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一种三维氮掺杂石墨烯复合材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种三维氮掺杂石墨烯复合材料及其制备方法和在电化学生物传感中的应用。本发明 借助三维氮掺杂石墨烯高比表面积、良好的生物相容性、高导电率的特性，构造三维氮掺杂石墨烯复合 材料，首先以泡沫材料为基底，在含惰性气体、氢气及碳源与氮源条件下，利用化学气相沉积方法（CVD 法），得到含基底的三维氮掺杂石墨烯；然后对三维氮掺杂石墨烯进行刻蚀、清洗处理得到三维氮掺杂 石墨烯复合材料。将三维氮掺杂石墨烯与酶/非酶材料进行复合，得到相应的三维氮掺杂石
武汉大学
2021-04-14
一种锑阳极直接碳固体氧化物燃料电池电堆及其制备方法
本发明公开了一种锑阳极直接碳固体氧化物燃料电池电堆及其 制备方法，属于燃料电池领域。锑阳极直接碳固体氧化物燃料电池呈 管状，其内壁为阴极或者负载有阴极的阴极支撑体，其外壁为电解质 或者负载有电解质的电解质支撑体，阳极位于电解质表面或者负载有 电解质的电解质支撑体表面。电堆包括电堆腔体和封装集成在电堆腔 体中的多个单电池。电堆的制备方法包括：S1 制备单电池中间体；S2 制备电堆中间体；S3：先设置阴极侧集流线和阳极侧
华中科技大学
2021-04-14
一种环氧树脂－二氧化硅空心管复合材料及制备方法
本发明公开了一种环氧树脂－二氧化硅空心管复合材料及其制 备方法。所述环氧树脂-二氧化硅空心管复合材料，包括二氧化硅空心 纳米管和环氧树脂，所述二氧化硅空心纳米管分散于环氧树脂中，其 添加量为环氧树脂的 0.1～10wt.％。其制备方法包括以下步骤：(1)采 用溶胶-凝胶法制备二氧化硅空心纳米管；(2)将步骤(1)制备的二氧化硅 空心纳米管分散于环氧树脂中，形成环氧树脂-二氧化硅空心管均匀分 散体系；(3
华中科技大学
2021-04-14
一种纳米氢氧化钴-石墨烯复合膜、其制备方法及应用
本发明公开了一种纳米氢氧化钴-石墨烯复合膜、其制备方法及 应用。所述复合膜，包括纳米石墨烯底层和纳米氢氧化钴表层，所述 纳米石墨烯底层厚度在 4000nm 至 6000nm 之间，所述纳米氢氧化钴表 层厚度在 50nm 至 100nm 之间，所述纳米氢氧化钴表层均匀沉积在所 述纳米石墨烯底层上。其制备方法，包括以下步骤：将氧化石墨烯均 匀分散于水中，涂敷在片状导电基底上，干燥得到纳米氧化石墨烯膜； 组建三电极体系采用
华中科技大学
2021-04-14
无卤高效磷系阻燃剂及其高阻燃透明环氧树脂复合材料制备技术
项目简介： 环氧树脂固化物具有较好的热稳定性、绝缘性、 粘结性、良好的力学性能、优良的成型工艺性能及较低的成本等优点，广泛应用于电子元器件的粘接、封装、印制线路板的 制造及航天等领域， 是目前最为
西华大学
2021-04-14
高可见光活性纳米氮掺杂TiO2规模化制备及应用技术
所属行业领域 环境净化新材料、新技术 成果简介 该成果解决了氮掺杂纳米TiO2（N-TiO2）粉体的低成本规模化制备及其在水相中的均匀分散和悬浮稳定等关键技术，建成了年产能达百吨级的高可见光活性的纳米N-TiO2光催化喷剂中试生产线；制定了国内首个纳米N-TiO2光催化喷剂产品标准；建立了高效气相和液相
北京科技大学
2021-04-14
吉林大学聚醚醚酮特种纤维制备技术亮相首届高等学校科技创新大会
5月21-23日，首届高等学校科技创新大会于第56届中国高等教育博览会期间在山东青岛举办。大会以“激活科技创新 打造齐鲁样板”为主题，由教育部科学技术与信息化司指导，中国高等教育学会主办，云上高博会工作组、中国教育在线承办。
吉林大学
2021-05-27
一种铌钼复合微合金化高强度贝氏体钢及其制备方法
本发明涉及一种铌钼复合微合金化高强度贝氏体钢及其制备方法。其技术方案是：将铸坯采用热轧机组进行轧制，粗轧开轧温度为1150——1200℃，精轧开轧温度为950——1000℃，精轧终轧温度为900——950℃；然后以30——50℃/s的速度冷却至420——450℃，再空冷至330——380℃，在330——380℃条件下保温30——45min，然后水冷至室温。所述铸坯的化学成分及其含量是：C为0.19——0.224wt%，Si为1.43——1.50wt%，Mn为1.94——2.05wt%，Nb为0.025——0.027wt%，Mo为0.142——0.15wt%，P<0.008wt%，S<0.002wt%，N<0.004wt%，剩余部分为Fe及不可避免的杂质。本发明具有成本低廉、工艺简单和生产周期的特点，所制备的制品的强度与塑形良好匹配，综合性能优良。
（注：本项目发布于2015年）
武汉科技大学
2021-01-12
一种硼、氮共掺杂下有机固废余辉碳点及制备方法和应用
本发明公开了一种硼、氮共掺杂下有机固废余辉碳点及制备方法和应用，涉及有机固废水热转化技术。该方法是将生物质模型化合物和硼酸混匀，在微波辅助水热的条件下进行反应，之后依次进行离心、透析和冷冻干燥，形成预处理后的碳点；之后三聚氰胺作为外源氮源与预处理后的碳点以及去离子混合后进行水热反应，之后依次洗涤和真空干燥，即可得到目标产品。本发明提出了一种全新的通过有机固废制备余辉碳点的策略，在杂原子掺杂机制的作用下，通过两步水热法构筑碳点，优化掺杂与缺陷调控，实现了荧光向余辉发光的可控转换。
南京工业大学
2021-01-12
高稳定金属膜电阻器用磁控溅射中高阻靶材及制备技术
成果与项目的背景及主要用途：
Cr-Si 中高阻膜电阻器具有精度高、噪声低、温度系数小、耐热性和稳定性好等优点，在精密电子设备和混合集成电路中大量采用。对于溅射制备电阻膜来说，靶材是至关重要的，它制约着金属膜电阻器的电阻率、精度、可靠性、电阻温度系数（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。电阻温度系数(TCR)是金属膜电阻器的一个重要性能技术指标之一，较大的 TCR 在温度变化时会造成电阻值漂移，从而影响电阻器的精度和稳定性。目前国内外生产的金属膜电阻器用高阻靶材，其性能不能满足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。
技术原理与工艺流程简介： 靶材炼制工艺如下图所示所制备的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在溅射成电阻器薄膜后, 电阻温度系数小(≤25 ×10-6 / ℃), 电阻值高(要求不刻槽数量级为千欧, 刻槽后数量级为兆欧)且稳定(随时间变化小), 因此, 在本靶材研究中, 将选择 Cr 、Si 作为高阻靶材的主体材料。由于 C r 、Si 熔点高, 原子移动性低, 因此由其所组成的薄膜稳定性高。通过在金属 C r 中引入半导体材料 Si 来提高电阻器合金膜的阻值。C r 是很好的吸收气体的金属元素, 在电阻器薄膜溅射过程中, 可通过通入微量的氧来提高薄膜的电阻率, 同时调节电阻温度系数。技术指标如下：温度冲击实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 过载实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 寿命实验后ΔR/R ≤±1 .0 %,电阻温度系数 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。
应用领域：
集成电路、电子元器件
合作方式及条件：具体面议
天津大学
2021-04-11