项目简介： 北京交通大学充分发挥激光技术优势，发现并攻克了国内外现有激光驱鸟器产品存在的严重技术问题，能够开发和生产固定波长激光驱鸟器、波长调谐激光驱鸟器和超宽光谱激光驱鸟器等3大类激光驱鸟器，并且各类激光驱鸟器的激光发散角不大于17μrad，完全保证人眼和鸟眼安全。 1．已经具有生产适于水产养殖和果园种植的全天候自动运转的固定波长激光驱鸟器产品的能力。共有450nm、502nm、532nm、580nm、650nm、660nm和670nm等系列21个规格42个型号固定波长

本发明公开了一种基于超材料结构的微波功率传感器，包括基板、输入微带信号线、悬臂梁结构输入微带信号线、悬臂梁结构输出微带信号线、输出微带信号线、叉指结构、开路短截线电感以及微带线地线，该微波功率传感器是在基板上放置由悬空的叉指结构和开路短截线电感构成的超材料结构，当输入的微波功率发生变化时，微波功率对相互平行、悬空的叉指结构的吸引，导致叉指结构的位移，从而使得叉指电容和开路短截线电感构成的超材料结构产生相应的相移输出，通过检测超材料结构的相移，实现微波功率的测量，本发明灵敏度高，且为相移输出，测量误差小，同时还具有结构简单、成本低、体积小、功耗低、工艺兼容等优势。

本发明公开了一种基于超材料结构的压力传感器，该压力传感器包括基板、输入微带信号线一、输入微带信号线二、金属?绝缘层?金属（MIM）电容的下极板、金属?绝缘层?金属（MIM）电容的绝缘层、金属?绝缘层?金属（MIM）电容的上极板、开路短截线电感、微带信号线三、微波功率合成器的输入端、微波功率合成器的输出端、微波功率合成器的隔离电阻连接用微带信号线、微波功率合成器的隔离电阻、微带线地线、压力感应腔体；该压力传感器采用金属?绝缘层?金属（MIM）电容感应压力的变化，并通过微波功率合成器合成的微波功率变化实现压力测量，具有灵敏度高、体积小、测量范围大、测量误差小的优势。

本发明公开了一种中高压超快速开关及直流断路器，中高压超 快速开关包括两组动触头、两个操动机构、两个开关静触头和两组绝 缘拉杆；每一组动触头包括多个设置于绝缘拉杆上的表带触指动触头；当中高压超快速开关闭合时，表带触指动触头与开关静触头沿着 Y 轴 向 X 轴方向对齐，形成一条通流路径；当中高压超快速开关分断时， 两个操动机构沿着 Y 轴并远离 X 轴方向运动，并带动表带触指动触头 分离，隔断通流路径。本发明动触头采用表带触指，合闸时利用表带 触指自己提供接触压力，结构简单，具有更高的可靠

产品详细介绍 ZYT—DDC 单人单面紫外诱变台（垂直）   这是一种供单人操作的通用型局部净化设备，气流形式为垂直层流，它可造就局部高清洁度空气环境，同时又具备紫外诱变技术功能对生物研究、科技育种、科研制药、农业科技等部门，紫外诱变台是您最好的助手。 特点： 1、操作区为全不锈钢。 2、外型美观结构合理。 3、采用自定们上下推拉门系统。 4、风量可调，双侧电源插座。 5、紫外线单个控制，时间定时功能。 技术指标：   型号 ZYT--DDC 外形尺寸 900×800×1630 工作台尺寸 870×650×570 洁净等级 100级@≥0.5ｕm(美联邦209E) 平均风速 0.3—0.5m/s(可调) 噪音 ≤65dB(A) 振动 XYZ方向≤2ｕm 照明灯具 20W*1 感光灯 20W*1  紫外灯 主峰波长254NM  15W*3 紫外灯 主峰波长285NM  15W*3 电源 220V  50HZ 消耗功率 450W 备注 不锈钢台面，双侧电源，上下推拉门  

电流变液在具有广泛的应用前景，但是目前的巨电流变液采用极性分子包覆的方法，寿命很短，无实 数值孔径是光学透镜最重要的基本参量，衡量着光学系统的收集光子能力。对于显微物镜，数值孔径 用价值。本项目已制备出纳米碳镶嵌在二氧化钛表面的颗粒，与硅油混合后得到屈服强度高、漏电流低、 越大，成像光斑越小，成像细节越清晰。常规油浸物镜由于采用了特殊的高折射率匹配液，在高分辨率成 寿命长、温度稳定性好的电流变液，达到实用的水平。计划扩大生产量，并将电流变液应用在阻尼器上， 像和浸润式光刻中更被广泛应用。超构表面结构是一种具有横向亚波长尺度的微纳光学结构，可以在不 实现实用化。

以混合自适应人工智能优化程序设计出亚波长单晶硅超构表面结构，实现了相位的精确控制并减小了单晶硅结构在可见光的吸收。进一步使用该结构演示了浸镜油浸没下数值孔径为1.48的高透过率超构光学透镜。

中协高灵敏扩声系统融合了二合一桌麦、新型隐藏麦、吊麦、手持麦和手机麦多种扩声手段，融合先进的高灵敏扩声技术，拾音距离广，为高校教学创造更加高效、便捷、灵活的扩声环境，有效满足现代教学对声音处理的需求。

本发明公开了一种基于二次谐波显微术探测单根弯曲半导体纳米线中晶格畸变的高灵敏度方法。在显微系统下，利用探针推动单根纳米线一端使之弯曲，从而产生不同程度的晶格畸变。同时，将一束激光聚焦至单根纳米线上一点 A，并连续改变泵浦光偏振方向和纳米线长轴之间的夹角(偏振角θ)，测定二次谐波强度随偏振角θ的变化关系。在保持泵浦光聚焦位置在 A 点不变的情况下，随弯曲曲率逐渐增大，偏振角θ＝90°和θ＝0°时的二次谐波强度之比显著减小。本发明提供了一种新型测定半导体纳米线晶格畸变的全光方法，相对于传统透射电镜法，其