高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
高新能石墨烯导电油墨制备
成果介绍目前,石墨烯基墨水的制备主要有两种方案。一种是以氧化石墨烯为前驱体制备墨水,喷墨打印后对绝缘的氧化石墨烯图案进行还原得到还原的氧化石墨烯进而恢复其电性能。另一种方案是以石墨烯为导电墨水的溶质,加入分散剂、粘结剂、导电助剂等配置墨水实施打印。由于第一种方案中采用的柔性基底承受温度一般在400℃以下,导致其导电性无法进行大幅度提高,而较高的温度是修复缺陷的有效方法,所以本产品是通过调配低缺陷的RGO、粘结剂、导电助剂、溶剂等成分来制备石墨烯基导电墨水。本产品将石墨烯优异的物理性质与印刷电子高效、绿色、大面积以及低成本等优势相结合,制备了一种导电性、成膜性优异的石墨烯基墨水。技术创新点及参数本产品采用高分子材料(如PET、PDMS、SEBS等)作为柔性基底,选用上述体系的导电墨水通过印刷或喷墨打印的方式制备高导电、尺寸可调、形状可调的石墨烯基导电材料。简单绿色的制备工艺、优异的导电性使其适用于多个领域,如对高分子基底表面进行等离子亲水性处理制备均匀且灵敏的传感器,以叠层的形式贴合在皮肤表面,以织物中RFID为接收器,用以监测人体的呼吸、运动以及心率,保证人们的生命安全;还可以凭借其较低的表面方阻、大尺寸可共形的特点用于大型通讯设备或可穿戴通讯设备的电磁防护。市场前景导电墨水主要分为金属系导电墨水和碳系导电墨水等,目前市场上使用最多的是银纳米材料的导电墨水,但其原料价格过于昂贵; 而铜系导电墨水虽然原料价格相对较便宜,但容易被氧化的性质也在一定程度上限制了其应用。目前市售的碳系墨水电阻率普遍偏高。利用石墨烯制备高性能的网版印刷墨水有望获得与银导电墨水相当的导电性、更好的易用性和稳定性,同时降低墨水成本,从而促进柔性印刷电子技术的发展。而利用高质量的RGO作为导电填料的来源,成本低,易于大规模、大面积制备,其具备了产业化的要素。实施条件未来,利用石墨烯制备高性能的网版印刷油墨有望获得与银导电油墨相当的导电性、更好的易用性和稳定性,同时降低油墨成本,从而促进柔性印刷电子技术的发展。而利用高质量的RGO作为导电填料的来源,成本低,易于大规模、大面积制备,其具备了产业化的要素。
东南大学 2021-04-13
填充纳米/微米银线的导电树脂
本项目开发的高浓度的纳米/微米银线化学还原制备方法,实现了规模化制备,且工艺简单操作方便。得到的产品如图所示(A纳米银线,B微米银线),这种产品可以作为导电填料应用到导电树脂中以加强各项电学和力学性能。在相同的导电指标下,银线填充量可以比银粉的填充量节省25%以上,力学指标也有不同程度提高。该技术节约了成本且提升了性能,有较大的应用前景。
复旦大学 2021-01-12
29022物体导电性实验材料
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
DJS-1C电导电极
产品详细介绍DJS-1C电导电极(黑、光)铂黑电极壳有效地防止在测定较高电导溶液时出现地极化现象,用于测定液体地电导率或作电导滴定使用技术指标:型 号 DJS-1C(黑)/DJS-1C电导池常数(cm-1): 1外形尺寸(mm): φ8.5×120接插件: 三芯插应用范围: 铂黑电极壳有效地防止在测定较高电导溶液时出现地极化现象详细信息链接:DJS-1C电导电极(铂黑、光亮)   DJS-1B电导电极   260电导电极DJS-0.01电导电极             DJS-0.1铂电极
上海越磁电子科技有限公司 2021-08-23
电解质溶液导电演示器
产品详细介绍
偃师市山化电讯仪器厂 2021-08-23
电解质溶液导电演示器
产品详细介绍
慈溪市求是科教仪器厂 2021-08-23
等势线描绘实验器(导电玻璃型)
产品详细介绍   本产品按教育部新标准设计生产的新型等势线描绘实验器(导电玻璃型),是目前市场上唯一一家批量生产厂家,并已申请专利证书,专利号:ZL 2014 2 0447063.7。   本产品镀层坚固、耐用,单手操作简单;在任何一种纸上打点连线绘出的等势线,精确度高,重复性好。是中学生物理实验的必备设备。
芜湖市徽环科教仪器厂 2021-08-23
耐高温超导热绝缘减震材料的研究
随着集成技术和微封装技术的发展,电子元器件和电子设备向小型化和微型化方向发展。电子设备所产生的热量迅速积累、增加。为保证电子元器件在使用环境温度下仍能高可靠性地正常工作。需要开发导热绝缘高分子复合材料替代传统高分子材料,作为热界面和封装材料,迅速将发热元件热量传递给散热设备,保障电子设备正常运行。高分子材料本身的热传导系数比较小,所以填充型高分子复合材料导热性能主要依赖于填充物的导热系数、填充物在基体中的分布以及与基体的相互作用。填料用量较小时,填料虽均匀分散于树脂中,但彼此间未能形成相互接触和相互作用,导热性提高不大;填料用量提高到某一临界值时,填料间形成接触和相互作用,体系内形成了类似网状或链状结构形态,即形成导热网链。当导热网链的取向与热流方向一致时,材料导热性能提高很快;体系中在热流方向上未形成导热网链时,会造成热流方向上热阻很大。项目采用导热填料添加的同时,以耐高温的硅橡胶或者氟橡胶为基体,硅橡胶是由环状有机硅氧烷开环聚合或以不同硅氧烷进行共聚而制得的弹性共聚物。在有机硅产品的结构中既含有“有机基团”,又含有“无机结构”,这种特殊的组成和分子结构使它集有机物的特性与无机物的功能于一身。硅橡胶有耐热,耐寒,有很宽温度使用范围,高电绝缘性,良好耐候性,耐臭氧性,并且无味无毒等性能。其最显著的特点是其优异的耐热性,可在?O0℃左右的温度下长期使用,因此被广泛用作高温场合的弹性材料。具有耐高温性的硅橡胶在印刷业、电子、电器、汽车、航空航天等工业部门和高新技术领域的应用是其它材料所不能替代的。
华东理工大学 2021-04-11
关于超薄单晶铅膜界面超导的研究
通过使用铅的条状非公度相作为铅膜和硅衬底的界面,用超高真空分子束外延技术成功制备出一种宏观面积的、塞曼保护的新型二维超导体。系统的低温强磁场实验表明,该体系的超导电性可存在于超过40特斯拉的平行强磁场中,这一数值远超过体系的泡利极限,是塞曼保护超导电性的直接证据。第一性原理计算结果也表明,条状非公度相中特殊的晶格畸变会延伸至铅膜中,从而在该体系中引入很强的塞曼自旋轨道耦合。同时,新的微观理论也给出了强杂质情形下各种自旋轨道耦合及散射效应对二维超导临界场的影响并定量地解释了塞曼保护超导电性的物理机制。该工作表明,可以通过界面工程在中心反演对称性保护的二维超导中引入面内中心反演对称性破缺,也即在二维晶体超导体系中人工引入塞曼保护的超导电性机制。这一结果预示出人们有望在二维超导体系中,通过界面调制发现新的非常规超导特性。这种宏观尺度强自旋轨道耦合下的二维超导,也为拓扑超导的探索提供了新的平台,并为未来无耗散或低耗散量子器件的设计与集成奠定了基础。图 (a) 脉冲强磁场实验表明6个原子层厚铅膜的超导电性在高达40 T的水平强场下仍不被破坏。(b) 临界场随温度的关系与理论高度重合,有力地证明了超薄铅膜中的塞曼自旋轨道耦合保护的超导电性。 (c) 对外延生长于条状非公度相(SIC)界面上的超薄铅膜进行磁阻测量的示意图。
北京大学 2021-04-11
新型多门控超导纳米线逻辑器件
为了追求极限性能,越来越多的电子系统需要在低温条件下工作。例如,在量子计算机、高性能传感器、深空观测以及一些经典信息处理系统中,通常使用工作温度为2K甚至是mk温区的低温器件,从而在噪声、速度和灵敏度等方面实现接近量子极限的性能。对于这一类低温系统,信号读取与处理通常采用两种方式:第一种是采用超导数字电路SFQ(单磁通量子技术)来实现高性能计算和处理;第二种是将信号传送至几十K的温区,再采用低温CMOS技术对进行信号处理。然而,不论采用何种技术路径,数字电路的功耗都必须控制在极小范围之内,从而保持极低温的工作环境,维持低温器件的高性能。随着应用需求的提高和低温阵列器件规模的扩大,低温电子系统性能受到信号处理和传输技术的制约,急切需要新的方案进行解决。 图1. (a) 采用超导纳米线结构实现的12门控或逻辑门;(b) 超导纳米线数字编码器芯片照片。针对此问题,南京大学吴培亨院士领导的超导电子学研究所团队,赵清源教授和康琳教授课题组设计出新型多门控超导纳米线逻辑器件(superconducting nanowire cryotron, nTron),并利用此器件搭建经典二进制数字编码器;在1.6K的温度下,成功实现数字信息编码,总功耗小于1微瓦(10-6瓦)。同时,他们还利用此编码器对超导纳米线单光子探测器阵列实现数字化读出,为低温阵列探测器的信号读出和处理提供第三种解决方案。图2. 超导纳米线逻辑芯片实现对单光子探测器阵列的数字化读取。半导体数字电路,经历了从电子管、晶体管、混合集成电路至大规模集成电路的发展过程。每一代技术的升级变革,其核心推力都是基础逻辑器件的更新换代。前沿技术领域对超导电子器件的应用需求,也正将超导电子技术推向数字化的发展时代。南京大学吴培亨院士团队基于超导纳米线技术,开展了新型超导逻辑器件(nTron)的研究工作。nTron为单层平面器件,利用局部超导相变,实现高速低功耗的开关逻辑。
南京大学 2021-04-11
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 8 9 10
  • ...
  • 294 295 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1