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人才需求：新材料、高分子材料专业
新材料、高分子材料专业
山东绿森塑木复合材料有限公司
2021-09-02
人才需求:研发工程师（高分子专业）
研发工程师（高分子专业）
山东天迈化工有限公司
2021-09-06
人才需求、高分子应用化学、汽车电路
1、高分子应用化学专业1人
2、工程设计人员2人
3、汽车电路设计应用专业2人
山东新祯电子科技有限公司
2021-06-16
猪胴体和免疫性状相关分子标记检测技术
ZL201110056015.6专利涉及作为猪标记辅助选择应用的与猪白细胞计数相关的分子标记及应用。所述的分子标记为蓝耳病毒受体唾液酸黏附素基因的片段，该专利中发现了一个SNP位点(367G-367A)，建立了一种针对该SNP位点的PCR-Hin6I-RFLP检测方法。该SNP位点可作为猪白细胞计数的分子标记进行标记辅助选择改良猪的抗病力。
ZL201010223062.0专利涉及作为猪标记辅助选择应用的与免疫性状相关的分子标记及应用。所述的分子标记由蓝耳病毒受体硫酸乙酰肝素个的内切酶基因HPSE克隆得到，在该基因猪发现了一个SNP位点（782A-782G），建立了一种针对该SNP位点的PCR-AluⅠ-RFLP检测方法。该SNP位点可作为猪免疫性状的分子标记进行标记辅助选择改良猪的抗病力。
ZL201010278643.4专利涉及作为猪标记辅助选择应用的与板油率，内脂率，腿臀肉骨率和眼肌面积等性状相关的分子标记及应用。
成果可在猪胴体性状与抗病力改良标记辅助育种中进行应用，三个专利组合使用可以降低板油率、内脂率、提高腿臀肉骨率、瘦肉率和抗病力，对于猪的分子育种具有显著的社会效益和经济效益。
转化条件：分子生物学常规设备和条件。
成果完成时间：2016年2月
华中农业大学
2021-01-12
与猪产仔数性状相关的分子标记技术
该项目属于猪分子标记制备与应用技术领域，具体涉及一种与猪产仔数性状相关的分子标记及其应用，所述的分子标记从猪PTGS2基因内含子基因片段筛选得到。
该项目还公开了该分子标记的制备技术及其在与猪产仔数性状关联分析中的应用。
该项目为猪产仔数性状标记辅助检测提供了新的标记资源。
转化条件：
转化所需配套条件（资金、场地、设备等）
需要全自动DNA提取设备及联系大型种猪场实施。
成果完成时间：2016年
华中农业大学
2021-01-12
高性能3D打印高分子材料
博理3D打印高分子材料的研发与生产，解决了传统光固化3D打印材料性能单一的应用局限性问题，从分子设计和合成出发，实现了材料性能的强度可调、硬度可调、颜色可调、韧性可调等主要技术指标。目前博理已研发5000多种材料配方，可替代大部分传统的塑料类制品，为3D打印打开了广泛的应用场景，开启了“3D打印+行业应用”新局面。
ELASTO 弹性体材料，具有优异的力学性能和耐弯折疲劳性能，是一种快回弹性的3D打印材料，通过欧盟RoHS和美国加州CP-65检测认证，具有良好的安全性，被大量应用于鞋中底、汽车坐垫、防震头盔、文物囊匣、防震晶格等领域；
PLASTO 塑性体材料，一种具有高延伸率和卓越柔韧性的类聚丙烯树脂，它可用来坚韧性部件，广泛用于汽车工业、医疗器械、消费电子、家居用品等领域；
医疗专用材料，医疗专用系列材料具有更高成型精度，更高强度，符合医疗等相关安全标准，在齿科模型等领域有着广泛的应用；
定制材料，博理可根据用户的产品性能要求定制研发相应的材料。
苏州博理新材料科技有限公司
2022-07-19
低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到0.3$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→Ni/Al 电极沉积，等。
南开大学
2021-02-01
低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特 点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到 0.3$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺 流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法分步电沉积CuIn-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→ Ni/Al 电极沉积，等。
南开大学
2021-04-11
CDTE薄膜的表面腐蚀及用此法制备CDTE太阳电池
CdTe薄膜的表面腐蚀及用此法制备CdTe太阳电池，属于半导体器件加工领域。采用硝酸、冰乙酸、NaAc和去离子水的混合液作为腐蚀液，其中，NaAc作为缓冲剂，以保持溶液的pH值不变，使反应更稳定，通过CdTe和硝酸发生反应生成富碲层；清洗吹干后，沉积含Cu或不含Cu背接触层，最后沉积背电极以制备CdTe太阳电池。沉积背接触材料，可增加pn结附近的载流子浓度，降低肖特基势垒高度，避免直接沉积Cu形成比较复杂的CuxTe结构。采用这种方法腐蚀并制备CdTe太阳电池，可显著提高太阳电池的性能，并保证器件性能的稳定性和重复性。
四川大学
2021-04-11
两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法
一种两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法，工艺步骤包括制备过渡层、制备钽钪酸铅基铁电薄膜、钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理；钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理是将钽钪酸铅基铁电薄膜放入退火炉内，在氧气流中以40℃/秒的升温速率升温至800℃～850℃后即刻停止加热，使其随炉冷却至500℃～600℃保温3分钟～5分钟，然后随炉冷却至室温。采用上述方法制备的钽钪酸铅基铁电薄膜钙钛矿相纯度可达100％，结晶性能好，表面均方根粗糙度较低，而且还具有剩余极化强度高和高度择优取向的特点。
四川大学
2021-04-11