高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
中山大学中山医学院潘超云副教授团队在卵巢癌铂耐药研究方向取得持续进展
潘超云副教授团队利用商业化激酶抑制剂库对临床相关的激酶靶点进行高通量顺铂合成致死筛选,发现钙/钙调蛋白依赖性蛋白激酶 II (CAMKII)是促进卵巢癌铂耐药的重要激酶,抑制CAMKII可显著增强卵巢癌对顺铂的敏感性。
中山大学 2022-05-31
清华大学材料学院和机械系研究团队联合报道“超快激光诱导构筑金属-载体强相互作用”新进展
近日,材料学院汪长安教授团队和机械系闫剑锋副教授合作首次以超快激光诱导构筑金属-载体强相互作用(SMSI)。利用超快激光激发界面局部电场强度,调节原子扩散速率和路径,诱导表面缺陷形成以及亚稳态结构迁移,在一系列负载型贵金属催化剂中构筑金属-载体界面强相互作用。
清华大学 2021-12-01
物理学院高鹏、刘开辉等利用电镜测量转角h-BN/石墨烯中的可调带间跃迁
近日,北京大学物理学院量子材料科学中心、电子显微镜实验室高鹏课题组,与凝聚态物理与材料物理研究所刘开辉课题组、中国科学院大学和中国科学院物理研究所张余洋课题组等合作,利用透射电子显微镜的电子能量损失谱测量并结合第一性原理计算,揭示了h-BN/石墨烯异质结构中的转角关联耦合效应。研究发现,角度依赖的层间摩尔势改变了石墨烯的能带结构,导致石墨烯M点层内带间跃迁能量红移,并且晶格相对扭转诱发的h-BN的布里渊区相对于石墨烯M点的旋转也贡献了新的带间跃迁途径。结果表明,在堆垛的二维材料器件中需要仔细考虑扭转耦合效应带来的影响避免意外干扰;同时,转角连续可调的带间跃迁也可以为新型光电器件设计提供新的自由度。该研究成果以《转角h-BN/石墨烯中的可调带间跃迁》(“Tunable Interband Transitions in Twisted h-BN/Graphene Heterostructures”)为题,于7月5日发表在《物理评论快报》(Physical Review Letters 2023, 131, 016201)。
北京大学 2023-08-22
报道太原理工大学光电工程学院超快混沌物理随机码(密钥)研究成果
美国科学促进会(AAAS)主办的全球科学新闻发布平台“EurekAlert!”及美国物理学家组织网“Phys.org”等国际主流学术媒体分别以“Ultrafastall-optical random bit generator”和“Photons can enable real-time physical random bit generation for information security app”为题对该成果进行了报道,认为该技术可消除物理随机码实时产生技术面临的电子瓶颈,在信息安全领域具有重要应用价值。
太原理工大学 2022-06-07
清华大学深圳国际研究生院李星辉、王晓浩团队在光谱共焦精密测量领域取得新进展
深圳国际研究生院李星辉、王晓浩团队首次提出基于光谱共焦技术的光谱反射率测量系统。综合光学色散现象及共聚焦技术,通过设计并优化色散物镜,限制入射角度并改善光斑质量,采用创新的共光路自参考策略扫描待测表面,高效提取其反射光谱响应。
清华大学 2022-03-24
《Nature Physics》刊发北京航空航天大学物理学院袁丽副教授团队希格斯粒子宽度测量成果
近日,我校物理学院袁丽副教授团队联合比利时布鲁塞尔自由大学、美国加州大学圣塔芭芭拉分校的相关团队,通过分析CMS实验数据,获得目前世界上最精确的希格斯粒子宽度测量结果,相关成果以“Measurement of the Higgs boson width and evidence of its off-shell contributions to ZZ production”为题发表在《Nature Physics》期刊上。
北京航空航天大学 2022-11-08
南京大学现代工学院郭少华、周豪慎课题组:双蜂窝超晶格构筑 高活性与高可逆的钠离子电池晶格氧活性正极材料
作为锂离子电池在储能领域中的替代品,低成本、高性能的钠离子电池是大规模储能的关键战略,正极是其中最关键组件之一,层状氧化物正极由于其组分丰富、结构可控和理论容量高而被深入研究,晶格氧活性的激活有望实现超出层状正极理论极限的超高容量。
南京大学 2022-06-14
《自然·通讯》报道西安电子科技大学郝跃院士团队研制出国际最高功率优值13.2 GW/cm2氧化镓二极管并首次在氧化镓中实现空穴超注入效应
近期,西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、周弘教授等在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展,研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半导体异质结二极管。
西安电子科技大学 2022-08-30
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 113 114 115 116 117 118
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    63届高博会于5月23日在长春举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1