产品详细介绍该产品结构及工作原理：该产品主机由超静音，滤微尘的真空吸尘器（又名化毒、消烟、吸尘装置），通过伸缩管（或直管）连接专用刷头组成。该设备采用目前世界最先进的“真空静音吸尘,离心水膜净化”原理。在引风机的作用下，刷下的粉尘全部被吸走，并经该机多次离心除尘和水膜除尘，直到粉尘全部吸到水里去,无二次污染后，排出机箱外。如果在过滤液中加入适量“84”消毒液或“过氧化氢”溶液，对吸入该机空气中流感和甲流感病毒（H1N1）将有强烈的杀灭作用。用户心声：★ 通过使用培源牌黑板真空吸尘装置，发现该装置具有环保性能，同时也达到了“一刷便净，一尘不飘”的效果。对预防教师职业病确有好处。成都市列五中学        屈老师★ 该设备经我校使用，确有“一刷便净，一尘不飘”的效果，吸力大、声音小、使用方便、有利于师生身体健康。玉林中学  胡老师      ★ 通过使用该产品，我认为该产品的优点是：环保。大大降低教师们由于粉尘而感染的呼吸道疾病，使教师有了一个舒适的教学环境，使学生有一个安静而干净的学习环境。四川爱华学院   秦老师★培源牌可以有效避免粉尘对师生身体健康的危害, 效果明显。成都树德中学   程老师（女）★培源牌黑板吸尘器，在我县部分学校安装使用，其一刷便净，一尘不飘的效果得到公认，粉笔灰吸到水里去了，不需更换尘袋，深受师生喜爱。   潼南恩威职业中学    阳老师★培源牌黑板吸尘器，刷得净，吸得净，好用，希望大力推广。崇州市崇庆中学     沈老师  ……

产品详细介绍概述力田磁电科技有限公司系列直流电磁铁，可提供可调磁场源，适用于科研单位，高等院校及工厂做物质磁性实验，具有多种用途可配用于磁性材料测量装置、振动样品磁强计、霍尔效应研究、磁光效应研究、磁电阻效应研究、磁致伸缩研究、转矩磁强计、力法磁强计、磁化率测量装置以及对磁性器件的充磁和退磁等等，用途非常广泛。2、电磁铁工作原理电磁铁是由线包、轭铁、铁芯（极柱）、极头等组成的闭合磁路。通电的导电绕组（线圈/包）能产生一定的磁场，铁芯（极柱）在外部线圈磁场的作用下，其内部的排列不规则的铁磁性金属原子重新规则排列，共同指向一个方向，从而被磁化，增加了磁通，所以在铁芯、轭铁和气隙间就产生了数量可观的磁通Φ，当控制电源电流变化时，极头间气隙中形成可控的高强度磁场。3、电磁铁特点：磁场气隙双向可调，单轭的结构，磁场方向水平；直立座放，有很宽阔的操作空间，便于取放样品和与其他设备的组合架构，是磁性研究最为常见的电磁铁之一。适用于霍尔效应研究，磁电阻效应研究、磁滞伸缩研究、转矩磁强计、力法磁强计、振动样品磁强计、磁化率测量装置、磁性材料测量装置等。3.1  WD-200型卧式水冷电磁铁运用电磁感应原理，采用单轭水冷式结构，样式美观、性能可靠。3.2 磁场工作气隙调节轻便灵活，极头与极柱采用分体螺纹连接结构，便于极头更换，电磁效率高，电磁铁极柱为200mm,极面直径最大为φ120mm，另配φ80mm、φ60mm极头 ，工作气隙最大为140mm。3.3 WD-200型卧式水冷电磁铁带工作气隙结构调整采用力田专利技术设计，极头不需要锁紧，气隙不会改变，保证测量的重复性。电磁铁卧式结构电磁铁的视野开阔，外形美观，结构可靠，磁场强度高、磁场强度大小调节方便等特点。3.4、WD-200型卧式水冷电磁铁可用于磁滞现象研究，磁化系数测量，霍尔效应研究，磁光实验，磁场退火，核磁共振，电子顺磁共振，生物学研究，磁性测量, 磁性材料取向，也可在小气隙时用于铁氧体等磁性产品充磁等。3.5、使用前请仔细阅读本说明书，严格按照要求操作使用。4、 技术参数2.1  极面直径：φ120mm，80mm、60mm2.2  工作气隙：0～140mm连续可调2.3  磁场强度：工作气隙20mm时，60mm极头中心磁场最大H≥2.5T2.4  磁场强度：工作气隙20mm时，80mm极头中心磁场最大H≥2.2T2.5  磁场强度：工作气隙20mm时，120mm极头中心磁场最大H≥2.0T2.6  剩磁：气隙10mm时  H≤12mT2.7  工作电流：DC  0～20A2.8  线包绝缘电阻：＞10MΩ2.9  磁场外形尺寸：1600mm×1250mm×1300mm2.10 直流电阻:：   10Ω2.11包装尺寸：1150 mm×1300 mm×600 mm2.12重量：约800kg磁场参数表：（供参考）极头60mm磁场参数：电流工作气隙10mm20mm30mm40mm50mm60mm 磁场（mT）1A57030018013010080 2A1090340390250200160 3A1630680640400300250 4A20801120760530400330 5A23401380930670500410 6A247016301110810600490 7A256018401270920700580 8A 200014201030790650 9A 213015501130880730 10A 223016701230960800 11A 2300178013201030860 12A 2360187014001100920 13A 2410195014801170980 14A 24502030155012201030 15A 24802090161012801080 16A 25202140167013401130 17A  2180172013801170 18A  2210177014301210 19A  2250182014701250 20A  2280186015101300  

大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段

本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。

本发明公开了一种基于超材料结构的微波功率传感器，包括基板、输入微带信号线、悬臂梁结构输入微带信号线、悬臂梁结构输出微带信号线、输出微带信号线、叉指结构、开路短截线电感以及微带线地线，该微波功率传感器是在基板上放置由悬空的叉指结构和开路短截线电感构成的超材料结构，当输入的微波功率发生变化时，微波功率对相互平行、悬空的叉指结构的吸引，导致叉指结构的位移，从而使得叉指电容和开路短截线电感构成的超材料结构产生相应的相移输出，通过检测超材料结构的相移，实现微波功率的测量，本发明灵敏度高，且为相移输出，测量误差小，同时还具有结构简单、成本低、体积小、功耗低、工艺兼容等优势。

本发明采用的模型将协同组播通信的每个组播分为两个时隙。在第一时隙，基于在第一个时隙中是否成功接收到数据，将均匀分布的N个用户划分为两个集合S和F，其中，S代表成功用户集，F代表失败用户集。在第二时隙，成功用户将数据转发给失败用户。与传统方法相比，本发明设计的最佳中继概率Pa*和最佳中继功率值p11*，能实现协同组播通信支持任意数据传输率的能效最大化。

本发明公开了一种降低 OFDMA 系统信号峰均功率比的方法， 具体为：在发射端，将用户输入的数据经过 LDPC 编码器进行编码， 生成拥有多个可反转子集的编码码字，再进行调制；将调制后的数据 映射至用户分配到的子载波上，构造多个可反转频域符号集合；通过 对构造的可反转频域符号集合进行独立的反转以降低 OFDMA 系统信 号的峰均功率比；在接收端，将接收到的信号经傅里叶变换后再进行 子载波解映射和解调制，得到每个用户对应的接收信息，并采用 LDPC 译码器进行译码，从得到的译码码字中提取出相位反转信息以恢复原 始信息；本发明能有效地降低 OFDMA 系统信号的峰均功率比，且不 需要发送边带信息，提高系统的频谱利用率，降低系统的复杂度，同 时具有良好的纠错性能。 

本发明公开了一种用于异构网络(HetNet)上行链路的功率控制方 法，具体为：首先定位用户设备(UE)与对应接入点(AP)的距离，即 UE 向对应 AP 发送上行导频信号，AP 接收上行导频信号后根据导频信号 经历的路径损耗确定 UE 与对应 AP 的距离。在同一个微小区内，对离 AP 不同距离的用户提供不同的上行功率，此上行功率与距离呈幂函数 递减的关系，即用户距离 AP 越近，发射的上行功率越大。本发明 AP 和 UE 的位置分别建模为两个独立的齐次泊松点分布(PPP 分布)，并借 助随机几何研究该系统的性能。仿真结果分析证明，与传统的功率控 制策略相比，本发明在提高平均传输速率的同时，也在一定程度上优 化了能量效率，从而使整个系统的性能得到有效提升。

随着电子技术的不断发展，电子器件和芯片性能的提高带来电路及其芯片的散热问题日益突出。研究表明：电子器件工作温度在70～80℃水平时，每增加1℃，其可靠性就降低5%。同时由于芯片的不断集成化和微型化，导致散热量的迅速增加，传统的冷却技术已经不能满足散热要求。本技术开发了一种制冷剂闪蒸喷雾高效冷却循环系统，利用闪蒸雾化和相变传热技术，实现了低温高效换热，传热系数高达26533W/(m2·K)，表面温度在低于60摄氏度热流密度即可超过100W/cm2（而常规水冷条件下元器件表面温度超过150摄氏度）。