本发明公开了一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法,在基片上沉积金属层,利用光刻工艺形成条纹状的纳米级金属细线;将金属细线的两端接电极,通电,促使金属层加速生长晶须得到一维纳米线。本发明能够有效控制纳米级细线的直径大小和长度,生长出来的一维纳米线直径均匀,并直接在基底上生成,有利于三维封装的连接。