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有层次结构的纳米立方体和纳米铁花状结构的制备方法
一种有层次结构的纳米铁立方体和纳米铁花状结构的制备方法，具体作法是：取不锈钢片和钛片、不锈钢片和钛片的面积比为2.5∶1，依次用400，600，800目砂纸抛光，清洗3-5次；超声30分钟，取出备用；配置含450g/L的FeCl2，抗环血酸1.4g/L，氟化铵0.8g/L，复合氨基酸0.7g/L，柠檬酸0.086g/L，0.05mol/L盐酸的电镀液；以处理后的钛片做阴极，不锈钢片做阳极，进行0.1A的恒电流电镀，电镀时间为3-60s；电镀完后取出钛片，即获得纳米铁立方体或纳米铁花状结构。该方法制得的纳米铁为立方体及花状结构，比表面积大，活性好，且设备简单，能耗低，适合大规模生产。
西南交通大学
2016-10-20
一种菊花状纳米钯聚集体材料的超声辐射制备方法
本发明公开了一种菊花状纳米钯聚集体材料的超声辐射制备方法，是向反应器中加入水和乙醇，然后加入 PdCl2 粉末和表面活性剂-大分子复合体系软模板，在氮气保护下超声反应，反应结束后离心分离收集沉淀物，用乙醇和丙酮洗涤后真空干燥得到纳米钯聚集体材料。本发明借助乙醇的还原作用和助溶剂作用，没有额外添加诸如硼氢化钠、抗坏血酸等化学还原剂的条件下一步合成菊花状纳米钯聚集体材料，反应速率容易控制，成本低廉，操作过程简便易行。本发明所制得的菊花状纳米钯聚集体材料的尺寸范围在 60-100nm 之间。
安徽理工大学
2021-04-13
一种制备花状铜纳米簇-石墨烯-泡沫镍材料的方法
本发明提供了一种制备花状铜纳米簇?石墨烯?泡沫镍复合材料的方法，主要包括以下工艺步骤：1.用化学气相沉积法(CVD)在泡沫镍基体上生长一层石墨烯，制备出石墨烯?泡沫镍基体，2.将上述石墨烯?泡沫镍基体材料直接浸入硫酸铜和L?精氨酸的混合溶液中，让其反应3?6h即得到花状铜纳米簇?石墨烯?泡沫镍复合材料。所制备的花状铜纳米簇由于其具有特殊的花形结构，大大增加了铜粒子的比表面积，使其在一些特殊领域，如气体传感，有广阔的应用前景。
东南大学
2021-04-11
一种螺旋立铣刀正交车铣加工三维稳定性建模方法
本发明公开了一种螺旋立铣刀正交车铣加工三维稳定性建模方 法，包括以下步骤:(1)将机床-刀具-工件系统简化为质块-弹簧-阻尼器 连接的振动系统，建立坐标系 xFyFzF，建立振动系统动力学方程;(2) 利用锤击法模态试验分别得到振动系统分别在 xF，yF，zF 每个方向的 频响函数，辨识出振动系统的模态质量、刚度和阻尼，计算振动系统的惯性力、弹簧力、阻尼力;(3)计算螺旋立铣刀的动态切削力;(4)求 解振动系统动力学方程得到振动系统的稳定性叶瓣图。本发明考虑了
华中科技大学
2021-04-14
一种黄曲霉毒素的螺旋式等离子体降解装置
本实用新型提供了一种黄曲霉毒素的螺旋式等离子体降解装置，所述黄曲霉毒素的螺旋式等离子体降解装置设有等离子发射器、等离子体发生器、螺旋塔装置、控制面板。本实用新型提供了一种黄曲霉毒素的螺旋式等离子体降解装置，主要用于粮食表面的黄曲霉毒素的降解。物料在重力和螺旋离心力的作用下，缓慢的从螺旋塔上部流到下部，保证每颗物料都均匀地受到等离子体的作用。该装置可以进行连续化作业，降解速度快，效率高，处理环境温度低，无溶剂残留，无环境污染，且能保证物料的色香味及营养成分不被破坏。
青岛农业大学
2021-04-13
一种螺旋体MOC材料光催化剂及其制备方法和应用
本发明公开了一种螺旋体MOC材料光催化剂的制备方法及应用，其为结构通式(I)的化合物。本发明化合物是一种在可见光下可降解染料、四环素及还原六价铬的光催化剂，催化剂易于从溶液中分离，具有良好的结构稳定性和可重复使用性。
南京工业大学
2021-01-12
一种基于运算放大器的忆阻器编程电路及其操作方法
本发明公开了一种基于运算放大器的忆阻器编程电路及其操作 方法，编程电路包括：阻变元件、运算放大器、脉冲开关、第一电阻； 运算放大器的反相输入端作为编程电路的输入端，同时连接阻变元件 的一端；阻变元件的另一端连接脉冲开关的一端，同时连接第一电阻 的一端；第一电阻的另一端作为编程电路的输出端，同时连接运算放 大器的输出端；脉冲开关的另一端作为脉冲输入端；运算放大器的同 相输入端接地。本发明利用阻变元件的阈值电压性质，通过
华中科技大学
2021-04-14
一种大功率LED与散热器的零热阻结构及LED灯
本实用新型涉及一种大功率LED与散热器的零热阻结构,及基于此结构的LED灯。大功率LED与散热器的零热阻结构,包括至少一个大功率LED、PCB、散热器,所述的PCB为单面覆铜绝缘基PCB,PCB有用于安装LED的通孔,LED电极引出脚焊接在PCB的导电线上,LED的热沉的外平面与PCB的无导电层面平行、且高出PCB的无导电层面,所述的PCB通过固定装置安装于散热器上,热沉与散热器之间有不含固体颗粒的粘结胶,其厚度接近为零。本实用新型具有LED热沉到散热器的热阻接近为零、导热效率高、LED结温低、可用更大工作电流降低成本、发光效率高、寿命长、工艺简单、成本低等优点,可用于制造各种LED照明装置。
浙江大学
2021-04-13
高稳定金属膜电阻器用磁控溅射中高阻靶材及制备技术
成果与项目的背景及主要用途：
Cr-Si 中高阻膜电阻器具有精度高、噪声低、温度系数小、耐热性和稳定性好等优点，在精密电子设备和混合集成电路中大量采用。对于溅射制备电阻膜来说，靶材是至关重要的，它制约着金属膜电阻器的电阻率、精度、可靠性、电阻温度系数（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。电阻温度系数(TCR)是金属膜电阻器的一个重要性能技术指标之一，较大的 TCR 在温度变化时会造成电阻值漂移，从而影响电阻器的精度和稳定性。目前国内外生产的金属膜电阻器用高阻靶材，其性能不能满足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。
技术原理与工艺流程简介： 靶材炼制工艺如下图所示所制备的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在溅射成电阻器薄膜后, 电阻温度系数小(≤25 ×10-6 / ℃), 电阻值高(要求不刻槽数量级为千欧, 刻槽后数量级为兆欧)且稳定(随时间变化小), 因此, 在本靶材研究中, 将选择 Cr 、Si 作为高阻靶材的主体材料。由于 C r 、Si 熔点高, 原子移动性低, 因此由其所组成的薄膜稳定性高。通过在金属 C r 中引入半导体材料 Si 来提高电阻器合金膜的阻值。C r 是很好的吸收气体的金属元素, 在电阻器薄膜溅射过程中, 可通过通入微量的氧来提高薄膜的电阻率, 同时调节电阻温度系数。技术指标如下：温度冲击实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 过载实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 寿命实验后ΔR/R ≤±1 .0 %,电阻温度系数 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。
应用领域：
集成电路、电子元器件
合作方式及条件：具体面议
天津大学
2021-04-11
低介低损耗LTCC微波介电材料及流延技术
成果描述：我们研发的低介低损耗LTCC微波介质材料主要参数满足： 烧结温度：900度 介电常数：5.8~6.5可调 Qf：≥50000市场前景分析：该材料可广泛应用于各种LTCC天线、滤波器等微波集成器件领域和LTCC集成模块的封装领域，市场前景非常好。与同类成果相比的优势分析：目前国内还没有该类型的产品问世，相应研究所和企业主要是购买国外的Ferro公司的A6材料。由于A6材料价格昂贵，且主成分为玻璃体系，限制了其推广和应用。本成果材料主要为陶瓷体系，与LTCC工艺的兼容性很好，且成本低廉，优势明显。
电子科技大学
2021-04-10