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一种高性能高可靠的固态盘实现方法
本发明提供了一种高性能高可靠的固态盘实现方法,包括:(1) 将固态盘内部的所有闪存芯片分成若干组,每组由 N 个连续的闪存芯 片组成一个 RAID4 级别的闪存阵列;(2)通过缓冲区接收并存储数据, (3)判断缓冲区是否已满,若是,则进入步骤(4);若否,则返回步骤(2); (4)从缓冲区中取 N-1 个数据块,计算出所述 N-1 个数据块的校验值; 将所述 N-1 个数据块和所述校验值拼凑成满条带数据,写回闪存阵列;
华中科技大学 2021-04-14
一种半固态铜合金连续铸造装置与方法
本发明公开了一种半固态铜合金连续铸造装置与方法。本发明的装置包括炉体,机械搅拌装置从上方插入所述炉体中,所述机械搅拌装置的搅拌头呈螺旋状;所述炉体中还设有热电偶,所述热电偶电性连接至设置于所述炉体外的PID温度控制器,所述PID温度控制器电性连接至高频感应加热器;所述炉体还通过液体管道与水箱、水泵流量计串连;牵引棒的一端从下方插入所述炉体中,另一端固
东南大学 2021-04-14
一种固态电解质膜、其制备方法及应用
本发明公开了一种固态电解质膜、其制备方法及应用。所述固 态电解质膜,包括固态电解质层和多孔陶瓷层,所述固态电解质层厚 度在 0.5 微米至 10 微米之间,所述多孔陶瓷层厚度在 100 微米至 300 微米之间,所述固态电解质层均匀覆盖在多孔陶瓷层上。其制备方法, 包括以下步骤:(1)固态电解质前驱体的制备:将原料粉末在 500℃至 700℃下烧结;(2)固态电解质靶材料的制备:将粉末加入粘结剂压制成 片并烧结;(3
华中科技大学 2021-04-14
中国科大实现光子偏振态的可集成固态量子存储
郭光灿院士团队在固态量子存储领域取得重要进展。该团队李传锋、周宗权研究组基于自主加工的激光直写波导,实现了光子偏振态的可集成固态量子存储,存储保真度高达99.4±0.6%,该工作显著推进了可集成量子存储器在量子网络中的应用。
中国科学技术大学 2022-06-02
芯片热设计自动化系统
TDA(芯片热设计自动化)软件是清华航院曹炳阳教授团队全自主研发的国际首个芯片跨尺度热仿真与设计系统。TDA软件可实现芯片从纳米至宏观尺寸的热设计与仿真,支持芯片微纳结构内部热输运过程的模拟研究,直接提高芯片热仿真精度与结温预测准确度,进而提高芯片性能、寿命和可靠性。
清华大学 2025-05-16
一种金属半固态坯料的制备装置及其制备方法
(专利号:ZL 201510292612.7) 简介:本发明公开了一种金属半固态坯料的制备装置及其制备方法,属于金属材料与冶金技术领域。本发明的一种金属半固态坯料的制备装置,包括加热机构、坩埚和升降平台,其中,所述的加热机构包括交流电源和加热线圈,加热线圈通过导线与交流电源相连,且上述加热线圈包括第一线圈和第二线圈;坩埚固定于升降平台上且置于第一线圈和第二线圈内部;本发明的一种金属半固态坯料的制备方法,包括循环重熔处理工序,其循环重熔处理主要是通过交替关闭第一线圈和第二线圈,控制金属熔体的中心温度处于其半固态温度区间,上下循环地移动坩埚来进行的。通过使用本发明,可以得到纯净无污染的金属半固态坯料,设备和操作简单,成本低,广泛适用于各种合金材料。
安徽工业大学 2021-04-11
一种全固态非对称电容器及其制备方法
本发明公开了一种全固态非对称电容器及其制备方法,其中, 该全固态非对称电容器依次包括负极、第一固态电解质、隔膜、第二 固态电解质、以及正极;所述正极为附着有纳米二氧化锰的聚吡咯纳 米线复合材料,所述负极为聚吡咯纳米线。本发明通过对其关键的电 极材料的结构及组成,相应的制备方法工艺步骤、及反应条件等进行 改进,与现有技术相比能够有效解决目前全固态电容器正极材料导电 性差的问题,并且该制备方法操作简单,正、负级材料的形貌
华中科技大学 2021-01-12
全固态锂电池固体聚合物电解质研究
全固态锂电池的活性物质负载通常较低(<1 mg cm-2),该值远小于目前商用锂离子电池钴酸锂正极的 12 mg cm-2 和石墨负极的 6 mg cm-2。物质学院刘巍课题组在高性能全固态锂电池的固体聚合物电解质方面取得重要进展。他们突破传统制备方法,利用立体光固化成型(SLA)3D 打印技术,以聚乙二醇二丙烯酸酯为聚合物基体原料,3D 打印出一种具有三维表面结构的聚合物固态电解质。由于构建出 3D 电解质-电极界面,使界面处的比表面积增大了 95%,显著优化了电极与聚合物固态电解质之间的界面接触,大大降低了界面阻抗,并且能将正极活性物质负载提高到 5 mg cm-2 这一较高的水平,以此提升全固态锂电池的性能。SLA3D 打印技术为高性能的全固态锂电池提供了新的研究途径,有希望应用于下一代的能量存储领域。
上海科技大学 2021-04-13
一种基于闪存的固态盘的数据安全删除方法
本发明公开了一种基于闪存的固态盘的数据安全删除方法,利用固态盘中多个数据通道可并行操作的特点,采用改进的秘密共享方案,对数据进行转换处理,将编码后的数据分发到各个数据通道,一方面,编码保证数据冗余,且转换后的数据为密文,提高数据可靠性与安全性;另一方面,利用容错编码的特性,对数据的删除不再需要对整个数据进行覆盖写,而是删除部分数据,破坏数据完整性,使数据无法恢复。即使攻击者得到部分编码数据,也不能获取明文,达到
华中科技大学 2021-04-14
宽温度范围连续可调控固态非线性光学开关材料的研究
非线性光学开关材料是非线性光学材料的一个重要分支,指的是在某种外界条件(如:光、热、化学环境变化等)变化下,能够在非线性光学 “开”、“关”两种状态间切换的物质。先前的大多数研究主要集中于液态材料,但其易失谐以及不稳定等特点,使得液态开关材料难以获得实际应用。而固态非线性开关材料具备非线性性质优良、性能稳定、易于调控等优势;但是目前具备固态非线性开关特性的材料却还很匮乏,这是因为其不仅要求其结构构筑基元是强响应非线性活性基团,而且环境变化下具备基元间对称性的可逆重排特性。目前,已经报道的固态非线性开关材料在状态间切换依赖于材料本身的相变温度Tc,正因如此,已报道材料只能在一个固定温度点下使用,这严重限制了固态非线性材料在温度响应方面的应用。 2018年吴立明课题组从理论上预测具不对称性的单氟磷酸根PO3F2-有望成为新的DUV NLO功能基团,并提出氟磷酸盐可作为深紫外非线性光学材料;进而通过实验合成获得(NH4)2PO3F,NaNH4PO3F∙H2O,(C(NH2)3)2PO3F等新型单氟磷酸盐深紫外非线性光学材料,并对其非线性光学性能进行了系统研究。(Chem. Mater. 2018, 30, 7823-7830.)。对其中非线性晶体材料(NH4)2PO3F相变特性深入研究发现:该化合物可在温度变化下发生低温相(P21/n、无非线性信号)和高温相(Pna21、有非线性信号)的相互转变。通过单晶结构表征分析证实,该相转变需要克服氢键网络重排的能垒。基于此,该工作提出,如果能调控(NH4)2PO3F中的氢键结构,有望实现对该化合物相变能垒和相变温度的调控。据此,该工作利用K+与NH4+的半径相似但不存在氢键环境的特点,设计合成了一系列化合物Kx(NH4)2-xPO3F (x = 0.0 – 2.0)。研究表明,随着K+含量x的增加,由于Kx(NH4)2-xPO3F结构中氢键网络不断被削弱,发生相转变所需克服的能垒也逐步降低,在材料性能上则表现为非线性开关激发温度Tc的不断降低。因此,通过调控材料中K+离子的含量,固态非线性开关材料Kx(NH4)2-xPO3F (x = 0 – 0.3)可实现激发温度Tc在270–150 K大温度范围内的连续可调。这是首次实现对固态非线性开关材料激发温度的调控,并且根据K+离子含量的控制,可实现在120摄氏度范围内的宽温度连续可调。通过理论计算高温相与低温相的自由能证实当K+含量高于30%时,由于氢键结构的过度削弱,该相转变消失,这与实验结果相符。该工作系统深入地探究了内部微观结构与宏观非线性光学开关性质之间的内在机制,不仅打破了传统非线性开关局限在特定温度的壁垒,而且为今后研究氢键机制作用下调控宏观性质提供了有益的参考。
北京师范大学 2021-02-01
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