成果与项目的背景及主要用途： 术后粘连是有手术史以来国内外亟待解决的重要医学难题之一。在外科领域开展的手术中，绝大多数都涉及到防止组织之间粘连的问题。术后粘连可以引起严重的并发症，如腹部、盆腔等均可引起粘连性肠梗阻，甲状腺手术后引起喉返神经损伤以及因盆腔组织粘连而导致的女性不育症。90%的患者在术后均有不同程度的粘连产生，60%的患者需要采取一定的防粘连措施。 目前防止术后粘连国际上采用较多的是“短期屏障"法，即术后在容易发生粘连的部位植入隔离材料。随着 70 年代后美国医用材料方面的突破，可生物降解吸收材料已得到医疗市场的认可。现有的美国 FDA 批准的术后防粘连产品有三种。本课题组设计和研制了一种结构独特的可抛型防粘连膜材料 AntiTriplex。它是一种生物相容性良好、安全、无毒、无刺激、可降解吸收的薄膜材料，其独特的表面结构特性可以将手术创面和周围组织有效隔离开，有效地保护好手术创面。 技术原理与工艺流程简介： 该术后防粘连膜由多糖分子、多肽大分子和合成大分子组装而成的三元膜。该三元膜综合了三种材料的优点，使膜材料的力学性能、水稳定性、降解速率、临床可操作性、防粘连效果等得到全面提升。主要工 艺流程如下： 多肽大分子 ↓ 合成大分子 → 反应器 --→成膜 → 后处理 → 干燥 → 成品膜 → 包装 → 灭菌 ↑ 改性多糖大分子 技术水平及专利与获奖情况： 该新型术后防粘连膜独特的结构设计代表了当今该领域国际先进水 应用前景分析及效益预测： 不管是传统的腹腔、心血管、椎板外科手术，还是新兴的微创手术，均会存在不同程度的粘连现象。现阶段欧美已经形成了一个庞大的防粘连材料市场，据统计，在美国每年用于治疗腹腔、盆腔粘连的费用高达约 12 亿美元。美国在 2000 年有 750 万例出现术后粘连，预计到 2006 年将增加到 2000 万。虽然美国 FDA 已批准了 3 个防粘连材料，但均有缺陷。中国人口众多，医疗水平不及美国，如以 1500 万人保守数字计，每人需要防粘连材料一份（至少），每份约 200 元，市场容量将是 30 亿，利税近 10 亿，是国家鼓励优先发展的高技术产业。 应用领域：医疗器械、生物材料制品、组织工程制品 技术转化条件（包括：原料、设备、厂房面积的要求及投资规模）：原材料均为国产，价格低廉。所需设备为常用设备，投资不大。常规医药行业的厂房基本上能满足要求，主要生产车间 150 平方米。投资规模依生产规模而定。 合作方式及条件：面谈平, 目前已申报国家发明专利 2 项。 

乙醇回收渗透汽化膜是由无机材料经过高温烧制制备而成的基膜为支撑层，在支撑层表面经过特殊制备工艺制备而成的致密膜为分离层的非对称结构的管式复合膜，膜表面平整无缺陷，膜层厚度均匀；分离膜与基膜结合完好，具有抗污能强，使用寿命长的特点，可以用来富集低浓度的含醇溶液的富集。主要应用方向有：燃料乙醇发酵液、丁醇发酵液、低浓度含醇溶液中的醇类物质的富集。

基于膜生物反应器原理，通过核心膜材料的研发，针对村镇村级单体小水量的特点，开发出一体化城镇污水膜法处理技术，以膜组件取代二沉池，在生物反应器中保持高活性污泥浓度减少污水处理设施占地，并通过保持低污泥负荷减少污泥量，提高农村污水排放的就地处理率，建设美丽乡村。成果可用于小型污水处理，农村、养殖、食品、印染、纺织等行业废水。

本技术主要产品为空气净化膜及成套分离设备，包括中低温与高温空气净化膜两大类主要产品。除尘膜材料为碳化硅等无机材料或改性聚四氟乙烯材料，化学稳定好，机械强度高。可经受各种有机气体腐蚀，能够进行频繁的反吹和化学清洗，寿命在3年以上。可用于冶金、化工、水泥等工业过程烟气处理及家庭、商场、写字楼、汽车等民用场所空气净化。

产品详细介绍     读努门绿板绿膜 环保性：采用无毒，无异味的环保材料，选用最合适人的眼睛的色彩和低反光膜，眼睛不易疲劳，保护师生视力； 需用性：一块绿板正常使用情况下，一般使用寿命可达8年以上（使用读努门绿板笔），绿膜使用可达3年以上。 实用性：配合读努门绿板笔，不易摩擦笔头，色彩显好，即可坐咋宽大的教室后排，字迹依然清晰亮丽。  

卷膜特性：可满足120℃蒸煮及抽真空 长度及宽度：不大于60cm 厚度：双面8-40丝 材质：复合袋，根据不同的要求设计复合膜 印刷：凹版印刷，九色 质量认证：ISO9001/SGS 产地：山东青岛 交货期：十万条以内七天交货，不含制版时间

一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。

北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。

主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。