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多特异性铂 (IV) 配合物抑制乳腺癌
南京大学化学化工学院郭子建院士与生命科学院王晓勇教授团队开发了一系列具有免疫调节性能的铂类药物，其中一例多特异性铂(IV)配合物DNP能够通过同时调节炎症和免疫抑制微环境来实现对乳腺癌生长的抑制。
一、项目分类
重大科学前沿创新、关键核心技术突破
二、成果简介
大量的研究发现铂类药物除了直接杀伤肿瘤细胞外，还能够通过调节免疫反应来对抗肿瘤。美国FDA已批准多项铂类药物与免疫检查点抑制剂联合的肿瘤治疗方案，打开了铂类药物设计的新视角。通过合理的设计来增强传统铂类药的免疫调节性能，为临床肿瘤治疗提供新的解决方案。
南京大学化学化工学院郭子建院士与生命科学院王晓勇教授团队开发了一系列具有免疫调节性能的铂类药物，其中一例多特异性铂(IV)配合物DNP能够通过同时调节炎症和免疫抑制微环境来实现对乳腺癌生长的抑制。DNP展现出显著高于顺铂的体内外抗肿瘤活性，机理研究表明该化合物具有多个与乳腺癌、炎症、转移、免疫逃逸相关的靶点，包括环氧合酶2(COX-2)、程序性死亡受体(PD-L1)、乳腺癌相关蛋白BRD4以及胞外调节激酶Erk1/2和致癌基因c-Myc等。这种多特异性既拓宽了对金属药物作用机制的理解，又为化疗免疫联合治疗提供了一个选择策略。该研究成果发表于国际化学顶级期刊Angew. Chem. Int. Ed., 2020,59, 23313。
南京大学
2022-08-12
关节式电分相过电压抑制系统研究
本成果来自有重大应用前景的横向项目，现已结题，知识产权归属西南交通大学。该成果的创新性和先进性：基于小波分析理论及自适应治理原理，对关节式电分相过电压产生机理进行系统研究，借助阻容单元、热爆脱离器、非线性氧化锌阀片单元，研制过电压在线治理装置。该装置的成功研制，能够有效抑制机车过分相时产生的暂时过电压与瞬时过电压，为关节式电分相过电压治理及机车行驶安全提供保障。
西南交通大学
2016-06-27
一种宽阻带抑制高温超导低通滤波器
本发明涉及低通滤波器技术领域，公开了一种宽阻带抑制高温超导低通滤波器，包括依次串联的交指发夹低通滤波器和窄带带阻滤波器；交指发夹低通滤波器包括至少一个交指发夹谐振器，交指发夹谐振器在发夹型谐振单元的一对耦合传输线中引入交指微带线，以在通带和阻带的边缘引入传输零点；窄带带阻滤波器包括至少一个半波长阶跃阻抗谐振器，半波长阶跃阻抗谐振器将半波长谐振器通过电磁耦合形式加载到主传输线，以引入串联传输零点。本发明实现了在宽频段带通和特定频段的有效干扰抑制，同时保持了较小的插入损耗和良好的边带抑制。
上海理工大学
2021-01-12
海洋塔胞藻新型表皮生长因子制备生物贴膜
目前该产品已应用于腹腔术后及周围神经修复手术动物实验中，效果良好。 本项目利用已有自主知识产权-分子定向进化 的高效表皮生长因子（ eEGF）为功能基因表达序 列，采用上游调控序列改造和多拷贝策略构建叶绿 体表达载体，转化和筛选优良的塔胞藻，作为海洋 生物反应器。在集成高效表达技术、代谢工程调 控、蛋白质分离和纯化四级技术平台基础上，实现 重组eEGF的高效表达和生产。进而结合全新的海绵 状胶体成膜技术，将含有eEGF充分吸附到海绵状胶 体膜囊腔中，起到抗挥发、控释缓释的强效作用， 其整合了新颖的精准皮肤营养和修复和先进的生物 工艺学技术，可大幅度提升企业在新兴产业链上的 辐射产品自主创新能力和国际竞争力。
四川大学
2021-04-10
关于晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制的研究
研究团队创造性提出晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制，在国际上首次实现种类最全、尺寸最大的高指数晶面单晶铜箔库的制造。
北京大学
2021-04-11
多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置
一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
四川大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
单壁、少壁碳纳米管的水分辅助CVD可控生长
CNT纯度>99%（无须后处理），CNT阵列高度10m-1mm，CNT直径2nm-15nm。技术创新点： 采用水分辅助CVD技术，催化剂效率大大提高，可获得极高的碳纳米管纯度。
上海理工大学
2021-04-13
治疗心血管疾病中药赤芍总苷片
该产品是从中药赤芍中提取的有效成份，主要用于因各种器质性心脏病（冠心病、心绞痛、心肌炎、心肌病、肺心病）引起的心肌损伤，并能用于慢性充血性心力衰竭的治疗。世界卫生组织调查结果显示：全世界每年约有1500万人死于心脏病，占总病死率54％以上。目前国内治疗心血管病的二类中药较少，该药的特点是结构成份清楚，治疗效果和机理明确，毒副作用小，可以满足市场需求，并具有
西安交通大学
2021-01-12