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生物降解-水溶膜
山东森工新材料科技有限公司
2021-09-02
读努门环保绿膜
产品详细介绍 读努门绿板绿膜 环保性：采用无毒，无异味的环保材料，选用最合适人的眼睛的色彩和低反光膜，眼睛不易疲劳，保护师生视力； 需用性：一块绿板正常使用情况下，一般使用寿命可达8年以上（使用读努门绿板笔），绿膜使用可达3年以上。 实用性：配合读努门绿板笔，不易摩擦笔头，色彩显好，即可坐咋宽大的教室后排，字迹依然清晰亮丽。
广州读努门教育科技有限公司
2021-08-23
自动包装机卷膜
卷膜特性：可满足120℃蒸煮及抽真空
长度及宽度：不大于60cm
厚度：双面8-40丝
材质：复合袋，根据不同的要求设计复合膜
印刷：凹版印刷，九色
质量认证：ISO9001/SGS
产地：山东青岛
交货期：十万条以内七天交货，不含制版时间
青岛正大环保科技有限公司
2021-09-02
一种电容式超薄柔性应力传感器及其制备方法
本发明公开了一种电容式超薄柔性应力传感器及其制备方法。该应力传感器包括下层弹性保护薄膜，底面电纺纳米纤维导电膜电极，中间弹性绝缘隔离薄膜，上层电纺纳米纤维导电膜电极，上层弹性保护薄膜，以及分别连接上层电纺纳米纤维导电膜电极和底面电纺纳米纤维导电膜电极的两个金属电极；所述上层电纺纳米纤维导电膜电极和底面电纺纳米纤维导电膜电极分别为利用静电纺丝法制备的定向沉积在中间弹性绝缘隔离薄膜上表面和下层弹性保护薄膜上表面的导电纳米纤维膜。该应力传感器可大范围拉伸，可用于测量大拉伸范围，该应力传感器的电容由其拉伸后的感应面积决定，且该应力传感器的制备工艺简单，具有很好的应用前景。该方法可实现超薄柔性力敏传感器的大规模制备，在传感器以及智能服装等领域有应用前景。
青岛大学
2021-04-13
一种用于超薄、柔性电子器件转移的装置、方法和应用
本发明公开了一种用于电子器件转移的装置，包括:上电极层 和下电极层，其对置间隔布置，通电后在两者之间可产生电场;粘性 层，其固结在下电极层的下表面;还包括设置在上电极层和下电极层 之间的电活性层，其可在两电极层通电而产生的电场作用下被挤压而 产生纵向以及横向的变形，该变形驱动电极层和粘性层产生变形，从 而产生剪力和/或者凹凸顶起力，使其被脱粘并放置于受体基板上。本 发明还公开了利用上述装置进行电子器件转移的方法及其应用。本发 明可实现电子器件主动放置，装置结构简单，具有快速、可靠，容易 控制等优点;
华中科技大学
2021-04-14
一种采用图形喷嘴的有机气相成膜装置及其成膜方法
本发明公开了一种采用图形喷嘴的有机气相成膜装置，包括蒸 发腔、与蒸发腔连通的喷印头及与喷印头相距一定间隙的基板载台， 基板载台受控制相对喷印头分别沿喷印头主轴方向、与喷印头主轴垂 直平面内的水平方向以及平面内与水平方向垂直的第三方向直线移 动。喷印头包括喷印头基体、包覆喷印头基体的加热套、位于喷印头 基体一端的图形喷嘴、与图形喷嘴连通的混合腔以及连通所述蒸发腔 与混合腔的气体入口。图形喷嘴的开口具有一定形状，蒸发腔用于蒸 发固体有机材料得到气相有机材料并通过喷印头的气体入口进入喷印 头的混合腔，接着
华中科技大学
2021-04-14
大尺寸宽禁带半导体氮化镓单晶衬底产业化技术
在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。
南京大学
2021-05-10
英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化
金刚石半导体集热、电、声、机械等特性于一体，在禁带宽度、击穿场强、迁移率和热导率等方面远高于其他半导体，被称为“终极半导体”。英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化，可以极大地推进我国半导体的革命性变革，实现我国微电子行业的跨越式发展，达到国际先进水平。本项目在国家“千人计划特聘专家”王宏兴的推动下，已经完成了两种微波等离子体CVD设备的设计和制造，利用这些设备已经完成了英寸级单晶金刚石衬底的工程样品，实现了克隆衬底工艺的全线贯通，具有小批量产业化能力。按照日本相关公司的预测，随着金刚石半导体的发展，在2030年，中国的市场规模达到100亿美元。由于金刚石生产中的主要成本是甲烷、氢气和消耗电力的费用，成本较低，经济效益显著。 金刚石半导体特性 关键设备-MPCVD 克隆技术 单晶金刚石衬底
西安交通大学
2021-04-11
分米量级尺寸的六方氮化硼二维单晶的制备
团队与合作者首次报道了米级单晶Cu(111)衬底的制备方法，并在此基础上实现了米级单晶石墨烯的外延生长（Science. Bulletin 2017, 62, 1074）。与石墨烯不同，六方氮化硼等其它绝大多数二维材料不具有中心反演对称性，其外延生长普遍存在孪晶晶界问题：旋转180°时晶格方向发生改变，外延生长时不可避免地出现反向晶畴，而在拼接时形成缺陷晶界。 开发合适对称性的外延单晶衬底是解决这一科学难题的关键。研究团队探索出利用对称性破缺的衬底外延非中心反演对称二维单晶薄膜的新方
南方科技大学
2021-04-14
铌酸钾钠-锆钛酸铋钠系无铅压电陶瓷
本发明属于钙钛矿结构环境协调性压电陶瓷领域，特别涉及一种铌酸钾钠-锆钛酸铋钠系无铅压电陶瓷，该无铅压电陶瓷由通式(1-x)(KuNav)NbO3-xBi0.5Na0.5Zr1-yTiyO3表示，式中，0＜x≤0.05, ?0≤y≤0.3，0.40≤u≤0.55，0.45≤v≤0.60，且u+?v=1。本发明提供的无铅压电陶瓷具有较高的压电性能，所用原料价格低廉，节约成本，有利于促进实用化进程，在工业生产中应用。
四川大学
2021-04-11