新能源汽车等领域数百亿美元的市场份额,进军物联网、云计算等新兴领域铁电存储器具有非易失(即掉电后数据不丢失)、超低功耗高速读写、高可靠、长寿命和抗辐照等优点,被称为“终极存储器”。从全球存储器技术发展来看,铁电存储器作为新代存储器，能够在快速高耐久写入、超低功耗以及高可靠性的应用领域全面替代传统的NVRAM。

已有样品/n基于HZO铁电FinFET的混合存储器件。该器件在电荷俘获模式下，表现出高耐 久性（>1012），高操作速度（<20ns），良好的数据保持特性（104@85oC），与DRAM 的性能相近，为在SOC芯片及CPU芯片中集成嵌入式DRAM提供了可能。当器件工作在 电筹翻转模式下的时候，器件表现出非常好的数据保持特性（>10年）以及对读取 信号串扰的免疫能力，使该器件同时具有优越的不挥发存储特性。

本发明公开了一种非易失存储器和动态随机存取存储器的融合 内存系统，将非易失存储器和动态随机存取存储器融合在一起，共同 作为计算机系统的内存统一管理，其中动态随机存取存储器既可以与 非易失存储器统一编址，亦可以以部分容量充当非易失存储器的高速 缓冲存储器(cache)，其 cache 空间的容量大小自适应数据负载特点而动 态可配，以便加快非易失存储器的访问速度，并能降低 I/O 访问磁盘 频率，提高计算机系统整体性能。

中国海洋大学服务器、图形工作站、相机等设备采购项目（二次）竞争性磋商

本实用新型涉及一种具有存储和加密狗功能的答题器，它包括单片机控制电路、用于存储授权和加密信息的存储器、键盘电路、射频模块、USB控制器、拨码开关、U盘模块、USB接口和RFID标签。所述键盘电路的输出端接单片机控制电路的相应输入端，所述存储器、射频模块和USB控制器分别与单片机控制电路的相应端口双向连接，所述USB控制器通过拨码开关与USB接口和U盘模块双向连接，所述射频模块与教师终端通过射频信号相连接，所述RFID标签贴于所述答题器的机壳上。本实用新型的有益效果是将学生考勤、互动教学系统以及访问网络教学资源融合为一体，使学生快速访问教学资源，并且保护教学资源不被非法入侵。

已有样品/nSTT-MRAM 是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量的新材料、新结构，加工制备难度极大。当前，美韩日三国在该项技术上全面领先，很有可能在继硬盘、DRAM 及闪存等存储芯片之后再次实现对我国100%的垄断。微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超与北京航空航天大学教授赵巍胜的联合团队通过3 年的艰苦攻关，在STT-MRAM 关键工艺技术研究上实现了重要突破，在国内首次采用可兼容CMOS 工艺成

已有样品/n64Mb ReRAM 芯片和内嵌ReRAM IP 的SOC 由紫光国芯等单位共同设计，在实现基于ReRAM 存储机理和单元特性的读写电路、芯片构架、可测试性设计、冗余设计、纠错设计和系统访问管理等关键技术方面实现了突破和创新。两款芯片均已经在相关验证系统完成了应用演示等相关测试，其中64Mb ReRAM 芯片可成功实现数据文件、图形文件及多媒体文件的读写编辑及实时播放操作，在功耗、速度和寿命等方面取得了令人满意的效果。

一种相变存储器数据写入方法，属于存储器的数据存储方法，解决现有相变存储器数据写入方法存在的未最大化地利用能耗预算问题，以提升相变存储器(PCM)的写性能和寿命。本发明包括读出数据步骤、分析数据步骤、写入数据步骤。本发明针对 PCM 写“0”和写“1”的延时及能耗的不对称性，充分利用 PCM 的能耗预算(power-budget)，通过分别记录每一个数据单元待修改的“0”和“1”的个数，对每一个数据单元写入顺序重新调度