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一种利用有机胺还原制备银纳米线的方法
本发明公开了一种利用有机胺还原制备银纳米线的方法，包括如下步骤：(1)将银前驱体溶液、表面活性剂溶液、卤素无机盐溶液以及有机胺溶剂混合，银前驱体溶液、表面活性剂溶液、卤素无机盐溶液中所用的溶剂均为水；(2)将混合溶液置于恒温条件下加热反应；(3)分离得到所述纳米线，置于乙醇中制成分散液。本发明具有以下优点：(1)该制备方法反应条件简单，原料成本低；(2)该制备方法反应时间短，产量高，适合工业生产；(3)该方法制得产物
华中科技大学
2021-04-14
Ni 纳米线、NiO/Ni 自支撑膜及其制备方法和应用
本发明公开了一种 Ni 纳米线、NiO/Ni 自支撑膜及其制备方法和应用。所述 Ni 纳米线为平均长度 50,000 至 200,000nm 的超长纳米线；其制备方法为：首先配置 Ni 纳米线液相生长液；然后在外加磁场下制备 Ni 纳米线单质；最后分离纯化 Ni 纳米线。所述 NiO/Ni 自支撑膜包括所述 Ni 纳米线及其煅烧制得的表面为 NiO 的 Ni 纳米线；其制备方法为：首先将所述 Ni 纳米线分散在表面活性剂溶液中；然后抽滤将 Ni 纳米线转移到微孔滤膜上，制得 Ni 自支撑膜；最后将
华中科技大学
2021-04-14
具有多级孔结构和孔壁由纳米线编织的泡沫陶瓷
1.痛点问题
从目前中国节能政策的导向来看，绿色建筑节能环保需求不断加强，且对材料的保温性和防火性都提出了较高的要求，传统有机材料因为其防火性能差，开始逐步退出市场。泡沫陶瓷同时具有良好的保温性和防火性，作为A1级建筑保温材料市场非常广阔，每年新增建筑市场约2000亿元，老旧建筑的改造也差不多有2000亿元的市场规模。而长期以来，采用泡沫陶瓷作为保温节能和烟气过滤的主要问题是气孔率只能做到95%以下，气孔率超过95%以后，抗压强度急剧下降。
2.解决方案
本技术采用二级孔结构和在孔内生长纳米线的方法，使得高气孔率的泡沫陶瓷强度得到显著提高，具备了在保温节能和高温烟气过滤应用的可能性。具体包括：在陶瓷原料中适当掺入一定比例的微米级铝粉，利用铝粉的可肯达尔效应，将铝粉形成氧化铝空心球，形成在空壁和三角处的二级孔结构，显著增强了泡沫陶瓷的力学性能；在陶瓷原料中参入Si粉，在1400度左右，在埋碳的还原气氛中，可以在孔壁中形成碳化硅纳米线，这些纳米线可以协同增强力学性能和增加高温烟气的过滤效果。
3.合作需求
1）应用场景：选择一栋建筑外墙保温为示范工程，测试保温节能的效果。
2）资源对接，目标合作区域、领域和合作企业。
清华大学
2022-11-16
一种In2Se3纳米线及其制备方法和应用
本发明提供一种In2Se3纳米线及其制备方法和应用。该In2Se3纳米线的制备方法包括如下步骤：第二载气将气相Se输送到含有催化剂的衬底上并与In2O3接触，再通入第一载气将In2O3还原，然后在所述衬底上沉积生长得到In2Se3纳米线。本发明制备方法简单高效，可以对纳米线的均匀度、直径、长度进行调控，制备得到的In2Se3纳米线克服了现有技术中In2Se3纳米线短而稀疏的劣势。
兰州大学
2021-01-12
一种Mg掺杂的ZnO超细纳米线及其合成方法
本发明公开的Mg掺杂的ZnO超细纳米线具有六方纤锌矿结构，纳米线的直径为1～10纳米，长度为5～1000纳米。其合成步骤如下：将脂肪酸锌、脂肪酸镁和高沸点有机溶剂混合置于反应烧瓶中，磁力搅拌下加热至100～150℃，抽真空除去反应体系中的水蒸汽和氧气，在惰性保护气氛下加热到200～350℃，再将温度为100～200℃的十八醇快速注入到反应烧瓶中，保温1～100分钟，离心分离，得Mg掺杂的ZnO超细纳米线。本发明制备工艺简单、成本较低、重复性好、易于工业化生产，Mg掺杂的ZnO超细纳米线具有很强的量子限域效应，有望在蓝紫光发光二极管、紫外激光器等诸多领域得到应用。
浙江大学
2021-04-11
一种Sn掺杂的ZnO超细纳米线及其合成方法
本发明公开了一种Sn掺杂的ZnO超细纳米线及其合成方法。该纳米线具有六方纤锌矿结构,纳米线的直径为1～10纳米,长度为2～10000纳米。其合成步骤如下:将脂肪酸锌、脂肪酸锡、脂肪胺和高沸点有机溶剂混合置于反应烧瓶中,在惰性保护气氛下,磁力搅拌加热至50～200℃,保温1～1000分钟,然后在惰性保护气氛下加热到200～350℃,保温1～1000分钟,离心分离,得Sn掺杂的ZnO超细纳米线。本发明制备工艺简单、成本较低、重复性好、易于工业化生产,有望在透明导电薄膜、柔性显示器件、薄膜晶体管、传感器等诸多领域得到应用。
浙江大学
2021-04-11
一种锥形的非晶SiO2纳米线及其制备方法
本发明属于纳米材料领域，特别涉及一种锥形的非晶的SiO2纳米线及其制备方法。本发明提供的锥形SiO2纳米线如图1所示，形貌上纳米线根部直径300nm~600nm，高度2~4um，对于一根纳米线，随高度增加，直径逐渐减小，成圆锥形，圆锥角4~15°且可以通过调控原料的量使得纳米线直径，高度以及锥角发生变化。成分上Si和O，不含催化剂。所述方法的工艺步骤为：（1）生长基底及载物盘的清洗；（2）半封闭势井形气流装置的组合（3）锥形SiO2纳米线的生长。在通流动载流气体条件下将高温区管式炉升温至1250°，炉内压强保持在0.04~0.06Mpa，然后在上述温度和压强保温2~5h，保温时间届满后，所述生长基底上即生长出锥形SiO2纳米线；所述载流气体为H2和Ar组成的混合气体，H2的体积百分数为3~7%，Ar的体积百分数为93~97%。
四川大学
2016-10-21
一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法
本发明公开了一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法，在基片上沉积金属层，利用光刻工艺形成条纹状的纳米级金属细线；将金属细线的两端接电极，通电，促使金属层加速生长晶须得到一维纳米线。本发明能够有效控制纳米级细线的直径大小和长度，生长出来的一维纳米线直径均匀，并直接在基底上生成，有利于三维封装的连接。
华中科技大学
2021-04-11
一种探测单根弯曲半导体纳米线中晶格畸变的方法
本发明公开了一种基于二次谐波显微术探测单根弯曲半导体纳米线中晶格畸变的高灵敏度方法。在显微系统下，利用探针推动单根纳米线一端使之弯曲，从而产生不同程度的晶格畸变。同时，将一束激光聚焦至单根纳米线上一点 A，并连续改变泵浦光偏振方向和纳米线长轴之间的夹角(偏振角θ)，测定二次谐波强度随偏振角θ的变化关系。在保持泵浦光聚焦位置在 A 点不变的情况下，随弯曲曲率逐渐增大，偏振角θ＝90°和θ＝0°时的二次谐波强度之比显著减小。本发明提供了一种新型测定半导体纳米线晶格畸变的全光方法，相对于传统透射电镜法，其
华中科技大学
2021-04-14
三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜及其制备方法
本发明提供了一种三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜及其制备方法，其方法包括：将白钨酸溶于过氧化氢水溶液，配制成过氧化钨酸溶液；将过氧化钨酸溶液涂在清洁干净的导电基底的导电面上；将钨盐溶于醇中，形成前躯体溶液，将导电基底固定于反应釜中，将前躯体溶液加入反应釜中，在150～250℃反应8～16h，取出后再在300～450℃热处理1～3h，得到三氧化钨纳米线阵列；将苯胺与稀硫酸混合，形成用于制备聚苯胺的电解液，电聚合聚苯胺即得。该制备工艺控制方便，制造成本较低，易于实现工业化。该薄膜具有光谱调节范围大、变色种类丰富、着色效率高、响应速度快、循环寿命长等优点。
浙江大学
2021-04-13