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在钙钛矿显示领域取得新进展
提出了一种采用喷墨打印技术将钙钛矿前驱体墨水印刷在不同聚合物基底上的策略，该策略利用溶剂对聚合物的溶胀作用，使高分子内原位生长出具有高亮度、高稳定性且波长与图案像素尺寸精确可调的准二维钙钛矿。准二维钙钛矿-聚合物复合材料具有优异的防潮性、耐光照射性和耐各种溶液化学侵蚀的特性。同时，利用高精度喷墨打印技术可以实现小间距准二维钙钛矿像素点阵，构成各种图案。 这项研究采用原位喷墨打印准二维钙
南方科技大学
2021-04-14
纳米二氧化钛溶胶的制备
本技术采用特定工艺，原位合成纳米氧化钛溶胶，溶胶粒径≤10纳米。产品分散性好，长期保持稳定。纳米二氧化钛具有良好的稳定性、无毒性、高效紫外吸收性能，被广泛应用于抗紫外材料、抗菌材料、光催化、自洁材料、涂料、油墨、造纸、电极材料等工业领域。纳米二氧化钛溶胶有效防止了粉体产品的团聚，形成高的活性、易分散使用的特点。
南京工业大学
2021-01-12
基于金属/稀土碳酸盐的固体碳酸根电极及其制备方法
本发明公开了一种基于金属/稀土碳酸盐的固体碳酸根电极及其制备方法。它包括金属丝、稀土碳酸盐、阳离子屏蔽膜、热缩管；金属丝下部表面原位电镀一层稀土碳酸盐，在稀土碳酸盐的外表面又包覆一层阳离子屏蔽膜，金属丝的中部和阳离子屏蔽膜的上部包覆有热缩管。本发明具有机械强度高，韧性大，灵敏度高，体积小，探测响应快，检测下限极低，使用寿命长等优点，它和固体参比电极配套使用，适用于对海水、养殖用水和化学、化工水介质中的碳酸根离子含量进行在线探测和长期原位监测。
浙江大学
2021-04-11
白光LED用含氮硅酸盐绿色发光材料及制备方法
本发明涉及一种白光LED用含氮硅酸盐绿色发光材料及制备方法。该发光材料的化学组成可表示为：Ca2-xSi(O4-yNy) : xEu2+，0.003≤x≤0.06，0.1≤y≤0.8。其制备过程为：（1）以硝酸钙（CaN2O6·4H2O）、硝酸铕（EuN3O9·6H2O）正硅酸乙酯（C8H20O4Si）、氮化硅（Si3N4）为原料，采用溶胶凝胶法，获得前驱体，（2）将所得前驱体与氮化硅粉体混合均匀，在非还原性气氛下于1000~1200℃焙烧2~4小时，获得Ca2-xSi(O4-yNy) : xEu2+荧光粉。所得发光材料，发光性能显著，在近紫外到紫光波长范围（300~400nm）有宽带吸收，发射出强度高的绿色光（500~504nm）。通过氮化硅与前驱体的混合焙烧，在不需要任何还原气氛下，将Eu3+还原为Eu2+，制备方法简单、安全。
四川大学
2021-04-11
一种赤泥制备道路硅酸盐水泥的方法
本发明公开了一种赤泥制备道路硅酸盐水泥的方法,以脱碱后的氧化铝赤泥为主要原料制备道路硅酸盐水泥,本发明通过设计道路硅酸盐水泥熟料中C3S、C2S、C4AF和C3A等主要的矿物组成,以40～60%的赤泥部分代替道路硅酸盐水泥生产所用的钙质、铝质原料,完全取代铁质和硅质原料;本方法所制得的赤泥道路硅酸盐水泥性能良好,赤泥的利用率高。
天津城建大学
2021-01-12
硫铝酸钙改性硅酸盐水泥的质量改进添加剂
硫铝酸钙改性硅酸盐水泥（S.M.P.）区别于通用硅酸盐水泥，矿物组成中引入了具有早强、快硬、微膨胀特性的无水硫铝酸钙矿物，具有早期强度高、微膨胀的优点，但同时存在凝结时间过短且不易控制、3d/28d强度增进率低等缺点。为确保S.M.P.的安定性合格，SO3的含量必须控制≤6%，此时S.M.P.的初凝时间也仅达到30min左右，难以满足应用需求。掺入一定量的混合材，如矿渣、粉煤灰后，凝结时间可延长，初凝时间可延长到60min左右（掺入30%的粉煤灰或30%的矿渣）。（刘晨，王昕，颜碧兰，等.JC/T《
南京工业大学
2021-01-12
电石泥渣生产高强度硅酸盐壳层陶粒技术
使用电石法生产聚氯乙烯（PVC）采用乙炔与氯化氢加成反应而成。从理论上讲，每生产一吨聚氯乙烯要产生1.8吨的电石泥渣。电石泥渣排放后严重污染环境，本项目利用化工生产中排放的电石泥渣生产高强度硅酸盐壳层陶粒，实现固体废弃物零排放目标，既合理利用了自然资源，又把对人类和环境的危害减至最小，经济效益和社会效益都非常显著。 生产的陶粒通过各项性能指标测试，并经江苏省建工建材质量检测中心检验测试，送检的砂加气混凝土硅酸盐陶粒表观密度为1714 kg/ m3，堆积密度为10
南京理工大学
2021-04-14
材料学院周欢萍团队和张艳锋团队在钙钛矿太阳能电池的重要进展
《科学》报道材料学院周欢萍团队和张艳锋团队在钙钛矿太阳能电池的重要进展。
北京大学
2025-01-14
超结MOSFET设计及制造技术
本成果开发了一套超结MOSFET器件的设计方法，并与上海华虹NEC(现上海华虹宏力)公司合作建立了基于深槽填充工艺的600~900 V级8英寸超结MOSFET工艺代工平台，这是国内第一个量产的超结工艺平台。所制备的超结MOSFET击穿电压最高可达900V，比导通电阻低至5.3Ω.mm2（900V器件）。该成果作为重要组成部分获得了2016年四川省科技进步一等奖（“功率高压MOS器件关键技术与应用”张波、乔明、任敏 等）。
电子科技大学
2021-04-10
新型超晶格激光器系统
基于“介电体超晶格”制备技术，开发了一套适合量产的超晶格材料制备工艺。超晶格材料在激光非线性波长变换、量子纠缠源产生、声学滤波换能等领域有重要应用。以超晶格材料为核心材料，开发出红光、绿光、蓝光、准白光、钠黄光、皮秒锁模以及中红外等多种新型激光器。
南京大学
2021-04-10