本发明公开了一种基于超材料的肖特基型远红外多谱信号探测器，包括自下而上依次设置的衬底层、N 型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极；其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列，金属开环共振单元阵列包含了多种图形及其特征尺寸参数，每个图形对于特定电磁波具有完全吸收特性，通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段，通过改变 N 型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中

本发明公开了一种基于超材料的肖特基型远红外多谱信号探测器，包括自下而上依次设置的衬底层、N 型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极；其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列，金属开环共振单元阵列包含了多种图形及其特征尺寸参数，每个图形对于特定电磁波具有完全吸收特性，通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段，通过改变 N 型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中

本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于二维半导体材料的电荷超注入存储器及其制备方法。本发明通过存储叠层能带设计，在实现闪存的非易失性存储特性；通过横向电场设计以及器件的仿真模拟设计，利用二维半导体材料的原子级薄层特性，显著增强最大横向电场从而提升电荷的注入效率，实现存储器中电荷的超注入机制，进而实现闪存的亚纳秒编程。本发明存储器在维持十年数据保持能力的同时，大幅提升了电荷注入效率，将编程速度提升至亚纳秒，为解决电荷存储领域超快编程和长保持时间无法共存的重大挑战提供新的解决方案。

HCRG一XA超导热管余格回收器是德煤、油、气锅炉（密炉）余热回收的专用设备，安装在锅炉（密炉）烟口或烟通中，将烟气余热回收后加热空气，热风可用作锅炉（密炉）助憾和干燥物料。其结构如下翻所示；四周管箱，中间后板将上下两侧通道期开，热管为全翅片管，可单极热管更换，工作时，高温湘气流经回收器下部冲期热管，此时热管吸热，端气放热温度下降，热管将吸收的热量传至上部，将流经热管上部的冷空何加热，此时热管放热，空气吸热温度上升。

项目简介 本成果提出大模场光纤的系列解决方案，基于新型环形纤芯、非对称型微结构包层、 以及模式正交耦合及分离技术获得新型大模场光纤，光纤同时具有大模场、低损耗、单 模传输特性，实现高质量光束输出。已申请发明专利 9 项，其中已授权发明专利 4 项 （ZL201010589053.3、ZL201010590795.8、ZL201110356877.0、ZL201210391185.4）。 性能指标 （1）模场面积可达 1500μm 2 以上。 （2）光纤可在弯曲半径为 20~30cm 的

本成果提出大模场光纤的系列解决方案，基于新型环形纤芯、非对称型微结构包层、以及模式正交耦合及分离技术获得新型大模场光纤，光纤同时具有大模场、低损耗、单模传输特性，实现高质量光束输出。已申请发明专利9项，其中已授权发明专利4项（ZL201010589053.3、ZL201010590795.8、ZL201110356877.0、ZL201210391185.4）。性能指标 （1）模场面积可达1500μm2以上。 （2）光纤可在弯曲半径为20~30cm的条件下

产品详细介绍  无菌接种箱   一、接种箱的作用   接种箱的作用是在无菌的条件下，进行细菌，食用菌等菌种的接种。   二、接种箱的构造   本产品采用全钢结构，外表喷塑，台面为三聚氢氨板或理化板结构。前观察窗为70度的开启角度为方便操作，接种箱前为两个15公分的操作口，接种箱配有紫外线杀菌灯日光 灯和臭氧发生器。为方便散热和换气底部留有透气孔。   三、接种箱的使用   使用前先有百分之五的甲醛或百分之七十的酒精进行消毒，然后打开杀菌灯即紫外线杀菌管和 臭氧发生器进行60分钟的灭菌消毒。完成后再将照明开关打开，即可进行菌种的接种。 技术指标： 型         号   外形尺寸 操作区尺寸 电压 日光灯 紫外线 臭氧发生器 WJ—ZJX（单面） 1000×530×600 1000×490×580 220V 20W×1 20W×1 100-200mg/h WJ—ZJX (双面) 1000×900×600 1000×860×580 220V 20W×2 20W×2 100-200mg/h    

产品详细介绍电子元器件激光打标，电感电阻电线电缆，饮料瓶盖激光打标流水线在线激光机口罩激光机都可以在线打标欢迎咨询！

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本发明公开了一种基于超材料的肖特基型毫米波多谱信号探测器，包括自下而上依次设置的衬底层、N 型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极；其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列，所述金属开环共振单元阵列包含了多种图形及其特征尺寸参数，每个图形对于特定电磁波具有完全吸收特性，通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段，通过改变 N 型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料